【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,更具体地,涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
液晶面板按照显示模式可以分为:扭曲向列(TN,TwistedNematic)型、平面转换(IPS,InPlaneSwitching)型和高级超维场开关(ADS,AdvancedSuperDimensionSwitch)型等。其中,ADS显示模式的液晶面板是通过同一平面内狭缝电极边缘区所产生的电场以及狭缝电极与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使在电极之间和电极正上方的所有液晶分子发生旋转,相对于IPS显示模式的液晶面板,能够提高液晶的工作效率且增加了透光效率。ADS显示模式的液晶面板具有高画面品质、高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无水波纹(pushMura)等优点。
技术实现思路
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。本专利技术实施例提供了一种阵列基板,包括:基底和设置于基底上的多条扫描信号线和多条数据信号线以及多条扫描信号线和多条数据信号线交叉限定的像素单元,多条扫描信号线沿第一方向延伸并在第二方向上间隔,多条数据信号线沿第二方向延伸并在第一方向上间隔,第一方向和第二方向相交,像素单元包括板状电极和设置于板状电极远离基底一侧的狭缝电极,狭缝电极与板状电极位置对应,狭缝电极包括在第一方向上设置的第一边缘区和第二边缘区,以及在第二方向上设置的第三边缘区和第四边缘区,第一边缘区、第二边缘区、第三边缘区和第四边缘区围
【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基底和设置于所述基底上的多条扫描信号线和多条数据信号线以及多条扫描信号线和多条数据信号线交叉限定的像素单元,所述多条扫描信号线沿第一方向延伸并在第二方向上间隔,所述多条数据信号线沿第二方向延伸并在第一方向上间隔,所述第一方向和所述第二方向相交,所述像素单元包括板状电极和设置于所述板状电极远离所述基底一侧的狭缝电极,所述狭缝电极与所述板状电极位置对应,所述狭缝电极包括在所述第一方向上设置的第一边缘区和第二边缘区,以及在所述第二方向上设置的第三边缘区和第四边缘区,所述第一边缘区、第二边缘区、第三边缘区和第四边缘区围成狭缝区,所述狭缝区包括端部邻近所述第一边缘区的第一狭缝和端部邻近所述第二边缘区的第二狭缝,所述第一狭缝贯通所述第一边缘区或者所述第二狭缝贯通所述第二边缘区。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基底和设置于所述基底上的多条扫描信号线和多条数据信号线以及多条扫描信号线和多条数据信号线交叉限定的像素单元,所述多条扫描信号线沿第一方向延伸并在第二方向上间隔,所述多条数据信号线沿第二方向延伸并在第一方向上间隔,所述第一方向和所述第二方向相交,所述像素单元包括板状电极和设置于所述板状电极远离所述基底一侧的狭缝电极,所述狭缝电极与所述板状电极位置对应,所述狭缝电极包括在所述第一方向上设置的第一边缘区和第二边缘区,以及在所述第二方向上设置的第三边缘区和第四边缘区,所述第一边缘区、第二边缘区、第三边缘区和第四边缘区围成狭缝区,所述狭缝区包括端部邻近所述第一边缘区的第一狭缝和端部邻近所述第二边缘区的第二狭缝,所述第一狭缝贯通所述第一边缘区或者所述第二狭缝贯通所述第二边缘区。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于:所述狭缝区包括沿所述第二方向排列的第一狭缝区和第二狭缝区,所述第一狭缝区和所述第二狭缝区均包括平行设置的多个所述第一狭缝和多个所述第二狭缝,所述第一狭缝区的狭缝的延伸方向与所述第二狭缝区的狭缝的延伸方向相交。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于:所述第一狭缝区和所述第二狭缝区的狭缝以所述狭缝电极在所述第二方向上的中线对称设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于:所述狭缝电极为设置为提供公共电压信号的公共电极,所述板状电极设置为提供像素电压信号的像素电极。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于:所述阵列基板还包括屏蔽层,所述屏蔽层位于所述数据信号线远离所述基底的一侧,所述屏蔽层和与所述公共电极连接的公共信号线连接,所述屏蔽层在所述基底上的正投影与所述数据信号线在所述基底上的正投影存在交叠区域,所述屏蔽层设置为屏蔽所述数据信号线,防止所述数据信号线与所述狭缝电极间形成电场。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于:所述数据信号线包括位于所述像素单元在所述第一方向上一侧的第一数据信号线和位于所述像素单元在所述第一方向上另一侧的第二数据信号线,所述第一边缘区邻近所述第一数据信号线;
所述第二狭缝贯通所述第二边缘区,所述第一边缘区在所述基底上的正投影与所述第一数据信号线在所述基底上的正投影存在交叠区域,所述屏蔽层设置为所述第一边缘区与所述交叠区域对应的区域;或,
所述第一狭缝贯通所述第一边缘区,所述第二边缘区在所述基底上的正投影与所述第二数据信号线在所述基底上的正投影存在交叠区域,所述屏蔽层设置为所述第二边缘区与所述交叠区域对应的区域。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于:所述屏蔽层沿所述第二方向延伸,并在所述第一方向上与所述狭缝电极间隔。
技术研发人员:崔贤植,梁蓬霞,方正,石戈,杨松,李鸿鹏,孙艳六,韩佳慧,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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