【技术实现步骤摘要】
一种气体压力调节装置
本技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种气体压力调节装置。
技术介绍
在半导体制造工艺流程中,需要在晶圆上沉积各种薄膜以形成半导体结构。沉积薄膜的方法有多种,化学气相沉积是其中较为常见的一种方法。化学气相沉积是将反应气体输送到高温沉积炉管,使其与炉管内的晶圆在一定条件下发生化学反应,以此在晶圆表面沉积一层薄膜。申请号为CN201520248650.8的专利提供一种沉积炉管,至少包括:外管、设置于所述外管内的内管以及设置于所述内管内的晶舟,其中,所述外管上设置有送气口及排气口,所述内管的底部开口,所述内管的顶部设置有引导气流的孔筛。然而由于沉积炉都是在高温情况作业,因此需要气体压力调节阀调解前端炉腔压力的功能,上述专利中缺少此种装置,因此在现有技术的基础上,本专利进行了改进。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种气体压力调节装置。为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:一种气体压力调节装置,包括沉积炉,所述沉积炉的 ...
【技术保护点】
1.一种气体压力调节装置,包括沉积炉(1),其特征在于,所述沉积炉(1)的顶部固定安装有出气管(4),出气管(4)的顶部固定安装有安装箱(10),所述出气管(4)内活动安装有活动杆(5),活动杆(5)的一端固定套接有位于出气管(4)内的且与出气管(4)相适配的活塞(2),活塞(2)为锥形设置,活动杆(5)的另一端延伸至安装箱(10)内的被挤压板(6),所述安装箱(10)的一侧开设有转孔,转孔内转动安装有圆杆(11),圆杆(11)的两端均延伸至转孔外且一端延伸盒至安装箱(10)内且固定套接有圆盘(9),圆盘(9)位于被挤压板(6)的上方。/n
【技术特征摘要】
1.一种气体压力调节装置,包括沉积炉(1),其特征在于,所述沉积炉(1)的顶部固定安装有出气管(4),出气管(4)的顶部固定安装有安装箱(10),所述出气管(4)内活动安装有活动杆(5),活动杆(5)的一端固定套接有位于出气管(4)内的且与出气管(4)相适配的活塞(2),活塞(2)为锥形设置,活动杆(5)的另一端延伸至安装箱(10)内的被挤压板(6),所述安装箱(10)的一侧开设有转孔,转孔内转动安装有圆杆(11),圆杆(11)的两端均延伸至转孔外且一端延伸盒至安装箱(10)内且固定套接有圆盘(9),圆盘(9)位于被挤压板(6)的上方。
2.根据权利要求1所述的一种气体压力调节装置,其特征在于,所述安装箱(10)的一侧沿水平方向上开设有通孔,通孔内活动安装有拉杆(13),拉杆(13)的两端均延伸至通孔外且一端延伸至安装箱(10)内且固定安装有齿条(7),所述圆杆(11)上固定套接有位于安装箱(10)内的齿轮(8),齿轮(8)与齿条(7)相啮合,拉杆(13)的另一端固定安装有把手(15)。
3.根据权利要求1所述的一种气体压力调节装置,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴桂星,
申请(专利权)人:湖州新奥利吸附材料有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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