【技术实现步骤摘要】
电子电路、钳位电路和集成电路芯片
本申请涉及激光驱动领域，并且尤其是涉及一种电子电路，该电路用于通过欠阻尼激光驱动器、并且使用钳位来阻尼在关断激光驱动器时发生的振荡，以便生成具有期望脉冲宽度的脉冲(基于该脉冲来驱动激光二极管)。
技术介绍
诸如光检测和测距(LIDAR)飞行时间测距应用利用激光二极管(通常是红外)(该激光二极管利用脉冲驱动电流驱动)，以导致其在给定方向上发射短激光脉冲。激光脉冲由在该给定方向上的(可能的)物体反射，并且接收器接收并且读取经反射的激光脉冲。接收器以适当时间参考测量在发射激光脉冲与接收经反射的激光脉冲之间的经过时间。根据经过时间，可以评估距物体的距离。除了由本领域技术人员所已知和理解的、与该技术有关的典型挑战(例如，暗脉冲、对接收的经反射脉冲求平均，以及使用后处理获得期望精度水平)之外，还期望减小激光脉冲的脉冲宽度。例如，考虑到激光脉冲到达物体、从物体反射，并且返回到接收器的经过时间，由于光速已知并且恒定，所以可以确定距物体的距离；因此，作为数值示例，每个1ns的时间t可以与d＝2*c*t...
【技术保护点】
1.一种电子电路，其特征在于，包括：/n激光二极管，具有耦合到高压电源节点的阳极和耦合到输出节点的阴极；/n电流源，耦合在所述输出节点与接地之间，所述电流源被配置为响应于触发信号的第一逻辑状态而接通，并且将电流从所述高压电源节点汲取到接地，从而导致所述激光二极管激射，并且所述电流源被配置为响应于所述触发信号的第二逻辑状态而关断；以及/n至少一个钳位电路，耦合在所述输出节点与所述高压电源节点之间，所述至少一个钳位电路被配置为，响应于所述电流源发生从接通到关断的切换，钳位在所述输出节点处电压。/n
【技术特征摘要】
20190627 US 16/454,7171.一种电子电路，其特征在于，包括：
激光二极管，具有耦合到高压电源节点的阳极和耦合到输出节点的阴极；
电流源，耦合在所述输出节点与接地之间，所述电流源被配置为响应于触发信号的第一逻辑状态而接通，并且将电流从所述高压电源节点汲取到接地，从而导致所述激光二极管激射，并且所述电流源被配置为响应于所述触发信号的第二逻辑状态而关断；以及
至少一个钳位电路，耦合在所述输出节点与所述高压电源节点之间，所述至少一个钳位电路被配置为，响应于所述电流源发生从接通到关断的切换，钳位在所述输出节点处电压。
2.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述电流源包括：
电流生成器晶体管，具有第一导电端子、耦合到接地的第二导电端子，以及耦合到第一偏置电压的控制端子；
开关晶体管，具有第一导电端子、耦合到所述电流生成器晶体管的所述第一导电端子的第二导电端子，以及被耦合以接收所述触发信号的控制端子；以及
共源共栅晶体管，具有耦合到所述输出节点的第一导电端子、耦合到所述开关晶体管的所述第一导电端子的第二导电端子，以及耦合到第二偏置电压的栅极。
3.根据权利要求2所述的电子电路，其特征在于，
所述电流生成器晶体管包括第一n沟道晶体管，所述第一n沟道晶体管具有漏极、耦合到接地的源极，以及耦合到所述第一偏置电压的栅极；
所述开关晶体管包括第二n沟道晶体管，所述第二n沟道晶体管具有耦合到所述电流生成器晶体管的所述漏极的源极、漏极，以及被耦合以接收所述触发信号的栅极；以及
所述共源共栅晶体管包括第三n沟道晶体管，所述第三n沟道晶体管具有耦合到所述开关晶体管的所述漏极的源极、耦合到所述输出节点的漏极，以及耦合到所述第二偏置电压的栅极。
4.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述至少一个钳位电路包括：
第一二极管，具有耦合到所述输出节点的阳极和耦合到第一节点的阴极；
电阻器，耦合在所述第一节点与第二节点之间；
第二二极管，具有耦合到所述第二节点的阳极和耦合到所述高压电源节点的阴极；以及
开关晶体管，具有耦合到所述第二节点的第一导电端子、耦合到所述第一节点的第二导电端子，以及控制端子，所述控制端子通过齐纳二极管耦合到所述第二节点，并且所述控制端子通过电容耦合到所述第一节点。
5.根据权利要求4所述的电子电路，其特征在于，所述开关晶体管包括第四n沟道晶体管，所述第四n沟道晶体管具有耦合到所述第一节点的漏极、耦合到所述第二节点的源极，以及栅极，所述栅极通过所述齐纳二极管耦合到所述第二节点，并且所述栅极通过所述电容耦合到所述第一节点。
6.根据权利要求4所述的电子电路，其特征在于，所述至少一个钳位电路还包括选择晶体管，所述选择晶体管具有耦合到所述开关晶体管的所述控制端子的第一导电端子、耦合到接地的第二导电端子，以及耦合到控制信号的栅极。
7.根据权利要求6所述的电子电路，其特征在于，所述选择晶体管包括第五n沟道晶体管，所述第五n沟道晶体管具有耦合到所述开关晶体管的所述栅极的漏极、耦合到接地的源极，以及耦合到所述控制信号的栅极。
8.根据权利要求4所述的电子电路，其特征在于，所述开关晶体管的所述控制端子通过所述齐纳二极管耦合到所述第二节点，所述齐纳二极管具有耦合到所述第二节点的阳极，以及耦合到所述开关晶体管的所述控制端子的阴极。
9.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述至少一个钳位电路包括并联耦合在所述输出节点与所述高压电源节点之间的多个钳位电路，所述多个钳位电路中的每个钳位电路能够被选择以便准许启用期望数目个的所述多个钳位电路，同时所述多个钳位电路的其余钳位电路保持禁用。
10.一种钳位电路，其特征在于，包括：
第一二极管，具有耦合到输出节点的阳极，以及耦合到第一节点的阴极；
电阻器，耦合在所述第一节点与第二节点之间；
第二二极管，具有耦合到所述第二节点的阳极，以及耦合到高压电源节点的阴极；以及
开关晶体管，具有耦合到所述第二节点的第一导电端子、耦合到所述第一节点的第二导电端子，以及控制端子，所述控制端子通过齐纳二极管耦合到所述第二节点，并且所述控制端子通过电容耦合到所述第一节点。
11.根据权利要求10所述的钳位电路，其特征在于，所述开关晶体管包括第四n沟道晶体管，所述第四n沟道晶体管具有耦合到所述第一节点的漏极、耦合到所述第二节点的源极，以及栅极，所述栅极通过所述齐纳二极管耦合到所述第二节点，并且所述栅极通过所述电容耦合到所述第一节点。
12.根据权利要求10所述的钳位电路，其特征在于，还包括选择晶体管，所述选择晶体管具有耦合到所述开关晶体管的所述控制端子的第一导电端子、耦合到接地的第二导电端子，以及耦合到控制信号的栅极。
13.根据权利要求12所述的钳位电路，其特征在于，所述选择晶体管包括第五n沟道晶体管，所述第五n沟道晶体管具有耦合到所述开关晶体管的所述栅极的漏极、耦合到接地的源极，以及耦合到所述控制信号的栅极。
14.根据权利要求10所述的钳位电路，其特征在于，所述开关晶体管的所述控制端子通过所述齐纳二极管耦合到所述第二节点，所述齐纳二极管具有耦合到所述第二节点的阳极，以及耦合到所述开关晶体管的所述控制端子的阴极。
15.一种钳位电路，其特征在于，包括：
第一二极管，具有直接电连接到输出节点的阳极，以及直接电连接到第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·扎姆普罗戈诺，A·塔杰法，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：意大利;IT
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