一种基于吡啶的D-A型交叉共轭聚合物、其制备和应用制造技术

本发明专利技术属于有机光电高分子材料领域，公开了一种基于吡啶的给体‑受体(donor‑acceptor,D‑A)型交叉共轭聚合物、其制备和应用，该交叉共轭聚合物的结构如通式(A)所示，该交叉共轭聚合物以异聚三炔作为主链骨架结构，以苯胺类取代芴作为侧链基团，以3,5‑二取代吡啶作为电子受体基团；其中，R为苯胺类给电子基团，n取值为10‑30的整数。本发明专利技术通过引入吸电子基团吡啶，对交叉共轭聚合物的主链结构进行优化，对应得到的D‑A型交叉共轭聚合物空穴迁移率显著提升，尤其可作为非掺杂空穴传输材料应用于反式平面结构钙钛矿太阳能电池中(可获得超过22％的高能量转化效率)。

【技术实现步骤摘要】
一种基于吡啶的D-A型交叉共轭聚合物、其制备和应用
本专利技术属于有机光电高分子材料领域，更具体地，涉及一种基于吡啶的给体-受体(donor-acceptor,D-A)型交叉共轭聚合物、其制备和应用。
技术介绍
自2009年首例钙钛矿太阳能电池诞生以来，随着电池制备水平的不断提升以及新材料的发现，钙钛矿太阳能电池的能量转换效率(PowerConversionEfficiency,PCE)在过去十年从最初的3.8％提高到了25.5％，增长的幅度甚至超过了很多太阳能电池几十年的发展。然而，其商业化道路仍面临着诸多挑战，其中最突出的挑战来自器件稳定性，包括钙钛矿材料自身不稳定和电荷传输层不稳定这两方面。而对于空穴传输层而言，目前最常用的空穴传输材料(HTMs)如2,2,7,7-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴(Spiro-OMeTAD)和聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)等由于本征空穴迁移率和电导率不高，需要通过化学掺杂来提高。然而，引入的离子掺杂剂如双三氟甲烷磺酰亚胺锂(LiTFSI)和4-叔丁基吡啶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于吡啶的D-A型交叉共轭聚合物，其特征在于，其结构如通式(A)所示，该给体-受体型交叉共轭聚合物以异聚三炔作为主链骨架结构，以苯胺类取代芴作为侧链基团，以3,5-二取代吡啶作为电子受体基团；/n

【技术特征摘要】
1.一种基于吡啶的D-A型交叉共轭聚合物，其特征在于，其结构如通式(A)所示，该给体-受体型交叉共轭聚合物以异聚三炔作为主链骨架结构，以苯胺类取代芴作为侧链基团，以3,5-二取代吡啶作为电子受体基团；



其中，R为苯胺类给电子基团，n取值为10-30的整数。


2.如权利要求1所述基于吡啶的D-A型交叉共轭聚合物，其特征在于，所述苯胺类给电子基团选自二苯胺、4,4'-二甲基二苯胺、4,4'-二甲氧基二苯胺、3,3'-二甲氧基二苯胺、吩噻嗪、9,10-二氢-9,9-二甲基吖啶、三苯胺、4,4'-二甲基三苯胺、4,4'-二甲氧基三苯胺、2-对苯基(4-乙烯基苯基)胺、2-对甲苯基(4-乙烯基苯基)胺、2-对甲氧基苯基(4-乙烯基苯基)胺和1-萘氨基苯中的一种；优选为4,4'-二甲基二苯胺。


3.如权利要求1或2所述基于吡啶的D-A型交叉共轭聚合物的制备方法，其特征在于，通过苯胺类取代...

【专利技术属性】
技术研发人员：李忠安，孙祥浪，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42