【技术实现步骤摘要】
离子束沉积装置以及具有其的沉积系统
示例实施方式涉及离子束装置以及具有该离子束装置的沉积系统，更具体地，涉及通过使用离子束在基板上形成低电阻薄层的离子束沉积装置以及具有该离子束沉积装置的沉积系统。
技术介绍
用于半导体器件的金属布线可以通过化学气相沉积(CVD)工艺或物理气相沉积(PVD)工艺形成。然而，通过CVD工艺或PVD工艺形成的金属布线可能表现出相对高的电阻。
技术实现思路
根据示范性实施方式，提供一种离子束沉积(IBD)装置，该IBD装置包括：用于固定基板的基板组件；相对于基板组件倾斜的靶组件，该靶组件包括具有沉积材料的靶；离子枪，用于将离子束喷射到靶上，使得沉积材料的离子被朝向基板组件释放以在基板上形成沉积层；以及基板加热器，用于将基板加热到高于室温的沉积温度。根据示范性实施方式，提供另一种IBD装置，该IBD装置包括：在其中进行离子束沉积工艺的工艺室；在工艺室内部的基板组件，该基板组件用于固定基板；相对于基板组件倾斜的靶组件，该靶组件包括具有沉积材料的靶；在工艺室内部的离子枪，该离子...
【技术保护点】
1.一种离子束沉积装置，包括：/n基板组件，用于固定基板；/n相对于所述基板组件倾斜的靶组件，所述靶组件包括具有沉积材料的靶；/n离子枪，用于将离子束喷射到所述靶上，使得所述沉积材料的离子被朝向所述基板组件释放以在所述基板上形成沉积层；以及/n基板加热器，用于将所述基板加热到高于室温的沉积温度。/n
【技术特征摘要】
20191002 KR 10-2019-01225111.一种离子束沉积装置，包括：
基板组件，用于固定基板；
相对于所述基板组件倾斜的靶组件，所述靶组件包括具有沉积材料的靶；
离子枪，用于将离子束喷射到所述靶上，使得所述沉积材料的离子被朝向所述基板组件释放以在所述基板上形成沉积层；以及
基板加热器，用于将所述基板加热到高于室温的沉积温度。
2.根据权利要求1所述的离子束沉积装置，其中所述基板加热器包括在所述基板组件上方的灯结构，所述灯结构在所述基板组件外部并朝向所述基板组件散发热量。
3.根据权利要求2所述的离子束沉积装置，其中所述灯结构包括热碳辐射器、氙灯或卤素灯。
4.根据权利要求1所述的离子束沉积装置，其中所述基板组件包括：
基板固定器，用于保持所述基板，所述基板可倾斜在预定角度处；和
支撑件，连接到所述基板固定器并支撑所述基板固定器，所述支撑件相对于穿过所述基板固定器的中心的中心轴是可旋转的。
5.根据权利要求4所述的离子束沉积装置，其中所述基板加热器包括在所述基板固定器内部的线型加热器，所述线型加热器具有螺旋线的形状。
6.根据权利要求4所述的离子束沉积装置，其中所述基板加热器包括布置在所述基板固定器内部的表面加热器，所述基板固定器的上表面是所述表面加热器的上表面。
7.根据权利要求1所述的离子束沉积装置，还包括用于将补充离子束喷射到所述基板组件上的补充离子枪。
8.根据权利要求1所述的离子束沉积装置，其中所述靶包括钨、钌、钽、钛、铝、铜、钼、钴、锇、铂、镍、铬、银、锗、镁、钯、铪、锌、钒、锆、其合金和其金属氮化物中的至少一种。
9.一种离子束沉积装置，包括：
工艺室，在其中进行离子束沉积工艺；
在所述工艺室内部的基板组件，所述基板组件用于固定基板；
相对于所述基板组件倾斜的靶组件，所述靶组件包括具有沉积材料的靶；
在所述工艺室内部的离子枪，所述离子枪用于将离子束喷射到所述靶上，使得所述沉积材料的离子被朝向所述基板组件释放以在所述基板上形成沉积层；
在所述工艺室内部的基板加热器，所述基板加热器用于将所述基板加热到高于室温的沉积温度；
连接到所述工艺室的基板中转站，所述基板中转站用于容纳多个基板；以及
连接到所述工艺室的真空发生器，所述真空发生器用于将均匀的预定真空压强施加到所述工艺室。
10.根据权利要求9所述的离子束沉积装置，其中所述基板组件包括：
支撑件，连接到所述工艺室的第一内侧壁，所述支撑件是可旋转的；和
基板固定器，在所述支撑件上、用于保持所述基板，所述基板可倾斜在预定角度处。
11.根据权利要求10所述的离子束沉积装置，其中所述基板加热器包括在所述基板固定器内部的电加热器，所述电加热器成形...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴正宪，金晥均，金硕埙，郑峻昊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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