四核中性铜(I)络合物制造技术

本发明专利技术涉及具有立方烷状结构的式(A)：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】四核中性铜(I)络合物本专利技术涉及具有立方烷状结构的四核中性铜(I)络合物，其中所述络合物包含带有一个或多个醛或酯基团的膦配体。此外，本专利技术涉及产生这样的铜(I)络合物的方法及其用途。今天，用于光化学应用的化合物对于各种应用而言是感兴趣的。例如这样的化合物用于光电子器件作为热塑性模制物中的稳定剂和用于改变材料如聚合物组合物中的材料的光透射。对于上述应用来说，感兴趣的是提供具有良好光物理性能的化学上和物理上稳定的化合物。具有立方烷状结构的四核中性铜(I)络合物已经被认为是用于化学合成的核结构(参见Churchill和Karla，Inorg.Chem.，1974，13：1899-1904)。还已经考虑了将具有这样的进一步包含膦配体的立方烷状核结构的化合物用于光化学用途。三芳基膦基配体如三苯基膦基配体是广泛使用的，虽然已经发现对于许多应用来说是不够的，并且具有相当低的化学挠性。已经进行了各种尝试来用一个或多个脂族残基如丙烯基残基(Perruchas等，J.AmChem.Soc.，2010，132：10967-10969)或丙基残基(参见Perruchas本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种式(A)的铜(I)络合物：/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180620 EP 18178819.11.一种式(A)的铜(I)络合物：



其中：
每个Cu是铜(I)；
每个X彼此独立地是卤素；
每个L彼此独立地是具有式(A1)的结构的配体：
P(Ar)m(CHR2-CHR1-CO-Y-Rx)n(A1)，
其中：
P是磷；
每个Ar彼此独立地是未取代的或取代的芳基残基；
每个R1彼此独立地是氢、-Ra-Rb、-O-Rb、-Ra-CO-O-Rb、-Ra-O-CO-Rb、-Ra-O-Rb、-Ra-CO-NH-Rb、-Ra-NH-CO-Rb、-Ra-NH-Rb、-Ra-CO-Rb、氘或卤素；
每个R2彼此独立地是氢、-O-Rb、-Ra-Rb、-Ra-CO-O-Rb、-Ra-O-CO-Rb、-Ra-O-Rb、-Ra-CO-NH-Rb、-Ra-NH-CO-Rb、-Ra-NH-Rb或-Ra-CO-Rb、氘或卤素；
Y是O、NH或到残基Rx的碳原子上的键，或结合到两个独立的Rx上的N，优选其中Y是O或到残基Rx的碳原子上的键；
Rx是包含1-30个碳原子的未取代的或取代的烃残基、聚合物结构部分或固体载体，其中Rx可以任选地是或有助于将两个配体L彼此互连的连接体；
m是整数0-2；
n是整数1-3；
n和m之和是3；
Ra在每次出现时彼此独立地是单键、未取代的或取代的C1-C20-(杂)亚烷基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)亚烯基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)亚炔基残基、未取代的或取代的C1-C20-(杂)环亚烷基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)环亚烯基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)环亚炔基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)亚芳基残基、或未取代的或取代的C2-C20-烷(杂)亚芳基残基；和
Rb在每次出现时彼此独立地是未取代的或取代的C1-C20-(杂)烷基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)烯基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)炔基残基、未取代的或取代的C1-C20-(杂)环烷基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)环烯基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)环炔基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)芳族残基、或未取代的或取代的C2-C20-烷(杂)芳族残基，
其中所述磷结合到Cu上，和
其中所述铜(I)络合物具有中性净电荷。


2.根据权利要求1所述的铜(I)络合物，其中每个X是碘。


3.根据权利要求1或2中任一项所述的铜(I)络合物，其中每个配体L是相同种类的单价配体。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的铜(I)络合物，其中每个L彼此独立地是式(A2)的二芳基膦残基：
P(Ar)m(CHR2-CHR1-CO-Y-R13)n(A2)，
其中：
R13是-Ra-Rb、-Rc-CO-O-Rb、-Rc-O-CO-Rb、-Rc-O-Rb、-Rc-CO-NH-Rb、-Rc-NH-CO-Rb、-Rc-NH-Rb、-Rc-CO-Rb、二乙二醇或聚乙二醇、二丙二醇或聚丙二醇、聚合物结构部分或固体载体；和
Rc在每次出现时彼此独立地是未取代的或取代的C1-C20-(杂)亚烷基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)亚烯基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)亚炔基残基、未取代的或取代的C1-C20-(杂)环亚烷基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)环亚烯基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)环亚炔基残基、未取代的或取代的C2-C20-(杂)亚芳基残基、或未取代的或取代的C2-C20-烷(杂)亚芳基残基，
P、Ar、R1、R2、Y、Ra、Rb、m和n如权利要求1中所定义，和
其中所述磷结合到Cu上。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的铜(I)络合物，其中每个L是式(A4)的二苯基膦残基：



其中P、R1、R2、Y、R13、Ra、Rb和Rc如权利要求1或4中任一项所定义，和其中：
R3至R12彼此独立地选自氢、C1-C18-烷基残基和C1-C12-烷氧基残基，和
其中所述磷结合到Cu上。


6.根据权利要求1或2中任一项所述的铜(I)络合物，其中两个配体L彼此互连，由此形成二价配体。


7.根据权利要求1、2或6中任一项所述的铜(I)络合物，其中两个L彼此互连，由此形成式(A3)的二价配体：



其中：
o和o’是相同或不同的，并且彼此独立地是整数0-2；
p和p’是相同或不同的，并且彼此独立地是整数0-2；
o和p之和是2，并且o’和p’之和是2；
R1和R1’是相同或不同的，并且彼此独立地选自氢、-Ra-Rb、-Ra-CO-O-Rb、-Ra-O-CO-Rb、-Ra-O-Rb、-Ra-CO-NH-Rb、-Ra-NH-CO-Rb、-Ra-NH-Rb和-Ra-CO-Rb；
R2和R2’是相同或不同的，并且彼此独立地选自氢、-Ra-Rb、-Ra-CO-O-Rb、-Ra-O-CO-Rb、-Ra-O-Rb、-Ra-CO-NH-Rb、-Ra-NH-CO-Rb、-Ra-NH-Rb和-Ra-CO-Rb；
Y和Y’是相同或不同的，并且彼此独立地选自O和到残基Rx的碳原子上的单键；
R14是包含1-30个碳原子的二价连接体；
R15是-Ra-Rb、-Rc-CO-O-Rb、-Rc-O-CO-Rb、-Rc-O-Rb、-Rc-CO-NH-Rb、-Rc-NH-CO-Rb、-Rc-NH-Rb、-Rc-CO-Rb、二乙二醇或聚乙二醇、二丙二醇或聚丙二醇、聚合物结构部分或固体载体；
P、Ar、Ra、Rb和Rc如权利要求1中所定义，
其中磷各自结合到Cu上。


8.根据权利要求1、2、6或7中任一项所述的铜(I)络合物，其中两个L彼此互连，由此形成式(A5)的二价配体：



其中：
R3至R12和R3’至R12’彼此独立地选自氢、C1-C18-烷基残基和C1-C12-烷氧基残基；和
R14选自-Rc-、-Ra-O-Ra-、二乙二醇或聚乙二醇连接体、二丙二醇或聚丙二醇连接体、-Rc-CO-O-Rc-、-Rc-CO-O-Rc-O-CO-Rc-、-Rc-O-CO-Rc-、-Rc-O-CO-Rc-CO-O-Ra-、-Rc-CO-NH-Rc-、-Rc-CO-...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·比塞萨尔，S·贝勒明拉蒙纳兹，P·斯特法纳特，
申请(专利权)人：科莱恩国际有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH