研磨垫监测装置及监测方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种研磨垫监测装置，用于监测所述研磨垫是否划伤晶圆，研磨垫监测装置包括色差测量单元和判断单元。色差测量单元用于实时测量研磨垫表面的色差值，判断单元用于判断研磨垫是否划伤所述晶圆。当研磨垫表面的色差值大于或等于阈值时，则判定研磨垫会划伤所述晶圆。显示单元以图表的形式实时显示色差值和阈值。当所述研磨垫表面的色差值小于所述阈值时，则判定所述研磨垫不会划伤所述晶圆。在本发明专利技术提供的研磨垫监测装置中，通过色差测量单元实时测量所述研磨垫表面的色差，色差测量单元向所述判断单元实时反馈测量结果信号，进而通过所述判断单元判断所述研磨垫是否会划伤晶圆。相应的，本发明专利技术还提供一种研磨垫的监测方法。

【技术实现步骤摘要】
研磨垫监测装置及监测方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种研磨垫监测装置及监测方法。
技术介绍
多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得晶圆表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题(如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限)严重影响了大规模集成电路(LSD)的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等，但效果并不理想。直到化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolish，CMP)应用于晶圆的平坦化，使得晶圆表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。化学机械研磨是一个通过化学反应过程和机械研磨过程共同作用的工艺。通常地，在化学机械研磨过程中研磨头向晶圆背面施加一定的压力，以使晶圆正面紧贴研磨垫。所述研磨垫是粘贴于研磨盘上，当研磨盘在马达的驱动下进行旋转时，带动所述研磨垫旋转，研磨头也进行相应运动以带动晶圆运动，如此实现了晶圆和研磨垫产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨垫监测装置，其特征在于，包括：/n色差测量单元，位于所述研磨垫上方，用于实时测量所述研磨垫表面的色差值；/n判断单元，用于判断所述色差值与一阈值的大小，当所述研磨垫表面的色差值大于或等于所述阈值时，则判定所述研磨垫会划伤晶圆，当所述研磨垫表面的色差值小于所述阈值时，则判定所述研磨垫不会划伤所述晶圆；/n显示单元，以图表的形式实时显示所述色差值和所述阈值。/n

【技术特征摘要】
1.一种研磨垫监测装置，其特征在于，包括：
色差测量单元，位于所述研磨垫上方，用于实时测量所述研磨垫表面的色差值；
判断单元，用于判断所述色差值与一阈值的大小，当所述研磨垫表面的色差值大于或等于所述阈值时，则判定所述研磨垫会划伤晶圆，当所述研磨垫表面的色差值小于所述阈值时，则判定所述研磨垫不会划伤所述晶圆；
显示单元，以图表的形式实时显示所述色差值和所述阈值。


2.如权利要求1所述的监测装置，其特征在于，所述研磨垫具有若干层，所述研磨垫的最顶层与次顶层的颜色不同。


3.如权利要求1所述的监测装置，其特征在于，所述研磨垫具有若干层，所述研磨垫的最顶层被划伤时，研磨液和所述研磨垫的次顶层反应使得所述研磨垫表面产生色差。


4.如权利要求1所述的监测装置，其特征在于，所述色差值包括明度差异值、红/绿差异值和黄/蓝差异值。


5.如权利要求4所述的监测装置，其特征在于，所述色差仪为非接触式...

【专利技术属性】
技术研发人员：沙酉鹤，谢越，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31