【技术实现步骤摘要】
快速筛选极端PVT角对应极端RC角的方法、装置及电子设备
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种快速筛选极端PVT角对应极端RC角的方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
数字后端集成电路(IC)设计中，宏单元(Macro)是设计中最常见的单元。Macro是一个宽泛的概念，通常我们把它分为硬宏(HardMacro)和软宏(SoftMacro)。HardMacro是指特定的功能模块，例如包括存储器(Memory)、锁相环PLL、锁相环DLL等各种IP核，即用于专用集成电路(ASIC)或现场可编程逻辑阵列(FPGA)中的预先设计好的电路功能模块，HardMacro的逻辑在其本身内部已经集成好，根据工艺库进行调用即可。当一个HardMacro完成了电路搭建和版图(1ayout)布局布线之后，需要对该Macro进行各种极端PVTcorner(PVT角)的后仿真，来验证它是否正常工作，以及时序性能是否满足。在HardMacro内部，有很多条时序路径(timingpath)，不同时序路径之间会存在先后时序关系，而我们希...
【技术保护点】
1.一种快速筛选极端工艺电压温度PVT角对应极端电阻电容RC角的方法，其特征在于，包括：/n搭建两种以上不同逻辑电路，画出对应版图并从中抽取寄生参数网表；/n基于预先选定的PVT角，遍历所有RC角构建工艺组合，并利用所述寄生参数网表对所述两种以上不同逻辑电路进行仿真；/n测量每个电路在每种工艺组合下的延时；/n对同一电路在不同RC角下的延时做归一化处理，并将同一RC角下不同电路的延时进行相加，得到与RC角一一对应的延时加和；/n将所述延时加和按大小进行排序；/n根据所述延时加和的排序确定所述预先选定的PVT角对应的极端RC角。/n
【技术特征摘要】
1.一种快速筛选极端工艺电压温度PVT角对应极端电阻电容RC角的方法，其特征在于，包括：
搭建两种以上不同逻辑电路，画出对应版图并从中抽取寄生参数网表；
基于预先选定的PVT角，遍历所有RC角构建工艺组合，并利用所述寄生参数网表对所述两种以上不同逻辑电路进行仿真；
测量每个电路在每种工艺组合下的延时；
对同一电路在不同RC角下的延时做归一化处理，并将同一RC角下不同电路的延时进行相加，得到与RC角一一对应的延时加和；
将所述延时加和按大小进行排序；
根据所述延时加和的排序确定所述预先选定的PVT角对应的极端RC角。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述搭建两种以上不同逻辑电路，包括：
采用不同阈值电压、不同驱动能力、和/或不同功能的标准单元搭建所述两种以上不同逻辑电路。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将同一RC角下不同电路的延时进行相加，得到与RC角一一对应的延时加和，包括：
根据电路的重要程度，赋予电路的延时不同的权重后进行加和。
4.根据权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于，所述根据所述延时加和的排序确定所述预先选定的PVT角对应的极端RC角，包括：
若所述预先选定的PVT角是TT_Vnor_Tnor，即表示N型金属-氧化物-半导体NMOS和P型金属-氧化物-半导体PMOS晶体管工艺均为平均值、电压常规和温度常规，则选择排序后居中的延时加和所对应的RC角作为所述预先选定的PVT角对应的极端RC角，或者选择距离排序后第一个延时加和和最后一个延时加和两者平均值最接近的延时加和所对应的RC角作为所述预先选定的PVT角对应的极端RC角；
和/或，若所述预先选定的PVT角不是TT_Vnor_Tnor，则选择排序后第一个延时加和所对应的RC角和最后一个延时加和所对应的RC角作为所述预先选定的PVT角对应的极端RC角。
5.一种快速筛选极端PVT角对应极端RC角的装置，其特征在于，包括：
搭建模块，用于搭建两种以上不同逻辑电路，画出对应版图并从中抽取寄生参数网表；
仿真模块，用于基于预先选定的PVT角，遍历所有RC角构建工艺组合，并利用所述寄生参数网表对所述两种以上不...
【专利技术属性】
技术研发人员：白海银，黄瑞锋，
申请(专利权)人：海光信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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