半导体结构制造技术

提供半导体结构。半导体结构包括第一导电结构，埋置于第一介电层中；通孔结构，位于第一导电结构上；第二导电结构，位于通孔结构上；以及石墨烯层，位于第一导电结构的至少一部分上。通孔结构电性耦接第一导电结构至第二导电结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术实施例关于半导体结构，更特别关于通孔结构中的石墨烯层。
技术介绍
集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代的集成电路具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小亦会增加处理与制造集成电路的复杂性。为实现这些进展，集成电路的处理与制造方法亦需类似发展。举例来说，应理解内连线结构的不同层的导电结构(如通孔结构与金属线结构)之间的非刻意对不准，可能造成接点面积缩小与接点电阻增加。电阻增加对较小技术节点而言的问题更大，因电阻增加会抵消节点尺寸缩小所改善的任何效能。此外，对不准会增加未绝缘的一对导电结构之间的短路风险，造成装置的可信度问题。由于对不准难以消除，因此仍需改善现有的内连线技术以解决这些问题。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供半导体结构，其包括第一导电结构，埋置于第一介电层中；通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n一第一导电结构，埋置于一第一介电层中；/n一通孔结构，位于该第一导电结构上；/n一第二导电结构，位于该通孔结构上，其中该通孔结构电性耦接该第一导电结构至该第二导电结构；以及/n一石墨烯层，位于该第一导电结构的至少一部分上。/n

【技术特征摘要】
20190917 US 16/573,8171.一种半导体结构，包括：
一第一导电结构，埋置于一第一介电层中；
一通孔结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨士亿，詹佑晨，李明翰，陈海清，眭晓林，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71