一种太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，在较方便的去除绕镀层的同时，能够较好的保护硅基底的背面。该太阳能电池的制作方法，包括：提供一硅基底，硅基底具有相对的第一面和第二面。在硅基底的第二面形成半导体层，第一面具有由半导体层的材料绕镀成的绕镀层；该半导体层含有非晶半导体材料。保持半导体层含有非晶半导体材料的情况下，在半导体层上形成掩膜层。在掩膜层的保护下，去除绕镀层。以及对半导体层进行处理形成多晶掺杂半导体层。本发明专利技术提供的太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制作方法
本专利技术涉及光伏
，尤其涉及一种太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
目前太阳能电池作为解决能源问题的重要手段，其应用越来越广泛。钝化接触结构由于其可以大幅度的降低金属接触带来的表面复合速率，在太阳能电池中有着极大的应用前景。钝化接触太阳能电池主要是在太阳能电池的背面形成隧穿钝化层和掺杂多晶硅层作为与金属电极的接触结构。制作太阳能电池的钝化接触结构时，先在硅基底的背面形成隧穿钝化层，然后在隧穿钝化层上形成掺杂多晶硅层。在形成掺杂多晶硅层的过程中，会在太阳能电池的硅基底的正面形成绕镀层，采用化学刻蚀去除绕镀层。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池及其制作方法，在较方便的去除绕镀层的同时，能够较好的保护硅基底的背面。第一方面，本专利技术提供一种太阳能电池的制作方法。该太阳能电池的制作方法，包括：提供一硅基底。硅基底具有相对的第一面和第二面。在硅基底的第二面形成半导体层，第一面具有由半导体层的材料绕镀成的绕镀层；半导体层含有非晶半导体材料。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一硅基底，所述硅基底具有相对的第一面和第二面；/n在所述硅基底的第二面形成半导体层，所述第一面具有由所述半导体层的材料绕镀成的绕镀层；所述半导体层含有非晶半导体材料；/n保持所述半导体层含有非晶半导体材料的情况下，在所述半导体层上形成掩膜层；/n在所述掩膜层的保护下，去除所述绕镀层；/n以及对所述半导体层进行处理形成多晶掺杂半导体层。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供一硅基底，所述硅基底具有相对的第一面和第二面；
在所述硅基底的第二面形成半导体层，所述第一面具有由所述半导体层的材料绕镀成的绕镀层；所述半导体层含有非晶半导体材料；
保持所述半导体层含有非晶半导体材料的情况下，在所述半导体层上形成掩膜层；
在所述掩膜层的保护下，去除所述绕镀层；
以及对所述半导体层进行处理形成多晶掺杂半导体层。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成所述掩膜层的温度小于或等于700℃。


3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成所述掩膜层的工艺为低压化学气相沉积工艺、常压化学气相沉积工艺、增强型等离子体化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、氧化生长工艺、印刷掩膜工艺中的任一种。


4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，当采用氧化生长工艺形成掩膜层时，所述氧化生长工艺的氧化剂包括HNO3、O3、O2、H2O中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括氧化物、氮化物、碳化物中的一种或多种。


6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，保持所述半导体层含有非晶半导体材料的情况下，在所述半导体层上形成掩膜层，同时所述第一面具有由所述掩膜层的材料绕镀成的绕掩膜层。


7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，去除所述绕镀层的工艺为链式单...

【专利技术属性】
技术研发人员：童洪波，李华，靳玉鹏，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32