一种阵列基板及显示面板制造技术

技术编号:27973842 阅读:16 留言:0更新日期:2021-04-06 14:07
本申请公开了一种阵列基板及显示面板,所述阵列基板包括:透光基板;以及薄膜晶体管层,设于所述透光基板上,所述薄膜晶体管层具有同层设置的驱动晶体管和感光晶体管;以及遮光层,设于所述透光基板远离所述薄膜晶体管层的一面且所述遮光层的位置对应于所述驱动晶体管。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示面板
本申请涉及显示
,具体涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)因具有轻、薄、小等特点,同时功耗低、无辐射、制造成本相对较低,薄膜晶体管液晶显示器在平板显示行业应用较为广泛。为拓宽液晶显示器商用及家用功能,现将诸多功能集成在显示器中,如色温感测,激光感测,气体感测等,提高了液晶显示器可应用场景。但诸多集成功能均处在新开发阶段,尚有较多工艺制程及相关设计需要完善,以便提高多种集成功能液晶显示器性能。如图1所示,图1为现有外挂式液晶显示面板的结构示意图。外挂式模式液晶显示器(Sensoronglass),其包括第一偏光片11、第一基板12、第一保护层13、驱动晶体管14、第二保护层15、色阻层16、黑矩阵17、第三保护层18、第一电极19、支撑柱20、液晶层21、第二电极22、第二基板23、第二偏光片24、粘合层25、第三基板26、感光晶体管27以及PFA保护层28。具体的,所述第一基板12设于所述第一偏光片11上;所述第一保护层13设于所述第一基板12上;所述驱动晶体管14间隔设置于所述第一保护层13上;所述第二保护层15覆于所述驱动晶体管14和所述第一保护层13上;所述色阻层16与所述黑矩阵17间隔设置于所述第二保护层15上;所述第三保护层18设于所述色阻层16与所述黑矩阵17上;所述第一电极19设于所述第三保护层18上;支撑柱20间隔设置于所述第三保护层18上;所述第二电极22与所述第一电极19相对设置,所述支撑柱20设于所述第二电极22与所述第一电极19之间,且与框胶形成一个密闭的空腔,在所述空腔内填充液晶形成所述液晶层21;所述第二基板23设于所述第二电极22上;所述第二偏光片24设于所述第二基板23上;所述粘合层25设于所述第二偏光片24上;所述第三基板26设于所述粘合层25上;所述感光晶体管27间隔地设置于所述第三基板26上;所述PFA保护层28设于所述感光晶体管27和所述第三基板26上。其中,所述第一电极19和所述第二电极22为透明的ITO电极。外挂式模式液晶显示器具有感应激光效果,将具有激光感应的感光晶体管27(SensorTFT)的第三基板26贴合在第二偏光片24上,实现激光照射感光晶体管27时产生信号,进而完成对液晶显示器的显示控制。对于外挂式模式液晶显示器,虽然其技术较为成熟,工艺简单,设计技术要求低,较容易实现激光操作液晶显示器的效果,但由于需要单独第三基板26,所述第三基板26与第二偏光片24需要通过胶水贴合,甚至需要多次贴合工艺,从而导致成本较高。因此,为了解决贴合工艺导致生产成本高的问题,目前市场上出现的内嵌式液晶显示面板。如图2所示,图2为现有内嵌式液晶显示面板的结构示意图。内嵌式液晶显示面板(Sensorincell),其包括第一偏光片11、第一基板12、第一保护层13、驱动晶体管14、感光晶体管27、第二保护层15、色阻层16、黑矩阵17、第三保护层18、第一电极19、支撑柱20、液晶层21、第二电极22、第二基板23以及第二偏光片24。具体的,所述第一基板12设于所述第一偏光片11上;所述第一保护层13设于所述第一基板12上;所述驱动晶体管14与所述感光晶体管27间隔设置于所述第一保护层13上;所述第二保护层15覆于所述驱动晶体管14和所述第一保护层13上;所述色阻层16与所述黑矩阵17间隔设置于所述第二保护层15上;所述第三保护层18设于所述色阻层16与所述黑矩阵17上;所述第一电极19设于所述第三保护层18上;支撑柱20间隔设置于所述第三保护层18上;所述第二电极22与所述第一电极19相对设置,所述支撑柱20设于所述第二电极22与所述第一电极19之间,且与框胶形成一个密闭的空腔,在所述空腔内填充液晶形成所述液晶层21;所述第二基板23设于所述第二电极22上;所述第二偏光片24设于所述第二基板23上。内嵌式液晶显示面板将所述驱动晶体管14和所述感光晶体管27在所述第一保护层13上同层设置,即所述驱动晶体管14和所述感光晶体管27同步完成制作,无需重复的薄膜晶体管制备流程及贴合工艺,节省了工艺成本,并且大大提高了液晶显示面板的穿透率。虽然内嵌式液晶显示面板可以大幅度降低成本及提高穿透率,但由于由于感光晶体管27(SensorTFT)制备在驱动晶体管14(DisplayTFT)的一侧,外部激光至感光晶体管27之前,需要经过彩膜基板侧的偏光片(CFPOL)、彩膜基板(CFglass)、液晶层以及色阻层等多层结构,导致较多激光能量被这些膜层吸收,最终到达感光晶体管27上激光能量急剧降低,感光晶体管27激光照射后产生信号过小,无法起到控制显示器作用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供一种阵列基板及显示面板,以解决发光装置发出的光线需要穿透较多的部件,导致感光路径较多,感光晶体管激光照射后产生信号过小,无法控制显示器的技术问题。为实现上述目的,本专利技术提供一种阵列基板,包括:透光基板;以及薄膜晶体管层,设于所述透光基板上,所述薄膜晶体管层具有同层设置的驱动晶体管和感光晶体管;以及遮光层,设于所述透光基板远离所述薄膜晶体管层的一面且所述遮光层的位置对应于所述驱动晶体管。进一步地,所述的阵列基板还包括偏光层,覆于所述透光基板远离所述薄膜晶体管层的一面且覆盖所述遮光层。进一步地,所述的阵列基板还包括光栅结构,设于所述透光基板远离所述薄膜晶体管层的一面,所述光栅结构分布在所述感光晶体管的对应区域和所述遮光层的对应区域之外的区域。进一步地,所述光栅结构为金属光栅。进一步地,所述遮光层为黑色矩阵或者金属层。进一步地,所述薄膜晶体管层还包括:栅极层,设于所述透光基板上;第一绝缘层,覆盖所述栅极层形成一第一凸起,且延伸至所述透光基板表面;有源层,设于所述第一绝缘层上且包裹所述第一凸起形成第二凸起;源漏极层,设于所述有源层上,所述源漏极层包括源极和漏极,所述源极从所述第二凸起的一侧的底部延伸至所述第二凸起的顶部,所述漏极从所述第二凸起的另一侧底部延伸至所述第二凸起的顶部,其中所述源极和所述漏极在所述第二凸起顶部存在间隙;第二绝缘层,覆盖所述源漏极层且设于所述第一绝缘层上。进一步地,所述薄膜晶体管层还包括:有源层,设于所述透光基板上;源漏极层,与所述有源层同层设置且延伸至所述有源层上表面,所述源漏极层包括源极和漏极,所述源极从所述有源层的一边侧延伸至所述有源层的上表面,所述漏极从所述有源层的另一边侧延伸至所述有源层的上表面,其中所述源极和所述漏极在所述有源层的上表面存在间隙;第一绝缘层,设于所述有源层上;栅极层,设于所述第一绝缘层上;第二绝缘层,设于所述栅极层、所述源漏极以及部分所述有源层上且延伸至所述透明基板的表面,且贴附所述栅极层和所述第一绝缘层的侧壁。进一步地,所述薄膜晶体管层还包括:源漏极层,设于所述透明基板上,所述源漏极层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极之间设有一开口;有源层,设于所述源漏极层上,且从所本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:/n透光基板;以及/n薄膜晶体管层,设于所述透光基板上,所述薄膜晶体管层具有同层设置的驱动晶体管和感光晶体管;以及/n遮光层,设于所述透光基板远离所述薄膜晶体管层的一面且所述遮光层的位置对应于所述驱动晶体管。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
透光基板;以及
薄膜晶体管层,设于所述透光基板上,所述薄膜晶体管层具有同层设置的驱动晶体管和感光晶体管;以及
遮光层,设于所述透光基板远离所述薄膜晶体管层的一面且所述遮光层的位置对应于所述驱动晶体管。


2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括偏光层,覆于所述透光基板远离所述薄膜晶体管层的一面且覆盖所述遮光层。


3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括光栅结构,设于所述透光基板远离所述薄膜晶体管层的一面,所述光栅结构分布在所述感光晶体管的对应区域和所述遮光层的对应区域之外的区域。


4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述光栅结构为金属光栅。


5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层为黑色矩阵或者金属层。


6.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管层还包括:
栅极层,设于所述透光基板上;
第一绝缘层,覆盖所述栅极层形成一第一凸起,且延伸至所述透光基板表面;
有源层,设于所述第一绝缘层上且包裹所述第一凸起形成第二凸起;
源漏极层,设于所述有源层上,所述源漏极层包括源极和漏极,所述源极从所述第二凸起的一侧的底部延伸至所述第二凸起的顶部,所述漏极从所述第二凸起的另一侧底部延伸至所述第二凸起的顶部,其中所述源极和所述漏极在所述第二凸起顶部存在间隙;
第二绝缘层,覆盖所述源漏极层且设于所述第一绝缘层上。


7.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管层还包括:
有源层,设于所述透光基板上;
源漏极层,与...

【专利技术属性】
技术研发人员:王海军
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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