一种控挡片清洗液及清洗方法技术

技术编号:27925207 阅读:30 留言:0更新日期:2021-04-02 14:02
本发明专利技术属于集成电路电子化学品领域,具体涉及一种控挡片清洗液及使用方法。所述控挡片清洗液主要成分包含氟化物、剥离剂、浸润剂、有机溶剂及水;氟化物含量10~30wt%、剥离剂含量0.1~1wt%、浸润剂含量0.1~1wt%、有机溶剂含量25~35wt%、余量为水。所述控挡片清洗液可用于清洗各种类型的氧化硅、正硅酸乙酯、氮化硅、多晶硅、光刻胶等薄膜,所述控挡片上具有所述材料。

【技术实现步骤摘要】
一种控挡片清洗液及清洗方法
本专利技术属于电子化学品领域,具体涉及一种控挡片清洗液。
技术介绍
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,在晶圆上加工制作各种电路元件结构,可以使之成为具有特定电性功能的IC集成电路。制造晶圆的精细要求极高,硅片表面的平整度将直接关系到芯片的性能质量,所以晶圆厂需要时刻对制造设备的性能进行监测测试以及维持稳定,以保证最终的成品率。用于测试和维持稳定的无图形硅片就是控片和挡片。控片主要用来监控机台的制程能力是否稳定、生产环境是否洁净。通过使用控片,可以对离子注入、薄膜沉积、光刻、刻蚀和研磨等制程中的例如电阻率、薄膜沉积速率、刻蚀速率、研磨速率以及均匀性等进行监测。挡片的作用主要是维持机台的稳定性。挡片被用于隔绝制程条件较差的地方以及填充产品不足时空出的位置,对炉管内的气流进行阻挡分层并使炉管内温度均匀分布,从而使气流中的反应气体与被加工硅片均匀接触、均匀受热,发生化学物理反应,沉淀或生长均匀的高质量薄膜。控片和挡片在使用之后一般会存在各种薄膜,包括氧化硅、氮化硅、多晶硅、光刻胶等。由于控挡片使用量大,若本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控挡片清洗液,其特征在于,所述控挡片清洗液主要成分包含氟化物、剥离剂、浸润剂、有机溶剂及水;氟化物含量10~30wt%、剥离剂含量0.1~1wt%、浸润剂含量0.1~1wt%、有机溶剂含量25~35wt%、余量为水。/n

【技术特征摘要】
1.一种控挡片清洗液,其特征在于,所述控挡片清洗液主要成分包含氟化物、剥离剂、浸润剂、有机溶剂及水;氟化物含量10~30wt%、剥离剂含量0.1~1wt%、浸润剂含量0.1~1wt%、有机溶剂含量25~35wt%、余量为水。


2.根据权利要求1所述的控挡片清洗液,其特征在于,所述的氟化物为氢氟酸或氢氟酸与氟硼酸铵、四丁基氟化铵、二乙胺基三氟化硫、6-三氟甲基烟酸任意一种的混合物。


3.根据权利要求1所述的控挡片清洗液,其特征在于,所述的剥离剂为丙二醇聚醚、三羟甲基丙烷聚醚、N,N二甲基乙醇胺、二甲基乙酰胺物质中的一种或多种。


4.根据权利要求1所述的控挡片清洗液,其特征在于:所述的浸润剂为二羟乙基咪唑啉、咪唑啉磷酸酯盐、磺酸型咪唑啉物质中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的控挡片清洗液,其特征在于:所述的有机溶剂为醇醚、砜、吡咯烷酮的组合物。


6.根据权利要求5所述的控挡片清洗液,其特征在于:所述的醇醚选自乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹印徐子豪万杨阳贺兆波张庭冯凯王书萍倪高国
申请(专利权)人:湖北兴福电子材料有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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