子像素结构和显示面板制造技术

本发明专利技术实施例提供的子像素结构包括两个以上的沿第一方向和/或第二方向排列的像素区块，相邻像素区块部分连接且形成有隔离区，通过隔离区使相邻像素区块互相独立设置；通过相邻像素区块相互独立设置，使像素区块的暗纹互相独立，缓解了现有子像素结构存在结构单一且暗纹异常的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
子像素结构和显示面板
本专利技术涉及子像素结构
，尤其涉及一种子像素结构和一种显示面板。
技术介绍
目前普遍采用的液晶像素的设计，其红色、蓝色、绿色三色子像素都为长方型设计。随着液晶面板的发展，在该种设计下的液晶效率，视野角等指标逐渐接近设计瓶颈，难以有较大突破。在液晶显示屏的设计中，像素电极区域为规则的矩形，其内部的走线为呈十字形排布的主干电极、米字型关于主干电极对称的分支电极、以及区域封边组成，对于一般长方形液晶像素的设计，液晶暗纹沿着纵横主干道分布，可以获得比较好的液晶效率。但是对于复杂形状的液晶像素的设计，这种长方形液晶像素的设计构造则很不稳定，容易产生异常的暗纹。同时通过模拟，我们发现像素区块形状越接近于正方形，其液晶效率越高，穿透率越高。而如果液晶像素趋于长方形，液晶暗区增多，液晶效率会下降。我们发现正方形的像素区块具有暗纹稳定的的优势，矩形长宽比过大时，容易产生暗纹异常，而正方形的像素区块则无暗纹异常发生。因此，现有像素通常由三个大小相同的矩形子像素组成，其中矩形子像素的暗纹不稳定，同时由于子像素的形状固定为矩形，在像素的组合上，子像素的排布较为单一，形状也较为单一，现有子像素结构存在结构单一且暗纹异常的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种子像素结构，缓解现有子像素结构存在结构单一且暗纹异常的技术问题。本专利技术实施例提供一种子像素结构，包括两个以上的像素区块，所述像素区块沿着第一方向和/或第二方向排列形成一子像素，其中，相邻所述像素区块部分连接且形成有隔离区，所述隔离区用于隔开相邻所述像素区块，使相邻所述像素区块相互独立设置，相邻所述像素区块的暗纹相互独立。在本专利技术实施例提供的子像素结构中，所述像素区块包括用于显示的四边形区，所述四边形区包括呈十字形排布的主干电极、所述呈十字形排布的主干电极的长宽比范围为1:1至1:2.5。在本专利技术实施例提供的子像素结构中，所述四边形区的至少一边向外突出形成区块接口，相邻所述区块接口对向设置，相邻所述像素区块通过所述区块接口连接。在本专利技术实施例提供的子像素结构中，所述四边形区上设置所述区块接口的一侧相对形成有凹陷，当相邻像素区块通过区块接口连接时，所述凹陷在所述相邻像素区块间形成所述隔离区。在本专利技术实施例提供的子像素结构中，多个所述四边形区的形状、大小相同，多个所述区块接口的形状、大小相同。在本专利技术实施例提供的子像素结构中，所述区块接口的截面形状为等腰梯形，所述梯形的任一条斜边的倾斜角度为45度。在本专利技术实施例提供的子像素结构中，所述凹陷的宽度范围为至少10微米，所述像素区块高的范围为至少5微米。在本专利技术实施例提供的子像素结构中，所述像素区块的像素电极包括主干电极和分支电极，相邻所述像素区块的主干电极通过区块接口电连接，所述分支电极关于相连接的所述主干电极非对称设置。在本专利技术实施例提供的子像素结构中，所述像素区块沿着第一方向和第二方向排列设置，所述子像素结构的形状为L形、十字形、土字形中的任一种，所述子像素结构包括至少三个所述像素区块。本实施例提供一种显示面板，包括多个像素单元，所述像素单元包括至少三个所述子像素结构，所述子像素结构包括两个以上的像素区块，所述像素区块沿着第一方向和/或第二方向排列形成一子像素，其中，相邻所述像素区块部分连接且形成有隔离区，所述隔离区用于隔开相邻所述像素区块，使相邻所述像素区块相互独立设置，相邻所述像素区块的暗纹相互独立。有益效果：本专利技术实施例提供的子像素结构包括两个以上的沿第一方向和/或第二方向排列的像素区块，相邻所述像素区块部分连接且形成有隔离区，通过隔离区使相邻所述像素区块互相独立设置；通过使相邻像素区块独立设置，使像素区块的暗纹互相独立，缓解了现有子像素结构存在结构单一且暗纹异常的技术问题。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本专利技术实施例提供的子像素结构的第一种俯视示意图；图2为本专利技术实施例提供的像素区块的第一种俯视示意图；图3为本专利技术实施例提供的像素区块的第二种俯视示意图；图4为本专利技术实施例提供的像素区块的第三种俯视示意图；图5为本专利技术实施例提供的像素区块的第四种俯视示意图；图6为本专利技术实施例提供的像素区块的第五种俯视示意图；图7为本专利技术实施例提供的子像素结构的拼接设计和一般设计的穿透率对比图；图8为本专利技术实施例提供的子像素结构的拼接设计和一般设计的暗纹仿真对比图；图9为本专利技术实施例提供的像素设计的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的子像素结构的暗纹仿真图；图11为本专利技术实施例提供的子像素结构的第二种俯视示意图；图12为本专利技术实施例提供的子像素结构的第三种俯视示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。如图1所示，本专利技术实施例提供的子像素结构2两个以上的像素区块1，所述像素区块1沿着第一方向和/或第二方向排列形成一子像素，其中，相邻所述像素区块1部分连接且形成有隔离区40，所述隔离区40用于隔开相邻所述像素区块1，使相邻所述像素区块1相互独立设置，相邻所述像素区块1的暗纹相互独立。在本实施例中，子像素结构2包括两个以上的像素区块1，所述像素区块1沿着第一方向和/或第二方向排列形成一子像素，其中，相邻所述像素区块1部分连接且形成有隔离区40，所述隔离区40用于隔开相邻所述像素区块1，使相邻所述像素区块1相互独立设置，相邻所述像素区块1的暗纹相互独立；通过多个所述像素区块1可以组合成多种形态的子像素结构，同时单个像素区块1的四边形区10的暗纹较稳定，缓解了现有像素结构存在子像素结构单一且暗纹异常的技术问题。其中，相互独立设置的像素区块1指的是各所述像素区块1的暗纹相互独立，且多个所述像本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种子像素结构，其特征在于，包括两个以上的像素区块，所述像素区块沿着第一方向和/或第二方向排列形成一子像素，其中，相邻所述像素区块部分连接且形成有隔离区，所述隔离区用于隔开相邻所述像素区块，使相邻所述像素区块相互独立设置，相邻所述像素区块的暗纹相互独立。/n

【技术特征摘要】
1.一种子像素结构，其特征在于，包括两个以上的像素区块，所述像素区块沿着第一方向和/或第二方向排列形成一子像素，其中，相邻所述像素区块部分连接且形成有隔离区，所述隔离区用于隔开相邻所述像素区块，使相邻所述像素区块相互独立设置，相邻所述像素区块的暗纹相互独立。


2.如权利要求1所述的子像素结构，其特征在于，所述像素区块包括用于显示的四边形区，所述四边形区包括呈十字形排布的主干电极、所述呈十字形排布的主干电极的长宽比范围为1:1至1:2.5。


3.如权利要求2所述的子像素结构，其特征在于，所述四边形区的至少一边向外突出形成区块接口，相邻所述区块接口对向设置，相邻所述像素区块通过所述区块接口连接。


4.如权利要求3所述的子像素结构，其特征在于，所述四边形区上设置所述区块接口的一侧相对形成有凹陷，当相邻像素区块通过区块接口连接时，所述凹陷在所述相邻像素区块间形成所述隔离区。


5.如权利要求1所述的子像素结构，其特征在于，多个所述四边形区的形状、大小相同，多个所述区块接口的形状、大小相同。


6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘毅，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44