一种防止大豆爬蔓加速大豆生长的室内种植方法技术

本发明专利技术公开了一种防止大豆爬蔓加速大豆生长的室内种植方法，整个种植期间谷类作物在蓝‑黄‑红‑远红混合光照射下进行培养；蓝‑黄‑红‑远红混合光中，蓝光(400‑499nm)的光量子数占总光量子数的比例在15‑52％，黄光(500‑599nm)的光量子数占总光量子数的比例在3‑12％，红光(600‑699nm)的光量子数占总光量子数的比例在35‑59％，远红光(700‑780nm)的光量子数占总光量子数的比例在0‑18％。本发明专利技术通过室内种植大豆，在全人工光环境的调控下实现了大豆结实率高，100天/1熟，同时不爬蔓不倒伏，整个种植周期几乎不使用农药。

【技术实现步骤摘要】
一种防止大豆爬蔓加速大豆生长的室内种植方法
本专利技术属于农作物种植
，具体涉及一种防止大豆爬蔓加速大豆生长的室内种植方法。
技术介绍
大豆是一年生草本植物，是世界上最重要的豆类。因此我国急需一种缩短大豆种植周期、降低大豆种植成本和提高大豆年产量的新型种植方法。而室内栽培大豆不受季节限制，极大提高了土地利用率，还可以进行一年多茬栽培，是未来大豆种植的重要方式之一。但目前室内种植大豆多是在人工气候箱中，因为缺少完全人工光环境下大豆种植技术，导致室内种植大豆容易出现爬蔓和倒伏的现象，而且结实率低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种防止大豆爬蔓加速大豆生长的室内种植方法，本明通过室内种植大豆，在全人工光环境的调控下实现了大豆结实率高，100天/1熟，同时不爬蔓不倒伏，整个种植周期几乎不使用农药。本专利技术采取的具体技术方案是：一种防止大豆爬蔓加速大豆生长的室内种植方法，整个种植期间谷类作物在蓝-黄-红-远红混合光照射下进行培养；蓝-黄-红-远红混合光中，蓝光(400-499nm)的光量子数占总光量子数的比例在15-52％，黄光(500-599nm)的光量子数占总光量子数的比例在3-12％，红光(600-699nm)的光量子数占总光量子数的比例在35-59％，远红光(700-780nm)的光量子数占总光量子数的比例在0-18％。优选地，蓝-黄-红-远红混合光中，蓝光(400-499nm)的光量子数占总光量子数的比例在47-52％，黄光(500-599nm)的光量子数占总光量子数的比例在6-10％，红光(600-699nm)的光量子数占总光量子数的比例在35-40％，远红光(700-780nm)的光量子数占总光量子数的比例在4-8％。进一步地，上述的室内种植方法，包括以下步骤：(1)播种：将育苗基质装于穴孔育苗盘中，浇水使基质的湿度达到90％，每个穴孔随机播种2颗大豆种子，播种深度1-2cm，表面覆土，环境温度控制在24-26℃，发芽后去掉薄膜；(2)育苗：将发芽后的育苗盘移植在蓝-黄-红-远红混合光下，育苗期光环境条件为：光照周期12h/d，光照强度230-250μmol/㎡·s，育苗过程保持基质湿润，整个苗期大概15-18d，期间施用一次800-100倍液复合肥；(3)栽培：当苗高长到15-20cm时移栽到特定的种植模组上，在蓝-黄-红-远红混合光下进行培养，每隔30cm种植一株，种植深度4-6cm；光环境条件为：光周期12-14h/d，光强300-400μmol/m2·s；大豆花期期追施一次800-1000倍液的复合肥，并喷施一次浓度为800倍液的叶面氮肥；大豆进入结荚期后，追施一次800-1000倍液的复合肥，大豆进入结荚鼓粒期后，用800-1000倍液磷酸二氢钾和氮肥各喷施大豆叶面1次，中间间隔7天；(4)采收：种植85-82d后大豆果荚成熟，进行采收。优选地，所述育苗基质由粒径0-10mm的泥炭土和蛭石按体积比1：1混匀制得。优选地，育苗期环境条件为：白天环境温度24-26℃，晚上18-20℃，优选地，种植模组中种植基质由粒径0-10mm的泥炭土和蛭石按体积比2:1制得，每1kg种植基质复配5-10g的复合肥和5-10g氮肥做底肥。优选地，步骤(3)种植期间环境条件为：环境温度白天24-28℃，晚上19-21℃，优选地，栽培期水肥管理方法为：种植过程水分控制标准为：见干浇水，不干不浇水。有益效果：本专利技术所提供的种植方法，通过采用特定的光源环境使得大豆种植期间不会出现爬蔓和倒伏的现象，同时还可以提高大豆百粒重，实现了大豆100天/1熟。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此，在不脱离本专利技术上述技术思想情况下，根据本领域普通技术知识和惯用手段，做出各种替换和变更，均应包括在本专利技术的范围内。实施案例一种不爬蔓提高结实率和加速生长的大豆室内种植方法，栽培过程：(1)播种：将粒径0～10mm的泥炭土和蛭石按体积比1：1混匀备用，将混匀后的基质装于32穴播种盘中，浇水使基质的湿度达到90％，每个穴孔随机播种2颗大豆种子(品种“中黄”)，播种深度1-2cm，表面覆土，环境温度控制在24-26℃，发芽后去掉薄膜；(2)育苗：将发芽后的育苗盘移植到育苗光环境下，保证白天环境温度24-26℃，晚上18-20℃，光照周期12h/d，光照强度230-250μmol/㎡·s，育苗过程保持基质湿润，整个苗期大概15-18d，期间施用一次800-100倍液复合肥。(3)栽培：当苗高长到15-20cm时移栽到特定的种植模组上，种植基质为粒径0～10mm的泥炭土和蛭石按体积比2:1制备，每1kg基质复配5-10g的复合肥和5-10g氮肥做底肥，每隔30cm种植一株，种植深度4-6cm。种植环境温度白天24-28℃，晚上19-21℃，光周期12-14h/d，光强300-400μmol/m2·s。大豆花期期追施一次800-1000倍液的复合肥，并喷施一次浓度为800倍液的叶面氮肥。大豆进入结荚期后，追施一次800-1000倍液的复合肥，大豆进入结荚鼓粒期后，用800-1000倍液磷酸二氢钾和氮肥各喷施大豆叶面1次(中间间隔7天)。种植过程水分控制标准为：见干浇水，不干不浇水。(4)采收：种植85-82d后大豆果荚成熟，进行采收，称取百粒重和单株挂荚个数。种植期间(育苗+栽培)光质配方在：400-499nm的光量子数占总光量子的比例在47-52％，500-599nm的光量子数占总光量子的比例在6-10％，600-699nm的光量子数占总光量子的比例在35-40％，700-780nm的光量子数占总光量子的比例在4-8％。设置5个实验组，即实施例1-5，同时设置3个对照组，即对照例1-3，各实施例及对照例具体光质配方及实验结果详见下表1：表1从结果可以得出，选择本专利技术光质配方进行大豆室内栽培，不爬蔓不倒伏，其中，实施例4-5的大豆单株挂荚较多，百粒重较大。尽管已经对上述各实施例进行了描述，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改，所以以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利保护范围，凡是利用本专利技术说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止大豆爬蔓加速大豆生长的室内种植方法，其特征在于，整个种植期间谷类作物在蓝-黄-红-远红混合光照射下进行培养；/n蓝-黄-红-远红混合光中，蓝光(400-499nm)的光量子数占总光量子数的比例在15-52％，黄光(500-599nm)的光量子数占总光量子数的比例在3-12％，红光(600-699nm)的光量子数占总光量子数的比例在35-59％，远红光(700-780nm)的光量子数占总光量子数的比例在0-18％。/n

【技术特征摘要】
1.一种防止大豆爬蔓加速大豆生长的室内种植方法，其特征在于，整个种植期间谷类作物在蓝-黄-红-远红混合光照射下进行培养；
蓝-黄-红-远红混合光中，蓝光(400-499nm)的光量子数占总光量子数的比例在15-52％，黄光(500-599nm)的光量子数占总光量子数的比例在3-12％，红光(600-699nm)的光量子数占总光量子数的比例在35-59％，远红光(700-780nm)的光量子数占总光量子数的比例在0-18％。


2.根据权利要求1所述一种防止大豆爬蔓加速大豆生长的室内种植方法，其特征在于，蓝-黄-红-远红混合光中，蓝光(400-499nm)的光量子数占总光量子数的比例在47-52％，黄光(500-599nm)的光量子数占总光量子数的比例在6-10％，红光(600-699nm)的光量子数占总光量子数的比例在35-40％，远红光(700-780nm)的光量子数占总光量子数的比例在4-8％。


3.根据权利要求1或2所述一种防止大豆爬蔓加速大豆生长的室内种植方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)播种：将育苗基质装于穴孔育苗盘中，浇水使基质的湿度达到90％，每个穴孔随机播种2颗大豆种子，播种深度1-2cm，表面覆土，环境温度控制在24-26℃，发芽后去掉薄膜；
(2)育苗：将发芽后的育苗盘移植在蓝-黄-红-远红混合光下，育苗期光环境条件为：光照周期12h/d，光照强度230-250μmol/㎡·s，育苗过程保持基质湿润，整个苗期大概15-18d，期间施用一次800-100倍液复合肥；
(3)栽培：当苗高长到1...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：福建省中科生物股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35