用于摄像头的减躁系统、方法及计算机可读存储介质技术方案

本发明专利技术提供了一种用于摄像头的减躁系统、方法及计算机可读存储介质，减躁系统包括CMOS图像传感器，还包括：温度传感器，检测CMOS图像传感器的温度；半导体制冷芯片，吸收CMOS图像传感器生成的热量，并将热量消散至CMOS图像传感器外部；控制芯片，自温度传感器接收CMOS图像传感器的温度，且内置有一第一温度阈值，当CMOS图像传感器的温度高于第一温度阈值时，控制芯片形成一启动指令，当CMOS图像传感器的温度低于或等于第一温度阈值时，控制芯片形成一停止指令；驱动模块，分别与控制芯片和半导体制冷芯片电连接，接收启动指令或停止指令，以驱动半导体制冷芯片工作或关闭。采用上述技术方案后，一方面可降低摄像头的噪音，另一方面可提高摄像头的高感性能。

【技术实现步骤摘要】
用于摄像头的减躁系统、方法及计算机可读存储介质
本专利技术涉及智能设备领域，尤其涉及一种用于摄像头的减躁系统、方法及计算机可读存储介质。
技术介绍
随着智能终端的快速普及，用户使用智能终端进行日常操作已是非常常见的现象。尤其以用户日益增长的使用智能终端拍摄照片、摄像影片的需求为突出。为满足上述需求，智能终端内装载的摄像头数量越来越多，硬件条件越来越好。因此，在智能终端进行拍摄过程时，由于摄像头的工作而带来的振动，引发了摄像头的大量噪声。由于摄像头内使用CMOS图像传感器时，这些噪声情况尤为严重，从而成为限制CMOS图像传感器占领市场的重要因素之一。CMOS图像传感器的主要噪声来源有像素光敏单元的光电二极管、场效应管及图像传感器工作时产生的其它噪声。其中光电二极管产生的噪声有热噪声、散粒噪声、产生复合噪声及电流噪声。MOS场效应管，包括放大器中的场效应管和用于行列选址模拟开关的场效应管，引起的噪声主要有热噪声，诱生栅极噪声及电流噪声。而光敏阵列和MOS场效应管构成的CMOS图像传感器在工作中，还会引进其它的噪声，比如复位噪声(KTC噪声)和空间噪声等。热噪声是由于光电器件中电子的随机热振动产生的，存在于任何电子器件和电阻中，比如场效应管的导电沟道电阻。在场效应管中，电子的随机运动导致沟道电势的起伏，栅极电压的波动，从而产生热噪声。因此，需要一种新型的用于摄像头的减躁系统，在用户使用智能终端拍摄照片时，可降低摄像头工作产生的噪音。
技术实现思路
为了克服上述技术缺陷，本专利技术的目的在于提供一种用于摄像头的减躁系统、方法及计算机可读存储介质，一方面可降低摄像头的噪音，另一方面可提高摄像头的高感性能。本专利技术公开了一种用于摄像头的减躁系统，包括设于摄像头内的CMOS图像传感器，减躁系统还包括：温度传感器，设于摄像头的底板上，以检测CMOS图像传感器的温度；半导体制冷芯片，与CMOS图像传感器传导接触，吸收CMOS图像传感器生成的热量，并将热量消散至CMOS图像传感器外部；控制芯片，与温度传感器及半导体制冷芯片电连接，自温度传感器接收CMOS图像传感器的温度，且控制芯片内置有一第一温度阈值，当CMOS图像传感器的温度高于第一温度阈值时，控制芯片形成一启动指令，当CMOS图像传感器的温度低于或等于第一温度阈值时，控制芯片形成一停止指令；驱动模块，分别与控制芯片和半导体制冷芯片电连接，接收启动指令或停止指令，以驱动半导体制冷芯片工作或关闭。优选地，减躁系统还包括：第一导热元件，设于摄像头的底板旁相对于CMOS图像传感器的一侧，并沿底板的径向延伸；第二导热元件，设于CMOS图像传感器的旁侧；半导体制冷芯片的两端面分别紧贴于第一导热元件和第二导热元件，并设于第一导热元件上延伸而出部分上与CMOS图像传感器的同侧。优选地，半导体制冷芯片的一端面紧贴于CMOS图像传感器；减躁系统还包括：第三导热元件，紧贴于半导体制冷芯片上相对于CMOS图像传感器的另一端面，且第三导热元件沿底板的径向延伸。优选地，控制芯片检测摄像头的工作状态，当摄像头停止工作时，控制芯片关断自温度传感器接收CMOS图像传感器的温度的监控链路，当摄像头启动工作时，控制芯片连通自温度传感器接收CMOS图像传感器的温度的监控链路；控制芯片还内置有一高于第一温度阈值的第二温度阈值，并对第一温度阈值与第二温度阈值间的每一温度赋予一控制权重；当CMOS图像传感器的温度高于第一温度阈值并低于第一温度阈值时，控制芯片形成的启动指令包括启动命令及控制权重，并发送至驱动模块；驱动模块基于启动命令及控制权重，启动半导体制冷芯片，并调节半导体制冷芯片的工作电流。优选地，控制芯片检测摄像头的工作状态，当摄像头处于拍摄预览状态时，控制芯片形成第一控制电流，当摄像头处于拍摄状态时，控制芯片形成第二控制电流，其中第二控制电流为半导体制冷芯片的额定电流，且大于第一控制电流。本专利技术还公开了一种用于摄像头的减躁方法，包括以下步骤：设于摄像头的底板上的温度传感器检测设于摄像头内的CMOS图像传感器的温度；与温度传感器电连接的控制芯片自温度传感器接收CMOS图像传感器的温度，且控制芯片内置有一第一温度阈值；当CMOS图像传感器的温度高于第一温度阈值时，控制芯片形成一启动指令，当CMOS图像传感器的温度低于或等于第一温度阈值时，控制芯片形成一停止指令；与控制芯片电连接的驱动模块，接收启动指令或停止指令；分别与控制芯片及驱动模块电连接的半导体制冷芯片，受驱动模块驱动，吸收CMOS图像传感器生成的热量，并将热量消散至CMOS图像传感器外部。优选地，减躁方法还包括：控制芯片检测摄像头的工作状态，当摄像头停止工作时，控制芯片关断自温度传感器接收CMOS图像传感器的温度的监控链路，当摄像头启动工作时，控制芯片连通自温度传感器接收CMOS图像传感器的温度的监控链路；控制芯片还内置有一高于第一温度阈值的第二温度阈值，并对第一温度阈值与第二温度阈值间的每一温度赋予一控制权重；当CMOS图像传感器的温度高于第一温度阈值并低于第一温度阈值时，控制芯片形成的启动指令包括启动命令及控制权重，并发送至驱动模块；驱动模块基于启动命令及控制权重，启动半导体制冷芯片，并调节半导体制冷芯片的工作电流。优选地，减躁方法还包括：控制芯片检测摄像头的工作状态，当摄像头处于拍摄预览状态时，控制芯片形成第一控制电流，当摄像头处于拍摄状态时，控制芯片形成第二控制电流，其中第二控制电流为半导体制冷芯片的额定电流，且大于第一控制电流。本专利技术还公开了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上所述的步骤。采用了上述技术方案后，与现有技术相比，具有以下有益效果：1.摄像头的温度消散后，减少了其振动引发的噪音量；2.摄像头所处环境的工作温度降低后，可降低拍照时照片的噪点量，并提升相机的高感性能。附图说明图1为符合本专利技术一优选实施例中减躁系统的结构示意图；图2为第一实施例中半导体制冷芯片的排布结构示意图；图3为第二实施例中半导体制冷芯片的排布结构示意图；图4为符合本专利技术一优选实施例中减躁方法的逻辑示意图；图5为符合本专利技术一优选实施例中减躁方法的流程示意图。具体实施方式以下结合附图与具体实施例进一步阐述本专利技术的优点。这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本公本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于摄像头的减躁系统，包括设于所述摄像头内的CMOS图像传感器，其特征在于，所述减躁系统还包括：/n温度传感器，设于所述摄像头的底板上，以检测所述CMOS图像传感器的温度；/n半导体制冷芯片，与所述CMOS图像传感器传导接触，吸收所述CMOS图像传感器生成的热量，并将热量消散至所述CMOS图像传感器外部；/n控制芯片，与所述温度传感器及半导体制冷芯片电连接，自所述温度传感器接收所述CMOS图像传感器的温度，且所述控制芯片内置有一第一温度阈值，当所述CMOS图像传感器的温度高于所述第一温度阈值时，所述控制芯片形成一启动指令，当所述CMOS图像传感器的温度低于或等于所述第一温度阈值时，所述控制芯片形成一停止指令；/n驱动模块，分别与所述控制芯片和半导体制冷芯片电连接，接收所述启动指令或停止指令，以驱动所述半导体制冷芯片工作或关闭。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于摄像头的减躁系统，包括设于所述摄像头内的CMOS图像传感器，其特征在于，所述减躁系统还包括：
温度传感器，设于所述摄像头的底板上，以检测所述CMOS图像传感器的温度；
半导体制冷芯片，与所述CMOS图像传感器传导接触，吸收所述CMOS图像传感器生成的热量，并将热量消散至所述CMOS图像传感器外部；
控制芯片，与所述温度传感器及半导体制冷芯片电连接，自所述温度传感器接收所述CMOS图像传感器的温度，且所述控制芯片内置有一第一温度阈值，当所述CMOS图像传感器的温度高于所述第一温度阈值时，所述控制芯片形成一启动指令，当所述CMOS图像传感器的温度低于或等于所述第一温度阈值时，所述控制芯片形成一停止指令；
驱动模块，分别与所述控制芯片和半导体制冷芯片电连接，接收所述启动指令或停止指令，以驱动所述半导体制冷芯片工作或关闭。


2.如权利要求1所述的减躁系统，其特征在于，所述减躁系统还包括：
第一导热元件，设于所述摄像头的底板旁相对于所述CMOS图像传感器的一侧，并沿所述底板的径向延伸；
第二导热元件，设于所述CMOS图像传感器的旁侧；
所述半导体制冷芯片的两端面分别紧贴于所述第一导热元件和第二导热元件，并设于所述第一导热元件上延伸而出部分上与CMOS图像传感器的同侧。


3.如权利要求1所述的减躁系统，其特征在于，
所述半导体制冷芯片的一端面紧贴于CMOS图像传感器；
所述减躁系统还包括：
所述第三导热元件，紧贴于所述半导体制冷芯片上相对于所述CMOS图像传感器的另一端面，且所述第三导热元件沿所述底板的径向延伸。


4.如权利要求1所述的减躁系统，其特征在于，
所述控制芯片检测所述摄像头的工作状态，当所述摄像头停止工作时，所述控制芯片关断自所述温度传感器接收所述CMOS图像传感器的温度的监控链路，当所述摄像头启动工作时，所述控制芯片连通自所述温度传感器接收所述CMOS图像传感器的温度的监控链路；
所述控制芯片还内置有一高于所述第一温度阈值的第二温度阈值，并对所述第一温度阈值与第二温度阈值间的每一温度赋予一控制权重；
当所述CMOS图像传感器的温度高于所述第一温度阈值并低于所述第二温度阈值时，所述控制芯片形成的所述启动指令包括启动命令及控制权重，并发送至所述驱动模块；
所述驱动模块基于所述启动命令及控制权重，启动所述半导体制冷芯片，并调节所述半导体制冷芯片的工作电流。


5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟光华，
申请(专利权)人：南昌黑鲨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36