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本发明公开一种太阳能电池及其制作方法,涉及光伏技术领域,可以较好的去除拟进行重掺杂的硅基底表面的杂质。该太阳能电池的制作方法包括:提供一硅基底,该硅基底的第一面具有第一掺杂层以及位于第一掺杂层上的第一氧化层,第一氧化层具有贯穿第一氧化层的凹...该专利属于泰州隆基乐叶光伏科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过泰州隆基乐叶光伏科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种太阳能电池及其制作方法,涉及光伏技术领域,可以较好的去除拟进行重掺杂的硅基底表面的杂质。该太阳能电池的制作方法包括:提供一硅基底,该硅基底的第一面具有第一掺杂层以及位于第一掺杂层上的第一氧化层,第一氧化层具有贯穿第一氧化层的凹...