一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法技术

一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法，本发明专利技术涉及一种提高SnTe热电性能的方法。本发明专利技术要解决现有引入晶体缺陷的方法无法通过降低声速来提高SnTe中温热电材料的热电性能的问题。方法：一、称取；二、制备铸锭；三、球磨、烧结和退火。本发明专利技术用于构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法。

【技术实现步骤摘要】
一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法
本专利技术涉及一种提高SnTe热电性能的方法。
技术介绍
SnTe是一种极具应用潜力的中温热电材料，但其本征较高的晶格热导率限制了其热电优值(ZT)的进一步提高，传统降低晶格热导率的方法是在材料中引入点、线、面等多尺度缺陷，增强声子散射。但根据声子气导热模型，减小声速对降低晶格热导率的贡献更大，因此降低声速对SnTe热电性能的提高具有重要意义，但现有引入晶体缺陷的方法无法通过降低声速来提高SnTe中温热电材料的热电性能。
技术实现思路
本专利技术要解决现有引入晶体缺陷的方法无法通过降低声速来提高SnTe中温热电材料的热电性能的问题，而提供一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法。一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法，它是按照以下步骤进行的：一、称取：按照化学通式为Sn1-xMnxTe的化学计量比称取Sn粒、Mn片和Te块，然后混合均匀，得到混合物；其中0.01≤x≤0.15；二、制备铸锭：将混合物置于石英管内，抽真空后封管，将封好的石本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：/n一、称取：/n按照化学通式为Sn

【技术特征摘要】
1.一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：
一、称取：
按照化学通式为Sn1-xMnxTe的化学计量比称取Sn粒、Mn片和Te块，然后混合均匀，得到混合物；其中0.01≤x≤0.15；
二、制备铸锭：
将混合物置于石英管内，抽真空后封管，将封好的石英管置于马弗炉中，以升温速度为80℃/h～120℃/h，将马弗炉升温至900℃～1150℃，并在温度为900℃～1150℃的条件下，保温6h～12h，最后随炉冷却，得到铸锭；
三、球磨、烧结和退火：
将铸锭密封于充满高纯氩气的球磨罐中，然后将球磨罐置于高能球磨机中研磨0.2h～24h，将研磨后的细粉置于石墨模具中，在温度为500℃～600℃及压力为20MPa～40MPa的条件下，烧结1min～10min，得到圆片，将圆片再次置于石英管内，抽真空后封管，将封好的石英管置于马弗炉中，以升温速度为50℃/h～200℃/h，将马弗炉升温至500℃～600℃，并在温度为500℃～600℃的条件下，保温0.5h～12h，即完成构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法。


2.根据权利要求1所述的一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法，其特征在于步骤一中按照化学通式为Sn1-xMnxTe的化学计量比称取Sn粒、Mn片和Te块，然后混合均匀，得到混合物；其中0.01≤x≤0.12。


3.根据权利要求1所述的一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法，其特征在于步骤一中按照化学通式为Sn0.88Mn0.12Te的化学计量比称取Sn粒、Mn片和Te块，然后混合均匀，得到混合物。


4.根据权利要求1所述的一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法，其特征在于步骤二中将混合物置于石英管内，抽真空后封管，将封好的石英管置于马弗炉中，以升温速度为83℃/h～120℃/h，将马弗炉升温至1000℃～1150℃，并在温...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭逢凯，隋解和，蔡伟，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23