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本发明涉及基于阻变电阻的非易失抗辐射存储单元，本设计由9个晶体管和4个阻变电阻组成。该存储单元可将阻变电阻的阻值高低转换为电平的高低，具有多次编程、信息加载速度快等特点，并且具有抗单粒子翻转(SEU)的抗辐照性能。可应用于非易失存储器件、可...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十七研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十七研究所授权不得商用。

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