发光二极管芯片及其制备方法技术

本申请公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。该芯片包括基板、功能层及发光二极管台面；基板上表面包括发光区域和环绕于发光区域之外的切割区域；功能层铺设在发光区域和切割区域；功能层上表面配置有发光二极管台面；切割区域划分为第一区域和第二区域，第一区域和第二区域沿发光二极管台面周向间隔设置，第一区域形成有凸台，该凸台自功能层上表面向上延伸不高于发光二极管台面的高度，并与发光二极管台面间隔预定距离。本申请中仅在第一区域形成凸台，保证发光二极管芯片中的电位均匀分布，避免发光二极管芯片出现电迁移的现象，改善芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片及其制备方法
本申请涉及半导体相关
，尤其涉及一种发光二极管芯片及其制备方法。
技术介绍
发光二极管芯片由于其较高的发光效率在很多领域均有广泛的应用。在发光二极管芯片中，半导体堆叠层与金属层及基板之间存在热膨胀系数差异，存在的差异会导致发光二极管芯片中产生大小不一的应力，进而在后续工艺中容易出现应力纹或半导体堆叠层破损、脱落的现象，影响芯片的外观良率和产品品质。现有对发光二极管芯片的改进方法为在发光二极管芯片的切割区域处形成环绕发光二极管台面的凸台，以减小半导体堆叠层与金属层及基板之间的应力累积，从而减小应力纹或半导体堆叠层破损、脱落现象的发生。但是，引入环绕发光二极管台面的凸台后，整个发光二极管芯片电位分布不均匀，易导致发光二极管芯片出现电迁移的现象，影响芯片的可靠性，这种现象在绿光发光二极管芯片中尤其突出。因此，如何提供一种电位分布均匀的发光二极管芯片，以提高芯片的可靠性，成为本领域亟需解决的问题。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种发光二极管芯片，其能够改善现有发光二极管芯片因电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：/n基板，其上表面包括发光区域和环绕于所述发光区域之外的切割区域；/n功能层，铺设在所述发光区域和切割区域；所述功能层上表面配置有发光二极管台面；所述发光二极管台面包括第一子半导体外延层；/n所述切割区域划分为第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域沿所述发光二极管台面周向间隔设置，所述第一区域形成有凸台，所述凸台连在所述功能层上，且自所述功能层上表面向上延伸不高于所述发光二极管台面的高度，并与所述发光二极管台面间隔预定距离。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：
基板，其上表面包括发光区域和环绕于所述发光区域之外的切割区域；
功能层，铺设在所述发光区域和切割区域；所述功能层上表面配置有发光二极管台面；所述发光二极管台面包括第一子半导体外延层；
所述切割区域划分为第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域沿所述发光二极管台面周向间隔设置，所述第一区域形成有凸台，所述凸台连在所述功能层上，且自所述功能层上表面向上延伸不高于所述发光二极管台面的高度，并与所述发光二极管台面间隔预定距离。


2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一区域在发光二极管台面周向上的长度总和L1与所述第二区域在发光二极管台面周向上的长度总和L2的比值介于5～20。


3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述切割区域包括至少一个所述第二区域。


4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸台与所述发光二极管台面等高。


5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸台的高度H1与所述发光二极管台面高度H2的比值介于0.1～0.9。


6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一区域还包括第二子半导体外延层，所述第二子半导体外延层覆盖所述凸台的表面及侧壁。


7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸台与所述发光二极管台面之间还包括第二子半导体外延层，所述第二子半导体外延层覆盖部分所述第一区域。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述功能层自下至上包括金属层、第一绝缘层、导电层和阻挡层；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨力勋，蔡琳榕，朱立钦，连文黎，刘双良，乔锦，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35