LED电源防浪涌电路制造技术

技术编号:27997911 阅读:11 留言:0更新日期:2021-04-06 14:48
本实用新型专利技术公开了一种LED电源防浪涌电路,所述LED电源防浪涌电路包括串接于电源输入的L线与N线之间的压敏电阻MOV1、设于L线上的放电管GGT2、设于N线上的放电管GGT1以及串接在L线与N线之间的整流桥D1,在所述整流桥D1远离电源输入端的一侧连接一组Π型滤波,所述Π型滤波包括差模电感L2、与所述差模电感L2近电源输入端连接的电容C1、与所述电容C1并联连接的压敏电阻MOV2和电容C2。本实用新型专利技术提供的LED电源防浪涌电路,极大提高原边反馈电源方案(Primary side feedback,PSR)中抗浪涌的能力,能够在更多的户外场合得到应用;同时,降低了成本且元器件造型容易,占用的体积小。

【技术实现步骤摘要】
LED电源防浪涌电路
本技术涉及LED电源防浪涌电路
,尤其涉及一种LED电源防浪涌电路。
技术介绍
现有的LED电源主要分为恒压型LED电源与恒流型LED电源,其中恒流型LED电源使用原边反馈控制芯片对电源输入进行控制,由于取消了输入端滤波电解电容的原因,使其在抗雷击、浪涌方面表现极差。现有的防浪涌方案为在整流桥之前使用一级或者两级压敏电阻应对L-N之间差模浪涌干扰,在LN-PE之间使用压敏串接放电管的方法应对共模浪涌干扰,如图1所示,由于使用原边反馈控制芯片取消了输入的滤波电解,使得整个电源系统的稳定性极差,而且常规应用于AC-DC电源的压敏电阻基本会采用510-560Vdc的压敏电阻,经过压敏电阻吸收后残压依旧极高,极易损坏功率MOS与控制电路,其中,MOS为金属氧化物半导体(MetalOxideSemiconductor,MOS)。对于功率MOS的选型也不加注意的话,极容易造成在测试1KVL-N差模浪涌时的电源损坏炸机,严重影响电源品质。
技术实现思路
本技术提供一种LED电源防浪涌电路,旨在解决现有的LED电源浪涌中电源可靠性差、易损坏的问题。为实现上述目的,本技术提供一种LED电源防浪涌电路,所述LED电源防浪涌电路包括串接于电源输入的L线与N线之间的压敏电阻MOV1、设于L线上的放电管GGT2、设于N线上的放电管GGT1以及串接在L线与N线之间的整流桥D1,在所述整流桥D1远离电源输入端的一侧连接一组Π型滤波,所述Π型滤波包括差模电感L2、与所述差模电感L2近电源输入端连接的电容C1、与所述电容C1并联连接的压敏电阻MOV2和电容C2。优选地,所述放电管GGT1与所述放电管GGT2之间在近电源输入端连接电容CY1和电容CY2的串联,在远离电源输入端连接电容CX1。优选地,所述放电管GGT1与共模电感L1-A并联,所述放电管GGT2与共模电感L1-B并联。优选地,所述放电管GGT1和放电管GGT2为贴片陶瓷气体放电管或玻璃气体放电管。优选地,所述LED电源防浪涌电路还包括PE线,所述PE线为保护地线。优选地,所述PE线连接在所述电容CY1和电容CY2之间。优选地,所述PE线上设有放电管GD1并分别串联压敏电阻MOV3与N线连接、串联压敏电阻MOV4与L线连接。优选地,所述放电管GD1为陶瓷气体放电管。优选地,所述L线上在近输入端还设有保险丝F1。本技术提供的LED电源防浪涌电路,通过在整流桥后增加一组Π型滤波将压敏电阻MOV2接于差模电感L2后,组成两级压敏电阻吸收差模浪涌,并通过在共模电感L1两端并联两个放电管以及在LN-PE之间为的压敏电阻串联放电管,极大提高原边反馈电源方案(Primarysidefeedback,PSR)中抗浪涌的能力,能够在更多的户外场合得到应用;同时,小功率PSR可以通过增加较低的成本,得到对地浪涌的整体提升,并且在安全规范方面也更易操作且元器件选型容易,占用的体积小。附图说明图1为现有的LED电源防浪涌的电路示意图;图2为本技术实施例一提供的LED电源防浪涌电路示意图;图3为本技术实施例二提供的LED电源防浪涌电路示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。实施例一:请参阅图2,本技术实施例一提供的LED电源防浪涌电路,应用在85-264VAC的电源输入电路上,所述LED电源防浪涌电路包括串接于电源输入的L线与N线之间的压敏电阻MOV1、设于L线上的放电管GGT2、设于N线上的放电管GGT1以及串接在L线与N线之间的整流桥D1,在所述整流桥D1远离电源输入端的一侧连接一组Π型滤波,具体地,整流桥D1的1端连接Π型滤波的输入端、2端连接L线输入端、3端连接N线输入端、4端连接Π型滤波的输出端;所述Π型滤波包括差模电感L2、与所述差模电感L2近电源输入端连接的电容C1、与所述电容C1并联连接的压敏电阻MOV2和电容C2,所述电容C2接地;如图2所示,压敏电阻MOV2实现对通过整流桥的浪涌残压进行二次吸收,使浪涌能量进一步降低,达到后级的功率器件可以承受的效果。所述放电管GGT1与所述放电管GGT2之间在近电源输入端连接电容CY1和电容CY2的串联,在远离电源输入端连接电容CX1;所述放电管GGT1与共模电感L1-A并联,所述放电管GGT2与共模电感L1-B并联;所述放电管GGT1和放电管GGT2为贴片陶瓷气体放电管或玻璃气体放电管;通过放电管与共模电感并联可以极大提高电源的抗浪涌能力。所述LED电源防浪涌电路还包括PE线,所述PE线为保护地线(ProtectingEarthing,PE);所述PE线连接在所述电容CY1和电容CY2之间;同时,所述PE线上设有放电管GD1并分别串联压敏电阻MOV3与N线连接、串联压敏电阻MOV4与L线连接,其中,所述放电管GD1为陶瓷气体放电管,通过在共模电感L1两端并联两个放电管以及在LN-PE之间为的压敏电阻串联放电管,极大提高PSR中抗浪涌的能力,能够在更多的户外场合得到应用。此外,所述L线上在近输入端还设有保险丝F1,所述保险丝F1为3.15A/250V保险丝。具体在本实施例中,使用高能品压敏电阻进行实际的浪涌测试,可以通过L-N8KV的浪涌测试。实施例二:请参阅图3,与实施例一相比,本技术提供的实施例二应用在整机电源功率小于60W的应用场合,此时可将实施例一中的放电管GD1、压敏电阻MOV3和压敏电阻MOV4去掉,由放电管GGT1和放电管GGT2承担共模浪涌的吸收作用,具体在本实施例中,使用高能品压敏电阻进行实际的浪涌测试,可以通过L-N6KV的浪涌测试。与现有技术相比,本技术提供的LED电源防浪涌电路,通过在整流桥后增加一组Π型滤波将压敏电阻MOV2接于差模电感L2后,组成两级压敏电阻吸收差模浪涌,并通过在共模电感L1两端并联两个放电管以及在LN-PE之间为的压敏电阻串联放电管,极大提高原边反馈电源方案(Primarysidefeedback,PSR)中抗浪涌的能力,能够在更多的户外场合得到应用;同时,小功率PSR可以通过增加较低的成本,得到对地浪涌的整体提升,并且在安全规范方面也更易操作且元器件选型容易,占用的体积小。以上所述的仅是本技术的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本技术创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED电源防浪涌电路,其特征在于,所述LED电源防浪涌电路包括串接于电源输入的L线与N线之间的压敏电阻MOV1、设于L线上的放电管GGT2、设于N线上的放电管GGT1以及串接在L线与N线之间的整流桥D1,在所述整流桥D1远离电源输入端的一侧连接一组Π型滤波,所述Π型滤波包括差模电感L2、与所述差模电感L2近电源输入端连接的电容C1、与所述电容C1并联连接的压敏电阻MOV2和电容C2。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED电源防浪涌电路,其特征在于,所述LED电源防浪涌电路包括串接于电源输入的L线与N线之间的压敏电阻MOV1、设于L线上的放电管GGT2、设于N线上的放电管GGT1以及串接在L线与N线之间的整流桥D1,在所述整流桥D1远离电源输入端的一侧连接一组Π型滤波,所述Π型滤波包括差模电感L2、与所述差模电感L2近电源输入端连接的电容C1、与所述电容C1并联连接的压敏电阻MOV2和电容C2。


2.根据权利要求1所述的LED电源防浪涌电路,其特征在于,所述放电管GGT1与所述放电管GGT2之间在近电源输入端连接电容CY1和电容CY2的串联,在远离电源输入端连接电容CX1。


3.根据权利要求2所述的LED电源防浪涌电路,其特征在于,所述放电管GGT1与共模电感L1-A并联,所述放电管GGT2与共模电感L1-B并联。


4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:张志浩
申请(专利权)人:深圳市中电华星电子技术有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1