一种带NTC热敏芯片的温度传感器及其制备工艺制造技术

本发明专利技术提出了一种带NTC热敏芯片的温度传感器及其制备工艺，该温度传感器包括导热基片、NTC热敏芯片、引线、玻璃绝缘封装层，还包括过渡金属基台、封装引渡机构，过渡金属基台与导热基片均含铜、铝、锡、锰元素，且（铜+铝+锡）元素质量百分含量占比重合率大于50%，锰元素质量百分含量占比大于5%，NTC热敏芯片通过过渡金属基台、玻璃绝缘浆料与导热基片相连；封装引渡机构采用复合金属材料、呈波纹管状，并通过玻璃绝缘浆料烧渗连接于导热基片上，本申请合理设计传感器结构并优化原料选用，制得的温度传感器灵敏度高且稳定性强，有效使用寿命延长了一倍以上。

【技术实现步骤摘要】
一种带NTC热敏芯片的温度传感器及其制备工艺
本专利技术涉及传感器
，具体的为一种带NTC热敏芯片的温度传感器及其制备工艺。
技术介绍
由NTC热敏芯片作为核心部件，采取不同封装形式构成的热敏电阻和温度传感器广泛应用于各种温度探测、温度补偿、温度控制电路，其在电路中起到将温度的变量转化成所需的电子信号的核心作用。随着电子技术的发展，各种电子进一步多功能化和智能化，NTC热敏芯片在各种需要对温度进行探测、控制、补偿等场合的应用日益增加。由于探测温度的灵敏性要求，对NTC温度传感器的反应速度提出了越来越快的要求，这便要求NTC温度传感器的热时间常数尽量小，响应速度要快。目前NTC温度传感器一般采取由NTC热敏芯片、引线和外层绝缘包封层3’组成，其制作方法是：(1)制备NTC热敏芯片；(2)在NTC热敏芯片上引线；(3)将NTC热敏芯片由外层绝缘层包封形成NTC热敏电阻；(4)对NTC热敏电阻进行电气性能测试。制成后的NTC温度传感器的内部NTC热敏芯片为圆片型和方片型。现有技术制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带NTC热敏芯片的温度传感器，包括导热基片、NTC热敏芯片、引线、玻璃绝缘封装层，其特征在于：还包括过渡金属基台、封装引渡机构，所述过渡金属基台与导热基片均含铜、铝、锡、锰元素，且（铜+铝+锡）元素质量百分含量占比重合率大于50%，锰元素质量百分含量占比大于5%，NTC热敏芯片通过过渡金属基台、玻璃绝缘浆料与导热基片相连；封装引渡机构采用复合金属材料、呈波纹管状，并通过玻璃绝缘浆料烧渗连接于导热基片上。/n

【技术特征摘要】
1.一种带NTC热敏芯片的温度传感器，包括导热基片、NTC热敏芯片、引线、玻璃绝缘封装层，其特征在于：还包括过渡金属基台、封装引渡机构，所述过渡金属基台与导热基片均含铜、铝、锡、锰元素，且（铜+铝+锡）元素质量百分含量占比重合率大于50%，锰元素质量百分含量占比大于5%，NTC热敏芯片通过过渡金属基台、玻璃绝缘浆料与导热基片相连；封装引渡机构采用复合金属材料、呈波纹管状，并通过玻璃绝缘浆料烧渗连接于导热基片上。


2.根据权利要求1所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于：所述导热基片成型原料选用质量比1:0.1-0.3的铝锡铜合金锭和铝锰合金锭，铝锡铜合金锭化学成分符合GB/T20975标准，铝锰合金锭化学成分符合GB/T3190-2008标准。


3.根据权利要求1所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于：所述过渡金属基台采用黄铜、青铜、钛铝合金和锌锰合金熔融铸造而成，其中（铜+铝+锡）元素质量百分含量占比大于70%。


4.根据权利要求1所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于：所述封装引渡机构包括以下质量百分含量元素组分，Mg4.5-6.3%、Si2.6-3.8%、Cu1.2-3.3%、Mn0.8-1.2%、Ni0.3-0.45%、RE0.2-0.4%、Fe≤0.06%、余量为Al和不可避免的杂质。


5.根据权利要求4所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于：所述RE选用La、Ce、Y组合物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王梅凤，
申请(专利权)人：句容市双诚电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32