基于阻变电阻的非易失抗辐射存储单元制造技术

本发明专利技术涉及基于阻变电阻的非易失抗辐射存储单元，本设计由9个晶体管和4个阻变电阻组成。该存储单元可将阻变电阻的阻值高低转换为电平的高低，具有多次编程、信息加载速度快等特点，并且具有抗单粒子翻转(SEU)的抗辐照性能。可应用于非易失存储器件、可编程逻辑器件的配置信息存储等。可用较小的面积实现高性能且具备抗单粒子翻转的抗辐照非易失存储单元。利用阻变电阻，上电时可把信息从存储电阻快速读入存储单元。本设计基于阻变电阻的电学特性实现。由9个晶体管和4个阻变存储电阻组成的存储单元。

【技术实现步骤摘要】
基于阻变电阻的非易失抗辐射存储单元
本专利技术属于集成电路设计领域。更具体的说是一种基于阻变器件的非易失抗辐射存储单元设计。
技术介绍
半导体存储器是电子设备最基本的元器件之一，是现代信息技术的重要组成部分。经过四十多年的快速发展，以flash为代表的非易失存储器经历了飞速发展。面对未来将会出现的技术瓶颈，非易失性存储器该如何继续发展，正是设计者们应该认真思考的问题。近年来，阻变电阻这种新兴器件展现出了巨大的潜力。出了自身具有的低功耗、高密度、高速等优点外，阻变电阻利用电阻可变这一特性来存储信息，不存在其他类型存储器易受辐照影响的问题。另外，阻变电阻不需引入传统CMOS工艺技术以外的技术，与传统CMOS工艺有很好的兼容性。这意味着无需在研发和生产中增加额外的设备和成本，研发和成果转化周期可以大大缩短。具有很强的技术扩展能力和广阔的发展前景。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种支持多次编程、掉电后信息不丢失、具备抗单粒子翻转能力的非易失抗辐射存储单元。本专利技术为实现上述目的所采用的技术方案是：基于阻变电阻的非易失本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于阻变电阻的非易失抗辐射存储单元，其特征在于，包括晶体管N0～N6、晶体管P1～P2，以及电阻R1、电阻R2；/n所述晶体管N5的漏极通过电阻R1与位线BL连接，用于接入电阻转换控制电平信号；N5的漏极还与晶体管N3的漏极连接，N5的栅极连有字线WLL，用于接入选通控制信号；N5的源极与N6的源极连接，并作为源线位SL，用于接入电阻转换控制电平信号；/n晶体管N3的栅极与读线READ连接，用于接入读信号；N3的源极与P2的漏极、N2的源极连接；P2的源极与P1的源极连接，并作为电源线PWR接入电源；P2的栅极与N2栅极、P1的漏极、N1的源极连接；P1的栅极与N1的栅极连接；N1的漏极和...

【技术特征摘要】
1.基于阻变电阻的非易失抗辐射存储单元，其特征在于，包括晶体管N0～N6、晶体管P1～P2，以及电阻R1、电阻R2；
所述晶体管N5的漏极通过电阻R1与位线BL连接，用于接入电阻转换控制电平信号；N5的漏极还与晶体管N3的漏极连接，N5的栅极连有字线WLL，用于接入选通控制信号；N5的源极与N6的源极连接，并作为源线位SL，用于接入电阻转换控制电平信号；
晶体管N3的栅极与读线READ连接，用于接入读信号；N3的源极与P2的漏极、N2的源极连接；P2的源极与P1的源极连接，并作为电源线PWR接入电源；P2的栅极与N2栅极、P1的漏极、N1的源极连接；P1的栅极与N1的栅极连接；N1的漏极和N2的漏极接地；N1的源极、N2的源极分别与N0漏极、N0源极连接，N0的栅极与读线READ连接；所述晶体管P2的漏极与P1的栅极之间连有电阻R3；所述晶体管P2的栅极与P1的漏极之间连有电阻R4；
N6的栅极连有字线WLR，用于接入选通控制信号；N6的漏极通过电阻R2与BL连接，N6的漏极与N4的漏极连接，N4的源极与P1的漏极连接，N4的栅极与读线READ连接。


2.根据权利要求1所述的基于阻变电阻的非易失抗辐射存储单元，其特征在于，R1和N5构成第一1T1R单元，R2和N6构成第二1T1R单元；P1、P2、N1、N2、N3、N4以及R3、R4构成抗辐...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨东，陈思为，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十七研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁;21