一种超宽带低噪声放大器电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种超宽带低噪声放大器电路，其特征在于，包括集成电路U1；基极偏置电感L1连接集成电路U1的偏置参考电压Vbisa和射频输入引脚RFin之间，集电极偏置电感L2连接集成电路U1的射频输出引脚RFout和供电引脚Vcc之间；基极偏置电感L1与电容C1构成输入端T型偏置器，集电极偏置电感L2与电容C4构成输出端T型偏置器；T型偏置器连接信号输入端INPUT；输出端T型偏置器连接衰减器U2，衰减器U2经由隔直电容C5与信号输出端OUTPUT相连。本实用新型专利技术提出一种低噪声放大器，在输入级实现噪声匹配和功率匹配，不仅能达到低噪声放大器最小噪声系数NFmin而且实现功率的最大传输。

【技术实现步骤摘要】
一种超宽带低噪声放大器电路
本技术涉及一种超宽带的低噪声放大器电路。
技术介绍
低噪声放大器需要放大接收到的弱信号，要求自身产生的噪声尽量小，除了低噪声性能之外，低噪声还必须有足够的增益，来抑制接收机后续其他单元的噪声对接收机的影响。低噪声放大器包括有源器件，分别控制输入阻抗和输出阻抗的匹配网络，另外包括直流偏置网络。在进行输入匹配设计时，将信号源与芯片输入阻抗进行共轭匹配，可以获得最大功率传输，从而获得最大增益，相应的为达到最小噪声系数，必须将信号源匹配到芯片的噪声最优源阻抗，便可以使放大器达到最佳的噪声性能。
技术实现思路
本技术的目的是：提供一种应用在超宽带集成电路中的低噪声放大器，可以在输入级实现最小噪声系数和最大增益传输。为了达到上述目的，本技术的技术方案是提供了一种超宽带低噪声放大器电路，其特征在于，包括作为有源偏置的低噪声放大器的集成电路U1；基极偏置电感L1连接集成电路U1的偏置参考电压Vbisa和射频输入引脚RFin之间，集电极偏置电感L2连接集成电路U1的射频输出引脚RFout和供电引脚V本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超宽带低噪声放大器电路，其特征在于，包括作为有源偏置的低噪声放大器的集成电路U1；基极偏置电感L1连接集成电路U1的偏置参考电压Vbisa和射频输入引脚RFin之间，集电极偏置电感L2连接集成电路U1的射频输出引脚RFout和供电引脚Vcc之间；基极偏置电感L1与电容C1构成输入端T型偏置器，集电极偏置电感L2与电容C4构成输出端T型偏置器；/nT型偏置器连接信号输入端INPUT；/n输出端T型偏置器连接衰减器U2，衰减器U2经由隔直电容C5与信号输出端OUTPUT相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种超宽带低噪声放大器电路，其特征在于，包括作为有源偏置的低噪声放大器的集成电路U1；基极偏置电感L1连接集成电路U1的偏置参考电压Vbisa和射频输入引脚RFin之间，集电极偏置电感L2连接集成电路U1的射频输出引脚RFout和供电引脚Vcc之间；基极偏置电感L1与电容C1构成输入端T型偏置器，集电极偏置电感L2与电容C4构成输出端T型偏置器；
T型偏置器连接信号输入端INPUT；
输出端T型偏置器连接衰减器U2，衰减器U2经由隔直电容C5与信号输出端OUTPUT相连。


2.如权利要求1所述的一种超宽带低噪声放大器电路，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘延庆，
申请(专利权)人：上海递缇智能系统有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31