一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法，属于反铁电陶瓷材料领域。本发明专利技术的制备方法，采用铅过量和三层坩埚烧结法相结合进行制备，使用三层坩埚烧结法进行烧结时，PbZrO

【技术实现步骤摘要】
一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法
本专利技术属于反铁电陶瓷材料领域，尤其是一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
随着科学技术的进步，高储能密度电介质材料在当代电子技术中有着潜在的应用价值，特别是在高能脉冲功率
有着不可替代的应用。因此开发出高储能密度的新型储能材料非常迫切，成为新材料和新技术研究的热点之一。常见的用于储能电容器的介质材料包括线性电介质材料、铁电材料、弛豫铁电体材料和反铁电材料，与其他三种电介质材料相比，反铁电体由于其特有的双电滞回线，表现出近零剩余极化和高饱和极化强度的特性，具有储能密度高、效率高等特点。目前所报道的反铁电储能陶瓷材料大多数成份复杂，所含元素种类多，主要集中在制备工艺成熟、储能性能优良的锆酸铅(PbZrO3)基反铁电材料。与之相似的铪酸铅(PbHfO3)基反铁电材料由于极化强度更大，且临界电场较高，因此在高储能介电材料领域具有重要的应用前景。但是铪酸铅基陶瓷在烧结过程中氧化铅非常容易挥发，氧化铅的挥发导致陶瓷材料的化学计量比发生偏离，烧结完成的铪酸铅基陶瓷致密性差、电性能劣化，严重限制了它的工业化应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服铪酸铅基陶瓷烧结过程中PbO容易挥发造成陶瓷材料的化学计量比发生偏离的缺点，提供一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法。为达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案予以实现：一种铪酸铅反铁电陶瓷材料的制备方法，称取粉体时，按照摩尔比为(1.04～1.05)：1称取PbO粉体和HfO2粉体；将粉体制成的坯体进行烧结时，将坯体埋入装有与坯体组分相同粉料的坩埚中，将所述坩埚埋入装有PbZrO3埋料的中间层坩埚中，将所述中间层坩埚埋入装有三氧化二铝埋料的外层坩埚中；在空气中烧结，烧结温度为1100～1200℃，烧结温度为4-6h，得到铪酸铅反铁电陶瓷材料。进一步的，包括以下步骤：(1)将PbO粉体和HfO2粉体按照摩尔比为(1+x)：1称取，混合后进行一次球磨，得到混合粉体；其中，x＝0.04～0.05；(2)将所述混合粉体依次进行烘干、研磨和压块后，在800～880℃条件下保温2～6h，得到预烧粉体；(3)将所述预烧粉体依次进行二次球磨、烘干、研磨、造粒和过筛，得到颗粒均匀的粉体；(4)将所述颗粒均匀的粉体静置12～24h，之后压制成圆柱形坯体，将所述圆柱形坯体在500～600℃保温2～5h，得到一次烧结坯体；(5)将一次烧结坯体埋入装有与坯体组分相同粉料的坩埚中，将所述坩埚埋入装有PbZrO3埋料的中间层坩埚中，将所述中间层坩埚埋入装有三氧化二铝埋料的外层坩埚中，在空气中进行烧结；其中，烧结条件为1100～1200℃烧结4～6h，炉冷。进一步的，在步骤(1)和步骤(3)中，球磨的介质均为无水乙醇，料、锆球和无水乙醇的质量比均为1：2：(0.5～1.5)，球磨时间均为12-18h。进一步的，在步骤(2)和步骤(3)中，烘干温度均为80～100℃。进一步的，在步骤(3)中，加入聚乙烯醇水溶液进行造粒，聚乙烯醇水溶液的质量浓度为5％～10％；聚乙烯醇水溶液的加入量为所述混合粉体质量的6％～10％。进一步的，在步骤(3)中，过筛目数为40目和80目，取80目筛上的料。进一步的，在步骤(4)中，在200～500MPa的压强下压制成圆柱形坯体。进一步的，步骤(2)和步骤(5)中升温速率均为3～5℃/min。本专利技术的制备方法得到的铪酸铅反铁电陶瓷材料。进一步的，在室温下能够进行反铁电-铁电的相变，能够得到双电滞回线。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术的铪酸铅反铁电陶瓷材料的制备方法，采用铅过量和三层坩埚烧结法相结合进行制备，使用三层坩埚烧结法进行烧结时，PbZrO3埋料在高温下受热分解生成大量的氧分子，从而形成局部饱和蒸气压，在烧结初期能够促进蒸发-凝聚传质，使得烧结品致密化速率加快；同时最外层的三氧化二铝粉在烧结温度下稳定存在，从而提供温度均匀的烧结环境；因而三层坩埚烧结法烧结试样是在相对富氧且温度均匀的条件下烧结的，烧结得到的样品的晶粒大小均匀，微结构较为致密；而铅过量和烧结条件的控制，可以较为精确的控制烧结制品中的Pb和Hf的化学计量比，使之更加接近1：1。本专利技术能有效抑制高温烧结过程中容易出现的异常晶粒长大，获得均匀的组织；本专利技术制备工艺简单，成本较低，重复性较好。本专利技术的铪酸铅反铁电陶瓷材料，致密度高，击穿场强高，具有较高的储能密度。附图说明图1为不同铅过量在1120℃下的铅失重图；图2为对比例和实施例1-3反铁电陶瓷样品的SEM图像，其中，图2(a)为对比例的SEM图像，图2(b)、图2(c)、图2(d)为实施例1-3的SEM图像；图3为实施例1-3制备的陶瓷材料的X射线衍射图谱；图4为对比例和实施例1-3反铁电陶瓷样品的介电损耗曲线；图5为实施例1-3制备的陶瓷材料的介温曲线；图6为对比例和实施例1-2制备的反铁电陶瓷样品在室温条件10Hz频率下的电滞曲线。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。下面结合附图对本专利技术做进一步详细描述：实施例1(三层坩埚烧结法制备PbHfO3陶瓷)：反铁电陶瓷的化学组成为PbHfO3包括以下步骤：(1)按照摩尔比为1.04：1称取PbO粉体、HfO2粉体，将称取物、锆球石、无水乙醇按照质量比为1：2：1混合后进行球磨15h，球磨完成后依次进行烘干、研磨和压块，在850℃保温4h，得到预烧粉体；(2)将预烧粉体研碎，按照料、锆球石及无水乙醇按照质量比为1：2：1混合后进行二次球磨15h；烘干后进行研磨过120目筛，加入占其质量8％的聚乙烯醇水溶液(PVA)进行造粒，PVA的质量浓度为5％；造粒后分别过40目和80目筛子得到颗粒均匀的粉体，静置15h后将颗粒均匀的粉体在300MPa的压强下压制成圆柱形坯体，置于马弗炉中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铪酸铅反铁电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，称取粉体时，按照摩尔比为(1.04～1.05)：1称取PbO粉体和HfO

【技术特征摘要】
1.一种铪酸铅反铁电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，称取粉体时，按照摩尔比为(1.04～1.05)：1称取PbO粉体和HfO2粉体；
将粉体制成的坯体进行烧结时，将坯体埋入装有与坯体组分相同粉料的坩埚中，将所述坩埚埋入装有PbZrO3埋料的中间层坩埚中，将所述中间层坩埚埋入装有三氧化二铝埋料的外层坩埚中；
在空气中烧结，烧结温度为1100～1200℃，烧结温度为4-6h，得到铪酸铅反铁电陶瓷材料。


2.根据权利要求1所述的铪酸铅反铁电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将PbO粉体和HfO2粉体按照摩尔比为(1+x)：1称取，混合后进行一次球磨，得到混合粉体；
其中，x＝0.04～0.05；
(2)将所述混合粉体依次进行烘干、研磨和压块后，在800～880℃条件下保温2～6h，得到预烧粉体；
(3)将所述预烧粉体依次进行二次球磨、烘干、研磨、造粒和过筛，得到颗粒均匀的粉体；
(4)将所述颗粒均匀的粉体静置12～24h，之后压制成圆柱形坯体，将所述圆柱形坯体在500～600℃保温2～5h，得到一次烧结坯体；
(5)将一次烧结坯体埋入装有与坯体组分相同粉料的坩埚中，将所述坩埚埋入装有PbZrO3埋料的中间层坩埚中，将所述中间层坩埚埋入装有三氧化二铝埋料的外层坩埚中，在空气中进行烧结；
其中，烧结条件为1100～1200℃烧结4～6h，炉冷。


3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：万红艳，刘增辉，李璟睿，杨豪，任巍，叶作光，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61