具有受控超调的高速高带宽垂直腔面发射激光器制造技术

提供了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)。VCSEL包括设置在基板上的台面结构。所述台面结构包括第一反射器、第二反射器，以及设置在所述第一反射器和第二反射器之间的有源腔材料结构。所述第二反射器具有从所述第二反射器的第二表面延伸至所述第二反射器预定深度的开口。蚀刻到所述第二反射器中至所述预定深度减少了光子寿命和VCSEL的阈值增益，同时增加了调制带宽并保持了所述第二反射器的高反射率。因此，将所述第二反射器蚀刻至所述预定深度可以改善所述VCSEL的超调控制、更宽的调制带宽和更快的脉冲，使得所述VCSEL可以提供具有受控超调的高速、高带宽信号。

【技术实现步骤摘要】
具有受控超调的高速高带宽垂直腔面发射激光器相关申请的交叉引用本申请是于2019年5月6日提交的美国专利申请号16/404,244的部分延续案，其内容通过引用整体并入本文。
本专利技术的各实施方式总体上涉及垂直腔面发射激光器(VCSEL)。示例实施方式总体上涉及具有受控超调的高速高带宽VCSEL。
技术介绍
随着数据通信在量和速度两方面需求的提高，光纤已成为一种越来越流行的通信方法。这种用于生成通过光纤电缆通信的数据流的方法的一个新兴元件包括与单模光纤光耦合的VCSEL。然而，传统VCSEL设计往往无法提供对用于高速高带宽VCSEL的光子寿命、信号带宽和超调的控制。
技术实现思路
本专利技术的示例实施方式提供了一种高速高带宽的VCSEL。例如，各种实施方式提供了能够以每秒50GB或更高的速率通信数据的VCSEL。在示例实施方式中，在提供受控光子寿命和信号带宽的同时，限制了VCSEL的超调。例如，在示例实施方式中，VCSEL可以包括发射结构，所述发射结构包括第一反射器、第二反射器以及夹在第一反射器和第二反射器之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)，包括：/n设置在基板上的台面结构，所述台面结构包括：/n第一反射器；/n第二反射器，以及/n有源腔材料结构，所述有源腔材料结构设置在所述第一反射器和所述第二反射器之间，其中所述第二反射器包括从所述第二反射器的第二表面延伸至所述第二反射器预定深度的开口。/n

【技术特征摘要】
20191001 US 16/589,5341.一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)，包括：
设置在基板上的台面结构，所述台面结构包括：
第一反射器；
第二反射器，以及
有源腔材料结构，所述有源腔材料结构设置在所述第一反射器和所述第二反射器之间，其中所述第二反射器包括从所述第二反射器的第二表面延伸至所述第二反射器预定深度的开口。


2.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述预定深度在约20nm至55nm的范围内。


3.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述预定深度在约15nm至25nm的范围内。


4.根据权利要求1所述的VCSEL，进一步包括设置在所述第二反射器的所述第二表面上的盖层和触点。


5.根据权利要求4所述的VCSEL，其中(a)所述触点定义孔径，(b)所述开口定义开口直径，并且(c)所述孔径与所述开口直径近似相同。


6.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述开口定义与所述第二反射器定义的第二反射器直径近似相同的开口直径。


7.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述VCSEL的光子寿命在约5.5ps和1ps的范围内。


8.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述开口通过蚀刻形成。


9.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述VCSEL的调制带宽为17GHz或更大。


10.根据权利要求1所述的VCSEL，其中所述第一反射器和所述第二反射器中的至少一个包括半导体分布式布拉格反射器(DBR)。


11.一种用于制造垂直腔面发射激光器(VCSEL)的方法，所述方...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·卡利法，E·门托维奇，
申请(专利权)人：迈络思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：以色列;IL