一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器制造技术

本申请公开了一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器，包括有源偏置电路、分压电路、输入匹配电路、输出匹配电路、反馈电容、反馈电阻、共栅接地电容、源极退化电感、偏置电阻、第一MOS管和第二MOS管。其中，反馈电容与反馈电阻串联构成的RC反馈电路的一端与第二MOS管的漏极电连接、另一端与第二MOS管的栅极电连接。本方案中由于RC反馈电路的存在，使得在减小额外噪声系数增加的同时，提高了稳定性，减小源极退化电感的使用，从而实现以较低噪声系数输出较高增益的低噪声放大器。

【技术实现步骤摘要】
一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器
本申请涉及电路
，更具体地说，涉及一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器。
技术介绍
低噪声放大器在各种应用场景中有着广泛的应用，其用于对较小的信号进行功率放大，得到进一步信号处理所需要的信号。然而一般的低噪声放大器的噪声系数较高且带宽一般，导致能检测出的最小信号有限，不利于高性能接收机的实现。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器，用于基于较低的噪声系数输出高性能信号。为了实现上述目的，现提出的方案如下：一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器，包括有源偏置电路、分压电路、输入匹配电路、输出匹配电路、反馈电容、反馈电阻、共栅接地电容、源极退化电感、偏置电阻、第一MOS管和第二MOS管，其中：所述有源偏置电路的偏置电压输出端与所述偏置电阻的一端连接；所述偏置电阻的另一端与所述第一MOS管的栅极电连接；所述输入匹配电路的输入端用于接收待放大的输入信号、输出端与所述第一MOS管的栅极电连接；所述第一MOS管的源极通过所述源极退化电感接地、漏极与所述第二MOS管的源极电连接；所述第二MOS管的漏极与所述输出匹配电路的输入端电连接；所述输出匹配电路的输出端用于输出所述输入信号经过放大后得到的输出信号；所述反馈电容与所述反馈电阻串联构成RC反馈电路，所述RC反馈电路的一端与所述第二MOS管的漏极电连接、另一端与所述第二MOS管的栅极电连接；所述分压电路的输入端与所述第二MOS管的漏极电连接，所述分压电路的分压信号输出端分别与所述第二MOS管的栅极、所述共栅接地电容的一端电连接；所述共栅接地电容的另一端接地。可选的，所述有源偏置电路、分压电路、所述输入匹配电路、所述输出匹配电路、所述反馈电容、所述反馈电阻、所述共栅接地电容、所述偏置电阻、所述第一MOS管和所述第二MOS管为片内结构的一部分，所述源极退化电感为片外元件。可选的，所述有源偏置电路包括第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管，其中：所述第三电阻的一端用于接收偏置驱动电压，且分别与所述第五电阻的一端、所述第六电阻的一端电连接；所述第三电阻的另一端与所述第三MOS管的漏极电连接；所述第三MOS管的栅极分别与所述第五电阻的另一端、所述第五MOS管的栅极、所述第四MOS管的漏极电连接，所述第三MOS管的源极分别与所述第四电阻的一端、所述第四MOS管的栅极电连接；所述第四电阻的另一端接地；所述第四MOS管的源极接地；所述第五MOS管的源极用于作为所述偏置电压输出端，且与所述第七电阻的一端电连接；所述第七电阻的另一端接地。可选的，所述输入匹配电路包括输入电感和输入电容，其中：所述输入电感的一端用于作为所述输入匹配电路的输入端、另一端接地；所述输入电容的一端与所述输入匹配电路的输入端电连接、另一端用于作为所述输入匹配电路的输出端。可选的，所述分压电路包括第一电阻和第二电阻，其中：所述第二电阻的一端用于作为所述分压电路的输入端、另一端作为所述分压信号输出端，且所述第二电阻的另一端与所述第一电阻的一端电连接；所述第一电阻的另一端接地。可选的，所述输出匹配电路包括第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容，其中：所述第二电感的一端用于接收输出驱动电压，所述第二电感的另一端分别与所述第一电感的一端、所述第一电容的一端、所述第二电容的一端电连接；所述第一电感的另一端用于作为所述输出匹配电路的输入端；所述第二电容的另一端接地；所述第二电容的另一端分别与所述对三电感的一端、所述第三电容的一端电连接；所述第三电容的另一端接地；所述第三电感的另一端用于作为所述输出匹配电路的输出端，且与所述第四电容的一端电连接；所述第四电容的另一端接地。从上述的技术方案可以看出，本申请公开了一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器，包括有源偏置电路、分压电路、输入匹配电路、输出匹配电路、反馈电容、反馈电阻、共栅接地电容、源极退化电感、偏置电阻、第一MOS管和第二MOS管。有源偏置电路的偏置电压输出端与偏置电阻的一端连接；偏置电阻的另一端与第一MOS管的栅极电连接；输入匹配电路的输出端与第一MOS管的栅极电连接；第一MOS管的源极通过源极退化电感接地、漏极与第二MOS管的源极电连接；输出匹配电路的输入端与第二MOS管的漏极电连接、输出端用于输出输出信号；反馈电容与反馈电阻串联构成的RC反馈电路的一端与第二MOS管的漏极电连接、另一端与第二MOS管的栅极电连接；分压电路的输入端与第二MOS管的漏极电连接、分压信号输出端与第二MOS管的栅极电连接。本方案中由于RC反馈电路的存在，使得在减小额外噪声系数增加的同时，提高了稳定性，减小源极退化电感的使用，从而实现以较低噪声系数输出较高增益的低噪声放大器。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例的一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器的电路图；图2为本申请实施例的低噪声放大器的电路版图；图3为本申请实施例的另一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器的电路图；图4为本申请实施例的又一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器的电路图；图5为本申请实施例的又一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器的电路图；图6为本申请实施例的又一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器的电路图；图7为本申请实施例的低噪声放大器的仿真信号示意图；图8为本申请实施例的低噪声放大器的仿真信号示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。实施例图1为本申请实施例的一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器的电路图。如图1所示，本实施例提供的低噪声放大器具有低噪声系数和超宽带的特点，具体包括有源偏置电路10、分压电路30、输入匹配电路20、输出匹配电路40、反馈电容C、反馈电阻R、共栅接地电容Cgate、源极退化电感Ls、偏置电阻Res、第一MOS管M1和第二MOS管M2。本申请中的MOS管可以为PMOS管或者NMOS管，可以是增强型的也可以是耗尽型，具体类型本申请不做限制，在本申请中以N型增强型MOS管为例对技术方案做详细介绍。有源偏置电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器，其特征在于，包括有源偏置电路、分压电路、输入匹配电路、输出匹配电路、反馈电容、反馈电阻、共栅接地电容、源极退化电感、偏置电阻、第一MOS管和第二MOS管，其中：/n所述有源偏置电路的偏置电压输出端与所述偏置电阻的一端连接；/n所述偏置电阻的另一端与所述第一MOS管的栅极电连接；/n所述输入匹配电路的输入端用于接收待放大的输入信号、输出端与所述第一MOS管的栅极电连接；/n所述第一MOS管的源极通过所述源极退化电感接地、漏极与所述第二MOS管的源极电连接；/n所述第二MOS管的漏极与所述输出匹配电路的输入端电连接；/n所述输出匹配电路的输出端用于输出所述输入信号经过放大后得到的输出信号；/n所述反馈电容与所述反馈电阻串联构成RC反馈电路，所述RC反馈电路的一端与所述第二MOS管的漏极电连接、另一端与所述第二MOS管的栅极电连接；/n所述分压电路的输入端与所述第二MOS管的漏极电连接，所述分压电路的分压信号输出端分别与所述第二MOS管的栅极、所述共栅接地电容的一端电连接；/n所述共栅接地电容的另一端接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器，其特征在于，包括有源偏置电路、分压电路、输入匹配电路、输出匹配电路、反馈电容、反馈电阻、共栅接地电容、源极退化电感、偏置电阻、第一MOS管和第二MOS管，其中：
所述有源偏置电路的偏置电压输出端与所述偏置电阻的一端连接；
所述偏置电阻的另一端与所述第一MOS管的栅极电连接；
所述输入匹配电路的输入端用于接收待放大的输入信号、输出端与所述第一MOS管的栅极电连接；
所述第一MOS管的源极通过所述源极退化电感接地、漏极与所述第二MOS管的源极电连接；
所述第二MOS管的漏极与所述输出匹配电路的输入端电连接；
所述输出匹配电路的输出端用于输出所述输入信号经过放大后得到的输出信号；
所述反馈电容与所述反馈电阻串联构成RC反馈电路，所述RC反馈电路的一端与所述第二MOS管的漏极电连接、另一端与所述第二MOS管的栅极电连接；
所述分压电路的输入端与所述第二MOS管的漏极电连接，所述分压电路的分压信号输出端分别与所述第二MOS管的栅极、所述共栅接地电容的一端电连接；
所述共栅接地电容的另一端接地。


2.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述有源偏置电路、分压电路、所述输入匹配电路、所述输出匹配电路、所述反馈电容、所述反馈电阻、所述共栅接地电容、所述偏置电阻、所述第一MOS管和所述第二MOS管为片内结构的一部分，所述源极退化电感为片外元件。


3.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述有源偏置电路包括第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管，其中：
所述第三电阻的一端用于接收偏置驱动电压，且分别与所述第五电阻的一端、所述第六电阻的一端电连接；
所述第三电阻的另一端与所述第三MOS管的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷华奎，董铸祥，郑金汪，钱永学，孟浩，蔡光杰，黄鑫，
申请(专利权)人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11