一种太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以较为彻底的去除绕镀的绕氧化层和绕扩散层，使硅基底表面平整。该太阳能电池的制作方法包括：提供一硅基底，该硅基底具有相对的第一面和第二面，硅基底的第二面具有单面掺杂工艺绕镀产生的绕扩散层和绕氧化层，该绕氧化层位于硅基底的第二面的边缘；去除绕氧化层，保留绕扩散层；对保留绕扩散层的硅基底的第二面进行整面刻蚀，以去除绕扩散层。本发明专利技术提供的太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制作方法
本专利技术涉及光伏
，尤其涉及一种太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
晶硅太阳能电池主要依靠形成于硅片上的pn结将太阳能转化为可利用的电能。在制作晶硅太阳能电池的过程中，形成pn结的方式主要为对硅材质的硅基底进行掺杂。在制作单面pn结，也就是对硅基底进行单面掺杂时，容易在硅基底的另一面形成绕镀的绕氧化层和绕扩散层。绕氧化层和绕扩散层会严重影响后续制备工艺和太阳能电池性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池及其制作方法，可以较为彻底的去除绕镀的绕氧化层和绕扩散层，使硅基底表面平整。第一方面，本专利技术提供一种太阳能电池的制作方法。该太阳能电池的制作方法包括：提供一硅基底。该硅基底具有相对的第一面和第二面，硅基底的第二面具有单面掺杂工艺绕镀产生的绕扩散层和绕氧化层，该绕氧化层位于所述硅基底的第二面的边缘；去除绕氧化层，保留绕扩散层；对保留绕扩散层的硅基底的第二面进行整面刻蚀，以去除绕扩散层。采用上述技术方案时，先去除绕氧化层，保本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一硅基底，所述硅基底具有相对的第一面和第二面，所述硅基底的第二面具有单面掺杂工艺绕镀产生的绕扩散层和绕氧化层，所述绕氧化层位于所述硅基底的第二面的边缘；/n去除所述绕氧化层，保留所述绕扩散层；/n对保留所述绕扩散层的所述硅基底的第二面进行整面刻蚀，以去除所述绕扩散层。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供一硅基底，所述硅基底具有相对的第一面和第二面，所述硅基底的第二面具有单面掺杂工艺绕镀产生的绕扩散层和绕氧化层，所述绕氧化层位于所述硅基底的第二面的边缘；
去除所述绕氧化层，保留所述绕扩散层；
对保留所述绕扩散层的所述硅基底的第二面进行整面刻蚀，以去除所述绕扩散层。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述绕氧化层的最薄处与最厚处的厚度差为5nm～150nm；和/或，所述绕氧化层为含硼氧化层或含磷氧化层。


3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，去除所述绕氧化层的方式为单面去膜工艺。


4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述单面去膜工艺的去膜设备为履带式刻蚀设备或滚轮式刻蚀设备，和/或，
所述单面去膜工艺的刻蚀剂为至少含有氟化氢的溶液体系。


5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，去除所述绕氧化层前，所述太阳能电池的制作方法还包括：
在所述第一面形成水膜。


6.根据权利要求1～5任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述整面刻蚀的刻蚀剂为酸性刻蚀剂；所述酸性刻蚀剂为氢氟酸和硝酸的混合溶液，或氢氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液；或，
所述整面刻蚀的刻蚀剂为碱性刻蚀剂，所述碱性刻蚀剂为碱溶液和/或三甲基氢氧化铵溶液。


7.根据权利要求1～5任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，对保留所述绕扩散层的硅基底的第二面进行整面刻蚀后，所述太阳能电池的制作方法还包括：
利用...

【专利技术属性】
技术研发人员：童洪波，丁超，徐新星，张洪超，鲁伟明，李华，靳玉鹏，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32