显示面板制造方法技术

本发明专利技术公开了一种显示面板制造方法。显示面板制造方法包括以下步骤：提供具有像素电路分布区域和至少部分地围绕像素电路分布区域的外围区域的阵列基板，阵列基板包括基底、在基底上且位于像素电路分布区域的像素电路、在基底上且位于外围区域的绑定线、以及覆盖像素电路分布区域且露出像素电路的连接电极的平坦化层；在阵列基板的外围区域且背离基底的一侧形成刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层覆盖绑定线；在阵列基板的像素电路分布区域且背离基底的一侧形成第一电极；去除刻蚀阻挡层，以露出绑定线。根据本发明专利技术的实施例，能改善显示面板的信赖性测试通过率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板制造方法
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种显示面板制造方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示可具有视角宽、驱动电压低、响应速度快、发光色彩丰富、可实现大面积柔性显示等优点，是目前被广泛关注的显示技术之一。有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示技术是起源于OLED的一种显示技术，其具有自发光、功耗低、可实现更大尺寸化等特点，在显示
得到了高度重视。随着AMOLED显示技术的发展，用户对显示装置的性能的要求也提出了较高的要求。因此，仍需提供一种显示面板制造方法，来改善显示面板的信赖性。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板制造方法，旨在改善显示面板的信赖性测试通过率。为了实现上述目的，本专利技术提供一种显示面板制造方法，其包括以下步骤：提供具有像素电路分布区域和至少部分地围绕像素电路分布区域的外围区域的阵列基板，阵列基板包括基底、在基底上且位于像素电路分布区域的像素电路、在基底上且位于外围区域的绑定线、以及覆盖像素电路分布区域且露出像素电路的连接电极的平坦化层；在阵列基板的外围区域且背离基底的一侧形成刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层覆盖绑定线；在阵列基板的像素电路分布区域且背离基底的一侧形成第一电极；去除刻蚀阻挡层，以露出绑定线。在本专利技术的任一实施方式中，刻蚀阻挡层为覆盖外围区域的连续膜层；或者，刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡部，刻蚀阻挡部覆盖绑定线。在本专利技术的任一实施方式中，刻蚀阻挡层为晶化的氧化铟锡层。在本专利技术的任一实施方式中，刻蚀阻挡层的厚度为100埃米～在本专利技术的任一实施方式中，形成第一电极的步骤中，第一电极包括依次层叠设置的第一氧化铟锡导电部、银基导电部和第二氧化铟锡导电部。在本专利技术的任一实施方式中，形成刻蚀阻挡层的步骤，包括：在阵列基板的像素电路分布区域和外围区域且背离基底的一侧表面形成第一氧化铟锡层，第一氧化铟锡层穿过平坦化层与连接电极电连接；图案化第一氧化铟锡层，形成图案化氧化铟锡层，图案化氧化铟锡层包括与连接电极电连接的第一部分以及覆盖绑定线的第二部分；对图案化氧化铟锡层进行晶化处理，以使第一部分形成第一氧化铟锡导电部，且使第二部分形成刻蚀阻挡层。在本专利技术的任一实施方式中，在对图案化氧化铟锡层进行晶化处理之后，形成第一电极，包括：在晶化处理后的图案化氧化铟锡层背离基底的一侧形成银基金属层；在银基金属层背离基板的一侧形成第二氧化铟锡层；对银基金属层和第二氧化铟锡层进行图案化处理，以在第一氧化铟锡导电部上形成银基导电部和氧化铟锡部；对氧化铟锡部进行晶化处理，以形成第二氧化铟锡导电部，得到第一电极。在本专利技术的任一实施方式中，晶化处理的温度为200℃～400℃。在本专利技术的任一实施方式中，在去除刻蚀阻挡层之后，包括：在第一电极背离基底的一侧形成有机薄膜层，有机薄膜层包括有机发光层。在本专利技术的任一实施方式中，像素电路包括驱动晶体管，连接电极为驱动晶体管的源极或漏极。根据本专利技术的显示面板制造方法，使设置于阵列基板外围区域的绑定线在刻蚀阻挡层的保护下，在像素电路分布区域形成第一电极，由此能避免第一电极制程中发生第一电极材料与绑定线材料之间的化学反应，从而减少诸如银络合物等反应产物的残留现象。因此，所得显示面板在信赖性测试(例如RA测试)过程中，因银络合物等导致的水氧入侵及线路短接问题得到有效改善，从而能提高显示面板的信赖性测试(例如RA测试)通过率。附图说明通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。图1是显示面板的平面示意图。图2是显示面板非显示区NA的走线或驱动元件之间的短接示意图。图3是根据本专利技术实施例的显示面板制造方法的流程图。图4是根据本专利技术实施例的显示面板制造方法中阵列基板的平面示意图。图5是图4的阵列基板的剖视结构示意图。图6是根据本专利技术实施例的显示面板制造方法中形成刻蚀阻挡层的步骤图。图7是根据本专利技术实施例的显示面板制造方法中形成第一电极的步骤图。图8是根据本专利技术实施例的显示面板制造方法中形成第一电极层的步骤图。图9是根据本专利技术实施例的显示面板制造方法中形成第一氧化铟锡层的步骤图。图10是根据本专利技术实施例的显示面板制造方法中形成图案化第一氧化铟锡层的步骤图。图11是根据本专利技术实施例的显示面板制造方法中形成刻蚀阻挡层的步骤图。图12是根据本专利技术实施例的显示面板制造方法中形成银基金属层和第二氧化铟锡层的步骤图。图13是根据本专利技术实施例的显示面板制造方法中形成第一电极的步骤图。图14是根据本专利技术实施例的显示面板制造方法中去除刻蚀阻挡层的步骤图。图15是根据本专利技术实施例的显示面板制造方法中形成其它功能层的步骤图。具体实施方式下面将详细描述本专利技术的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本专利技术进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本专利技术，并不被配置为限定本专利技术。对于本领域技术人员来说，本专利技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本专利技术的示例来提供对本专利技术更好的理解。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。显示面板是显示装置实现显示功能的关键结构。图1是作为一个示例的显示面板的平面示意图。参照图1，显示面板通常包括显示区AA(Activearea)和非显示区NA。在显示区AA形成阵列排布的发光单元。发光单元用于发光，以显示图像信息。作为示例，发光单元可以是基于有机电激发光显示技术的有机发光单元。在该示例中，每个发光单元可包括OLED和用于驱动OLED发光的像素电路PC，以及本领域已知的其它可选模块。在非显示区NA可以布置本领域已知的各种走线和驱动元件等。在相关技术中，非显示区NA的一些走线可以为包含铝(Al)的金属线。例如，钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)复合层结构的金属线。通常是先形成这些走线，再形成OLED的第一电极(例如阳极)。通常先整面镀第一电极层，再使用刻蚀液图案化刻蚀第一电极层，得到第一电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供具有像素电路分布区域和至少部分地围绕所述像素电路分布区域的外围区域的阵列基板，所述阵列基板包括基底、在所述基底上且位于所述像素电路分布区域的像素电路、在所述基底上且位于所述外围区域的绑定线、以及覆盖所述像素电路分布区域且露出所述像素电路的连接电极的平坦化层；/n在所述阵列基板的所述外围区域且背离所述基底的一侧形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述绑定线；/n在所述阵列基板的所述像素电路分布区域且背离所述基底的一侧形成第一电极；/n去除所述刻蚀阻挡层，以露出所述绑定线。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供具有像素电路分布区域和至少部分地围绕所述像素电路分布区域的外围区域的阵列基板，所述阵列基板包括基底、在所述基底上且位于所述像素电路分布区域的像素电路、在所述基底上且位于所述外围区域的绑定线、以及覆盖所述像素电路分布区域且露出所述像素电路的连接电极的平坦化层；
在所述阵列基板的所述外围区域且背离所述基底的一侧形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述绑定线；
在所述阵列基板的所述像素电路分布区域且背离所述基底的一侧形成第一电极；
去除所述刻蚀阻挡层，以露出所述绑定线。


2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为覆盖所述外围区域的连续膜层；或者，所述刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡部，所述刻蚀阻挡部覆盖所述绑定线。


3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为晶化的氧化铟锡层。


4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度为100埃米～400埃米。


5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述形成第一电极的步骤中，所述第一电极包括依次层叠设置的第一氧化铟锡导电部、银基导电部和第二氧化铟锡导电部。


6.根据权利要求1或5所述的制造方法，其特征在于，所述形成刻蚀阻挡层的步骤，包括：
在所述阵列基板的所述像素电路分布区域和...

【专利技术属性】
技术研发人员：任腾，孙洋，王石，陶肖朋，王金钊，
申请(专利权)人：合肥维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34