A high reliable DC regulated power supply. The semiconductor triode emission junction reverse overvoltage protection circuit is used to protect the semiconductor transistor which is easily damaged in the regulated power supply, so that the reliability of the power supply is improved. The utility model has the advantages of wide regulating range, long time short circuit and no heat, so the utility model has good practicability and high reliability.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体分立元件组装的可调直流稳压电源的改进目前常用的分立元件直流稳压电源，直流输出的调节范围能做得较大，也有加装短路保护线路的(“取样比始终为1的可调稳压电源”《电子世界》82年第5期。“稳压电源短路保护”《无线电爱好者讲座》上册)。但这些线路在使用时容易烧坏半导体三极管，其工作可靠性较差。本专利技术是把一种半导体三极管发射结反向过电压保护电路，应用到可调直流稳压电源上，使这种电源具有较好的短路保护性能和较高的工作可靠性。半导体三极管的工作状态有导通和截止两种，当在三极管发射结加上一定的正向偏压时它就导通，加上反向偏压时三极管就截止。三极管发射结能耐受反向偏压的能力由发射结的反向耐压值所决定。如果反向偏压超过其反向耐压值，发射结将被击穿，三极管就损坏。一般硅三极管的发射结反向耐压值只有5伏左右，锗三极管要高些，因此当电路中三极管发射结有可能承受较大的反向偏压时，就有必要对三极管的发射结加以保护。半导体三极管的反向耐压可以做得很高，若能用二极管来承担三极管的发射结无力承担的电压，三极管就能得到保护。附图1就是三极管发射结过电压保护电路原理图，如图所示在要保护的三极管的基极上串联一只二极管，并使此二极管的极性和三极管的发射结的极性同向，同时在三极管的基极和发射极之间并联一只二极管，使此二极管的极性与三极管发射结的极性相反。这样当高的反向偏压加到三极管的射－－基电路上时，此偏压将通过基极和发射极之间并联的二极管加到与基极串联的二极管上，发射结所承受的偏压不超过与它并联的二极管的正向压降，从而保护了三极管的发射结。正向置偏时，此两只二极管的存在几乎不影...
【技术保护点】
一种可靠性较高的直流稳压电源，包括整流滤波部份（１），基准稳压管（２），输出调节电位器（３），复合调整管（４），取样放大管（５），比较放大管（６），短路保护管（９），过电流保护电路（１２），辅助电源（１３），本专利技术的特征在于复合调整管（４）的基极电路上串联一只二极管（１６），此二极管的极性与调整管的发射结的极性同向，复合调整管的基极与发射极之间还并联一只二极管（１５），此二极管的极性和调整管的发射结极性相反。
【技术特征摘要】
1.一种可靠性较高的直流稳压电源，包括整流滤波部份(1)，基准稳压管(2)，输出调节电位器(3)，复合调整管(4)，取样放大管(5)，比较放大管(6)，短路保护管(9)，过电流保护电路(12)，辅助电源(13)，本发明的特征在于复合调整管(4)的基极电路上串联一只二极管(16)，此二极管的极性与调整管的发射结的极性同向，复合调整管的基极与发射极之间还并联一只二极管(15)，此二极管的极性和调整管的发射结极性相反。2.如权利要求1所述的稳压电源，其特征在于基准稳压管(2)上端的电压，经电阻(7)、(8)分压后，加到短路保护管(9)的基极，在电阻(8...
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