一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法，涉及半导体光电转换领域，包括以下步骤：步骤S1：第一步清洗，向沉积腔室通入第一清洗气体，产生等离子体，调整第一压力和第一清洗气体流量将所述等离子体的滞留时间调整为第一滞留时间，清洗时间为第一清洗时间；步骤S2：第二步清洗，向沉积腔室通入第二清洗气体，产生等离子体，调整第二压力和第二清洗气体流量将所述等离子体的滞留时间调整为第二滞留时间，清洗时间为第二清洗时间。采用两种或者多种气体滞留时间相组合的方式对沉积腔内表面和托盘进行清洗，减少清洗时间，又可以提高清洗均匀性，同时降低清洗气体的使用量，提升设备有效生产的时间，实现了产能增加而成本降低。

【技术实现步骤摘要】
一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法
本专利技术涉及半导体光电转换领域，具体的涉及一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法。
技术介绍
化学气相沉积是通过气体混合的化学反应在表面沉积一层薄膜，通常化学气相沉积包括常压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)、触媒化学气相沉积(Cat-CVD)。在CVD镀膜的过程中，除了在样品的表面沉积需要的薄膜，也会在沉积腔的内壁以及放置样品的托盘表面沉积薄膜，当薄膜厚度不断累积，会导致反应过程中的沉积腔环境不断变化，影响沉积速率及其均匀性等反应参数，当累积的厚度超过一定的范围后，沉积腔内部和托盘表面的薄膜由于应力变大和附着力变小的原因，容易从电极或腔壁上剥落产生大量粉尘甚至较大的颗粒散落在样品的生长表面，严重影响制程，造成产品性能和良率的降低。因此，当沉积腔内壁和托盘表面累积的薄膜达到预定厚度以后，就要对沉积腔和托盘进行清洗，以消除粉末、颗粒物对样品性能的影响，提高产品的良率和稳定性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1：第一步清洗，向沉积腔室通入第一清洗气体，开启电源，产生等离子体，调整第一压力和第一清洗气体流量将所述等离子体的滞留时间调整为第一滞留时间，清洗时间为第一清洗时间；/n步骤S2：第二步清洗，向沉积腔室通入第二清洗气体，开启电源，产生等离子体，调整第二压力和第二清洗气体流量将所述等离子体的滞留时间调整为第二滞留时间，清洗时间为第二清洗时间；/n其中第一滞留时间小于或者大于第二滞留时间。/n

【技术特征摘要】
1.一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：第一步清洗，向沉积腔室通入第一清洗气体，开启电源，产生等离子体，调整第一压力和第一清洗气体流量将所述等离子体的滞留时间调整为第一滞留时间，清洗时间为第一清洗时间；
步骤S2：第二步清洗，向沉积腔室通入第二清洗气体，开启电源，产生等离子体，调整第二压力和第二清洗气体流量将所述等离子体的滞留时间调整为第二滞留时间，清洗时间为第二清洗时间；
其中第一滞留时间小于或者大于第二滞留时间。


2.根据权利要求1所述的一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法，其特征在于，所述第一滞留时间大于第二滞留时间，所述第一清洗时间与所述第二清洗时间之比大于等于1/12且小于等于1/3。


3.根据权利要求1所述的一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法，其特征在于，所述第一滞留时间小于第二滞留时间，所述第二清洗时间与所述第一清洗时间之比大于等于1/12且小于等于1/3。


4.根据权利要求1所述的一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法，其特征在于，所述第一清洗气体和第二清洗气体均由含氟气体和惰性气体组成，所述含氟气体和惰性气体的体积比为3:1-25:1。


5.根据权利要求4所述的一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法，其特征在于，第一压力为0.2-2mBar，第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝仕虎，张丽平，刘正新，孟凡英，程琼，周华，谢毅，
申请(专利权)人：中威新能源成都有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51