一种像素结构及液晶面板制造技术

技术编号:27933260 阅读:26 留言:0更新日期:2021-04-02 14:12
本发明专利技术提供一种像素结构及液晶面板,像素结构包括像素电极,像素电极包括主干电极、连接主干电极的分支电极、以及包围主干电极和分支电极的封口电极,主干电极与分支电极的至少一端连接封口电极;其中,封口电极的长边形成有豁口电极,豁口电极延伸至像素结构内,并将像素电极分割为至少两个像素分区,使得原有的1个像素分区变成多个像素分区,利用豁口降低像素分区的长宽比,且在分割后的像素分区内增加横向主干电极,进一步将分割后的像素分区分割为多个像素畴,缩短了分支电极的长度,降低像素电极的阻抗,提高液晶驱动信号的补偿能力,从而使整个像素结构的暗纹异常被规避,提高像素结构的显示品质。

【技术实现步骤摘要】
一种像素结构及液晶面板
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种像素结构及液晶面板。
技术介绍
通常液晶显示面板由彩膜基板、薄膜晶体管基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶及密封框胶组成;其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转,将背光模组的光线折射出来产生画面。高垂直排列液晶驱动方式具有对比度高、开口率大以及液晶分子偏转速度快等特点,为目前主流市场上的TFT-LCD显示面板厂重点投资领域之一。HVA技术要求液晶分子为负性液晶,在投入使用前需要用电场和聚合去对其进行配向,液晶像素是否配向异常取决于像素电极区域的形状,在像素分布区域长宽比较大时易发生配向异常,严重损害像素穿透率。如图1所示,现有技术中一种像素结构100,像素结构100为一个像素分区,该像素分区的长宽比为L1除以W1,像素分区包括田字型分布的像素畴103、像素畴104、像素畴105以及像素畴106,主干电极101分布在像素畴103、像素畴104、像素畴105以及像素畴106的间隙和外围,分支电极分布在像素畴103、像素畴104、像素畴1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构,其特征在于,包括像素电极,所述像素电极包括主干电极、连接所述主干电极的分支电极、以及包围所述主干电极和所述分支电极的封口电极,所述主干电极与所述分支电极的至少一端连接所述封口电极;其中,所述封口电极的长边形成有豁口电极,所述豁口电极延伸至所述像素结构内,并将所述像素电极分割为至少两个像素分区。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素结构,其特征在于,包括像素电极,所述像素电极包括主干电极、连接所述主干电极的分支电极、以及包围所述主干电极和所述分支电极的封口电极,所述主干电极与所述分支电极的至少一端连接所述封口电极;其中,所述封口电极的长边形成有豁口电极,所述豁口电极延伸至所述像素结构内,并将所述像素电极分割为至少两个像素分区。


2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构包括对向设置的第一像素分区和第二像素分区,所述第一像素分区与所述第二像素分区之间设置有第一豁口和第二豁口,所述豁口电极包括第一豁口电极和第二豁口电极,所述第一豁口电极填补所述第一豁口,所述第二豁口电极填补所述第二豁口。


3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括第三像素分区,所述第三像素分区与所述第二像素分区之间设置有第三豁口和第四豁口,所述豁口电极还包括第三豁口电极和第四豁口电极,所述第三豁口电极填补所述第三豁口,所述第四豁口电极填补所述第四豁口。


4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述第一豁口和所述第三豁口位于所述像素结构一侧的长边上,所述第二豁口和所述第四豁口位于所述像素结构另一侧的长边上。

【专利技术属性】
技术研发人员:刘毅
申请(专利权)人:TCL华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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