一种太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，可以较好的去除拟进行重掺杂的硅基底表面的杂质。该太阳能电池的制作方法包括：提供一硅基底，该硅基底的第一面具有第一掺杂层以及位于第一掺杂层上的第一氧化层，第一氧化层具有贯穿第一氧化层的凹槽，第一掺杂层的第一区域裸露于凹槽的内部；利用氧化性溶液和氢氟酸对凹槽进行清洗以形成凹槽内疏水状态；在第一氧化层的掩模下，在第一区域形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度大于第一掺杂层的掺杂浓度。本发明专利技术提供的太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制作方法
本专利技术涉及光伏
，尤其涉及一种太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
选择性发射极太阳能电池是一种在硅片上的扩散层与金属电极的接触部位进行重掺杂，在扩散层的其他区域进行轻掺杂的太阳能电池。这种结构不仅可以降低硅片的扩散层复合，而且可以减少金属电极与硅片的接触电阻。在制作选择性发射极太阳能电池时，需要进行一次轻掺杂处理和一次重掺杂处理。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池及其制作方法，可以较好的去除拟进行重掺杂的硅基底表面的杂质。第一方面，本专利技术提供一种太阳能电池的制作方法。该太阳能电池的制作方法包括：提供一硅基底。硅基底的第一面具有第一掺杂层以及位于第一掺杂层上的第一氧化层，第一氧化层具有贯穿第一氧化层的凹槽，第一掺杂层的第一区域裸露于凹槽的内部。利用氧化性溶液和氢氟酸对凹槽进行清洗以形成凹槽内疏水状态。在第一氧化层的掩模下，在第一区域形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度大于第一掺杂层的掺杂浓度。采用上述技术方案时，对第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一硅基底，所述硅基底的第一面具有第一掺杂层以及位于所述第一掺杂层上的第一氧化层，所述第一氧化层具有贯穿所述第一氧化层的凹槽，所述第一掺杂层的第一区域裸露于所述凹槽的内部；/n利用氧化性溶液和氢氟酸对所述凹槽进行清洗以形成凹槽内疏水状态；/n在所述第一氧化层的掩模下，在第一区域形成第二掺杂层，所述第二掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂层的掺杂浓度。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供一硅基底，所述硅基底的第一面具有第一掺杂层以及位于所述第一掺杂层上的第一氧化层，所述第一氧化层具有贯穿所述第一氧化层的凹槽，所述第一掺杂层的第一区域裸露于所述凹槽的内部；
利用氧化性溶液和氢氟酸对所述凹槽进行清洗以形成凹槽内疏水状态；
在所述第一氧化层的掩模下，在第一区域形成第二掺杂层，所述第二掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂层的掺杂浓度。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述氧化性溶液和所述氢氟酸处于同一溶液体系。


3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述氧化性溶液和所述氢氟酸处于不同溶液体系；利用氧化性溶液和氢氟酸对所述凹槽进行清洗包括：
利用氧化性溶液对凹槽进行第一次清洗；
利用氢氟酸对凹槽进行第二次清洗。


4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述氢氟酸的质量分数小于或等于0.5％。


5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：童洪波，徐新星，颜翼飞，李华，靳玉鹏，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32