一种新型氢化物气相外延压力控制系统及方法技术方案

本公开提供了一种新型氢化物气相外延压力控制系统及方法，包括：反应室，与反应室连接的流量控制通路和微调气路；所述流量控制通路上依次设有真空泵和调节阀；所述微调气路上设有质量流量控制器，微调气路用于通入惰性气体，在质量流量控制器的调节下实现对反应室压力的精确控制；结构设计合理，采用与反应室连接的流量控制通路和微调气路，并配合使用PLC控制器，实现了GaN材料生长过程中反应室内压力的精准调控。

【技术实现步骤摘要】
一种新型氢化物气相外延压力控制系统及方法
本公开属于氢化物气相外延设备
，具体涉及氢化物气相外延技术生长GaN衬底材料时，一种控制反应室内气体压力的新型压力控制系统及方法。
技术介绍
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿与热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等性质和强的抗辐射能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。氢化物气相外延(hydridevaporphaseepitaxy，简称HVPE)是在常压高温的石英反应器内进行反应的化学气相沉积技术，由N2夹带HCl，添加金属Ga形成GaCl；再在衬底上引入GaCl与NH3即可反应生成GaN。由于HVPE技术具有生长速率快、制备成本低等优点，是目前制备GaN衬底材料的常用工艺。在工艺准备阶段，HVPE生长系统要求反应室处于干燥、无氧、无本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型氢化物气相外延压力控制系统，其特征在于，包括：反应室，与反应室连接的流量控制通路和微调气路；所述流量控制通路上依次设有真空泵和调节阀；所述微调气路上设有质量流量控制器，微调气路用于通入惰性气体，在质量流量控制器的调节下实现对反应室压力的精确控制。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型氢化物气相外延压力控制系统，其特征在于，包括：反应室，与反应室连接的流量控制通路和微调气路；所述流量控制通路上依次设有真空泵和调节阀；所述微调气路上设有质量流量控制器，微调气路用于通入惰性气体，在质量流量控制器的调节下实现对反应室压力的精确控制。


2.如权利要求1所述的压力控制系统，其特征在于，还包括控制器，所述控制器分别与调节阀和质量流量控制器连接，用于控制调节阀和质量流量控制器。


3.如权利要求2所述的压力控制系统，其特征在于，所述反应室内设置压力传感器，通过压力传感器将实时的压力信号传输至控制器。


4.如权利要求2所述的压力控制系统，其特征在于，所述控制器分别与蝶阀电动执行机构、质量流量控制器、电磁阀和压力传感器连接；所述蝶阀电动执行机构与蝶阀连接，用于控制蝶阀的动作。


5.如权利要求1所述的压力控制系统，其特征在于，所述流量控制通路上依次设有真空泵...

【专利技术属性】
技术研发人员：马思乐，孙文旭，余平，张兴拓，马晓静，陈纪旸，栾义忠，姜向远，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东;37