显示基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:27947774 阅读:35 留言:0更新日期:2021-04-02 14:31
本申请公开了一种显示基板及显示装置,涉及显示技术领域。该显示基板包括衬底基板,多个像素单元,至少一条第一电源线,阻挡结构,转接结构,阴极层,以及第一有机图案。通过将转接结构在衬底基板上的正投影的第一投影区域与阻挡结构在衬底基板上的正投影不重叠,可以使得第一有机图案与阻挡结构间隔设置,从而可以减少第一电源线用于接收电源信号的一端带入的水汽通过该阻挡结构和第一有机图案引入至像素单元中,保证显示基板的良率,从而确保显示基板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示基板及显示装置
本申请涉及显示
,特别涉及一种显示基板及显示装置。
技术介绍
显示基板通常包括阵列排布在衬底基板的显示区域的多个像素单元,用于为每个像素单元提供正极电源信号的电源走线(一般称为VDD走线),以及用于为显示基板中的阴极层提供负极电源信号的电源走线(一般称为VSS走线)。电源走线在从驱动芯片的一侧进入到封装区域内时,例如从绑定区进入围堰结构靠近像素单元一侧的区域时,也即是围堰结构供电源线穿过的部分(进线口)附近时,存在将水氧引入的风险,封装的性能有待提高。
技术实现思路
本申请提供了一种显示基板及显示装置,可以改善现有技术中显示基板的水氧侵蚀的问题。所述技术方案如下:一方面,提供了一种显示基板,所述显示基板包括:衬底基板;多个像素单元,所述多个像素单元位于所述衬底基板上;至少一条第一电源线,位于所述衬底基板上;阻挡结构,所述阻挡结构围绕所述多个像素单元;转接结构,包括相对的第一侧面以及第二侧面,所述第一侧面较所述第二侧面更靠近所述多个像素单元;阴极层,位于所述转接结构远离所述衬底基板的一侧;第一有机图案,位于所述转接结构远离所述衬底基板的一侧;其中,所述至少一条第一电源线的一端位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧,用于接收电源信号,另一端位于所述阻挡结构与所述多个像素单元之间,且通过所述转接结构与所述阴极层连接;所述转接结构在所述衬底基板上的正投影包括第一投影区域和第二投影区域,所述第一投影区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影不重叠,所述第二投影区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影包括相互重叠的第一重叠区域;所述第一投影区域相对于所述第二投影区域靠近所述至少一条第一电源线用于接收所述电源信号的一端。可选的,所述至少一条第一电源线的一端位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧的中部。可选的,所述转接结构为环绕所述多个像素单元的环状结构。可选的,所述第一有机图案覆盖所述第二侧面的至少部分,且所述第一有机图案与所述至少一条第一电源线在所述衬底基板上的正投影包括相互重叠的第二重叠区域,所述第二重叠区域不与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影重叠。可选的,所述第二侧面包括所述第一有机图案和所述阻挡结构覆盖的部分。可选的,所述第二重叠区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影之间的间距大于间距阈值。可选的,所述间距阈值的范围为80微米至150微米。可选的,所述显示基板还包括:至少一条第二电源线;所述至少一条第二电源线包括第一部分和第二部分;所述第一部分位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧,用于接收电源信号;所述第二部分通过所述转接结构与所述阴极层连接;所述第二部分包括与所述转接结构连接的第一连接处和第二连接处,所述第一连接处与所述阻挡结构之间的间距大于所述第二连接处与所述阻挡结构之间的间距。可选的,所述显示基板具有绑定区域,所述绑定区域位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧;所述第一连接处相对于所述第二连接处更靠近所述绑定区域。可选的,所述显示基板还具有:位于所述多个像素单元与所述阻挡结构之间的行驱动区域;所述至少一条第一电源线在所述衬底基板上的正投影与所述行驱动区域之间的间距,大于所述至少一条第二电源线在所述衬底基板上的正投影与所述行驱动区域之间的间距。可选的,所述显示基板还包括:钝化层,覆盖所述至少一条第一电源线;所述钝化层中还设置有开口,所述转接结构靠近所述衬底基板的一侧通过所述开口与所述至少一条第一电源线连接,所述转接结构远离所述衬底基板的一侧与所述阴极层连接。可选的,所述阻挡结构包括:第一阻挡坝和第二阻挡坝;所述第一阻挡坝相对于所述第二阻挡坝远离所述多个像素单元,且所述第一阻挡坝的厚度大于所述第二阻挡坝的厚度;所述第一阻挡坝包括:沿远离所述衬底基板的方向设置的第一平坦层图案,第二平坦层图案,以及第二有机图案;所述第二阻挡坝包括:沿远离所述衬底基板的方向设置的第三平坦层图案,第三有机图案;其中,所述第二平坦层图案和所述第三平坦层图案包括相同材料,所述第一有机图案,所述第二有机图案和所述第三有机图案包括相同材料。可选的,所述阻挡结构包括:第一阻挡坝和第二阻挡坝;所述第一阻挡坝相对于所述第二阻挡坝远离所述多个像素单元,且所述第一阻挡坝的厚度大于所述第二阻挡坝的厚度;所述第一阻挡坝包括:沿远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的平坦层图案,以及第二有机图案;所述第二阻挡坝包括:在所述衬底基板上设置的第三有机图案;其中,所述第一有机图案,所述第二有机图案和所述第三有机图案包括相同材料。可选的,第一阻挡坝还包括:设置在所述第二有机图案远离所述衬底基板一侧的第四有机图案;所述第二阻挡坝还包括:设置在所述第三有机图案远离所述衬底基板一侧的第五有机图案;所述第四有机图案和所述第五有机图案包括相同材料。可选的,所述阻挡结构包括:第一阻挡坝和第二阻挡坝;所述第一阻挡坝相对于所述第二阻挡坝远离所述多个像素单元,且所述第一阻挡坝的厚度大于所述第二阻挡坝的厚度;所述第一有机图案包括与所述第二阻挡坝直接接触的部分。可选的,所述显示基板中的第二电源线包括:环绕所述多个像素单元所在区域的直边部分以及弧状部分;所述第一有机图案中与所述第二阻挡坝直接接触的部分在所述衬底基板上的正投影,位于所述弧状部分在所述衬底基板上的正投影内。可选的,所述第二电源线的第二部分包括:环绕所述多个像素单元所在区域的所述直边部分以及所述弧状部分。可选的,所述第一阻挡坝为第一环形,所述第二阻挡坝为第二环形;所述第一有机图案,与所述第三有机图案中的部分图案围成第三环形,所述第三环形在所述衬底基板上的正投影,位于所述第二环形在所述衬底基板上的正投影内,所述第二环形在所述衬底基板上的正投影,位于所述第一环形在所述衬底基板上的正投影内;其中,所述第三环形围绕所述多个像素单元。可选的,所述至少一条第一电源线包括:第一金属层;所述显示基板还包括:位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧的辅助金属层;所述辅助金属层远离所述第一金属层的一侧与所述转接结构接触,且所述辅助金属层在所述衬底基板上的正投影与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影不重叠。可选的,所述显示基板中的所述第一金属层,钝化层,第一平坦层图案,所述辅助金属层,第二平坦层图案,以及所述第一有机图案沿远离所述衬底基板的方向层叠设置。可选的,所述至少一条第一电源线包括:沿远离所述衬底基板的方向设置的第一金属层和第二金属层;所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧与所述转接结构接触。可选的,所述显示基板中的所述第一金属层,第一平坦层图案,所述第二金属层,钝化层,第二平坦层图案,以及所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板,包括:/n衬底基板;/n多个像素单元,所述多个像素单元位于所述衬底基板上;/n至少一条第一电源线,位于所述衬底基板上;/n阻挡结构,所述阻挡结构围绕所述多个像素单元;/n转接结构,包括相对的第一侧面以及第二侧面,所述第一侧面较所述第二侧面更靠近所述多个像素单元;/n阴极层,位于所述转接结构远离所述衬底基板的一侧;/n第一有机图案,位于所述转接结构远离所述衬底基板的一侧;/n其中,所述至少一条第一电源线的一端位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧,用于接收电源信号,另一端位于所述阻挡结构与所述多个像素单元之间,且通过所述转接结构与所述阴极层连接;/n所述转接结构在所述衬底基板上的正投影包括第一投影区域和第二投影区域,所述第一投影区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影不重叠,所述第二投影区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影包括相互重叠的第一重叠区域;/n所述第一投影区域相对于所述第二投影区域靠近所述至少一条第一电源线用于接收所述电源信号的一端。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种显示基板,包括:
衬底基板;
多个像素单元,所述多个像素单元位于所述衬底基板上;
至少一条第一电源线,位于所述衬底基板上;
阻挡结构,所述阻挡结构围绕所述多个像素单元;
转接结构,包括相对的第一侧面以及第二侧面,所述第一侧面较所述第二侧面更靠近所述多个像素单元;
阴极层,位于所述转接结构远离所述衬底基板的一侧;
第一有机图案,位于所述转接结构远离所述衬底基板的一侧;
其中,所述至少一条第一电源线的一端位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧,用于接收电源信号,另一端位于所述阻挡结构与所述多个像素单元之间,且通过所述转接结构与所述阴极层连接;
所述转接结构在所述衬底基板上的正投影包括第一投影区域和第二投影区域,所述第一投影区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影不重叠,所述第二投影区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影包括相互重叠的第一重叠区域;
所述第一投影区域相对于所述第二投影区域靠近所述至少一条第一电源线用于接收所述电源信号的一端。


根据权利要求1所述的显示基板,
所述至少一条第一电源线的一端位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧的中部。


根据权利要求1或2所述的显示基板,所述转接结构为环绕所述多个像素单元的环状结构。


根据权利要求1至3任一所述的显示基板,
所述第一有机图案覆盖所述第二侧面的至少部分,且所述第一有机图案与所述至少一条第一电源线在所述衬底基板上的正投影包括相互重叠的第二重叠区域,所述第二重叠区域不与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影重叠。


根据权利要求4所述的显示基板,所述第二侧面包括被所述第一有机图案和所述阻挡结构覆盖的部分。


根据权利要求4或5所述的显示基板,
所述第二重叠区域与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影之间的间距大于间距阈值。


根据权利要求6所述的显示基板,
所述间距阈值的范围为80微米至150微米。


根据权利要求1至7任一所述的显示基板,所述显示基板还包括:至少一条第二电源线;所述至少一条第二电源线包括第一部分和第二部分;
所述第一部分位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧,用于接收电源信号;
所述第二部分通过所述转接结构与所述阴极层连接;
所述第二部分包括与所述转接结构连接的第一连接处和第二连接处,所述第一连接处与所述阻挡结构之间的间距大于所述第二连接处与所述阻挡结构之间的间距。


根据权利要求8所述的显示基板,所述显示基板具有绑定区域,所述绑定区域位于所述阻挡结构远离所述多个像素单元的一侧;
所述第一连接处相对于所述第二连接处更靠近所述绑定区域。


根据权利要求8所述的显示基板,所述显示基板还具有:位于所述多个像素单元与所述阻挡结构之间的行驱动区域;
所述至少一条第一电源线在所述衬底基板上的正投影与所述行驱动区域之间的间距,大于所述至少一条第二电源线在所述衬底基板上的正投影与所述行驱动区域之间的间距。


根据权利要求1至10任一所述的显示基板,所述显示基板还包括:
钝化层,覆盖所述至少一条第一电源线;
所述钝化层中还设置有开口,所述转接结构靠近所述衬底基板的一侧通过所述开口与所述至少一条第一电源线连接,所述转接结构远离所述衬底基板的一侧与所述阴极层连接。


根据权利要求1至11任一所述的显示基板,所述阻挡结构包括:第一阻挡坝和第二阻挡坝;
所述第一阻挡坝相对于所述第二阻挡坝远离所述多个像素单元,且所述第一阻挡坝的厚度大于所述第二阻挡坝的厚度;
所述第一阻挡坝包括:沿远离所述衬底基板的方向设置的第一平坦层图案,第二平坦层图案,以及第二有机图案;
所述第二阻挡坝包括:沿远离所述衬底基板的方向设置的第三平坦层图案,第三有机图案;
其中,所述第二平坦层图案和所述第三平坦层图案包括相同材料,所述第一有机图案,所述第二有机图案和所述第三有机图案包括相同材料。


根据权利要求1至11任一所述的显示基板,所述阻挡结构包括:第一阻挡坝和第二阻挡坝;
所述第一阻挡坝相对于所述第二阻挡坝远离所述多个像素单元,且所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:龙跃黄炜赟曾超黄耀李孟
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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