清洗液、清洗方法和半导体晶片的制造方法技术

本发明专利技术涉及清洗液，其包含成分(A)：下述通式(1)所表示的化合物、成分(B)：烷基胺、成分(C)：多元羧酸、成分(D)：抗坏血酸，其中，成分(A)的质量相对于成分(B)和成分(C)的合计质量之比为1～15。(所述通式(1)中，R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洗液、清洗方法和半导体晶片的制造方法
本专利技术涉及清洗液。本专利技术还涉及清洗方法。本专利技术进一步涉及半导体晶片的制造方法。
技术介绍
半导体晶片如下制造：在硅基板上形成成为布线的金属膜或层间绝缘膜的堆积层后，通过使用由包含研磨微粒的水系浆料形成的研磨剂的化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing。以下有时简称为“CMP”)工序进行表面的平坦化处理，在平坦的面上堆积新的层，由此来制造半导体晶片。半导体晶片的微细加工中，各层中需要保持高精度的平坦性，利用CMP的平坦化处理的重要性非常高。在近年来的半导体器件制造工序中，为了实现器件的高速化、高集成化，导入了由电阻值低的铜膜形成的铜布线。铜的加工性良好，因此适于微细加工。另一方面，铜容易被酸成分或碱成分所腐蚀，因此在CMP工序中，铜布线的氧化或腐蚀成为课题。由于在CMP工序后的半导体晶片的表面存在大量的在CMP工序中使用的胶态二氧化硅等微粒或来自浆料中所包含的防腐蚀剂的有机残渣等，因此为了除去这些成分，将CMP工序后的半导体晶片供于清洗工序。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洗液，其包含下述成分(A)～成分(D)，其中，成分(A)的质量相对于成分(B)与成分(C)的合计质量之比为1～15，/n成分(A)：下述通式(1)所表示的化合物，/n[化1]/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180830 JP 2018-1610771.一种清洗液，其包含下述成分(A)～成分(D)，其中，成分(A)的质量相对于成分(B)与成分(C)的合计质量之比为1～15，
成分(A)：下述通式(1)所表示的化合物，
[化1]



所述通式(1)中，R1表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，R2表示羧基、羰基、具有酯键的官能团、氢原子或碳原子数1～4的烷基，R3表示乙酰基、氢原子或碳原子数1～4的烷基；
成分(B)：烷基胺；
成分(C)：多元羧酸；
成分(D)：抗坏血酸。


2.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述成分(C)的质量相对于所述成分(B)的质量之比为1～15。


3.如权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述成分(A)包含选自由组氨酸和组氨酸的衍生物组成的组中的至少一种。


4.如权利要求1～3中任一项所述的清洗液，其中，所述成分(B)包含烷基二胺。


5.如权利要求4所述的清洗液，其中，所述烷基二胺包含选自由1,2-二氨...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田俊明，河瀬康弘，原田宪，伊藤笃史，草野智博，竹下祐太朗，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP