用于去除蚀刻残余物的清洗液制造技术

本发明专利技术提供一种用于去除蚀刻残余物的清洗液，其包括含氟化合物；其中，该含氟化合物选自：氟化盐、氟代烷、六氟硅酸、六氟硅酸盐、六氟磷酸、六氟磷酸盐、氟硼酸、氟硼酸盐、三氟甲磺酸、三氟甲磺酸盐、氟磺酸、氟磺酸盐、和以上任一组合。该清洗液可提高对由蚀刻氮化硅等含硅材料产生的含硅副产物的去除能力。

【技术实现步骤摘要】
用于去除蚀刻残余物的清洗液
本专利技术涉及一种用于去除蚀刻残余物的清洗液，尤指一种用于去除由蚀刻氮化硅所产生的残余物的清洗液。
技术介绍
在半导体制程中，诸如氮化硅(siliconnitride)等的含硅材料常被用来制作氧化硅层(siliconoxide)的保护层。举例而言，如图1中的SiNx/SiO2/Si晶片，其中，该氧化硅层10和氮化硅层20(SiNx层)以交错(staggered)排列的方式沉积在硅晶片30上，且形成有一贯穿该氧化硅层10和该氮化硅层20的孔口40。为了形成特定的图案或结构，所述SiNx/SiO2/Si晶片浸入一蚀刻剂中，并且该蚀刻剂通常经由该孔口40开始蚀刻氮化硅层20。一般而言，如美国专利第7,976,718号中公开的内容，磷酸(H3PO4)常被当作适合蚀刻氮化硅层的蚀刻剂。该氮化硅层在蚀刻后则产生作为残余物的含硅副产物(Si(OH)4)，且沉积于该氧化硅层上。由于所述残余物会干扰后续制程，因此需要一清洗组合物以去除所述残余物。例如，美国专利10,381,226号公开使用氢氟酸(hydrofluoricaci本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于去除蚀刻残余物的清洗液，其包括含氟化合物；/n其中，该含氟化合物选自：氟化盐、氟代烷、六氟硅酸、六氟硅酸盐、六氟磷酸、六氟磷酸盐、氟硼酸、氟硼酸盐、三氟甲磺酸、三氟甲磺酸盐、氟磺酸、氟磺酸盐、和以上任一组合。/n

【技术特征摘要】
20190403 US 62/828,7241.一种用于去除蚀刻残余物的清洗液，其包括含氟化合物；
其中，该含氟化合物选自：氟化盐、氟代烷、六氟硅酸、六氟硅酸盐、六氟磷酸、六氟磷酸盐、氟硼酸、氟硼酸盐、三氟甲磺酸、三氟甲磺酸盐、氟磺酸、氟磺酸盐、和以上任一组合。


2.根据权利要求1所述的用于去除蚀刻残余物的清洗液，其中，该清洗液还包括添加剂；其中，该添加剂选自：含硅化合物、卤素含氧酸、氢卤酸、硝酸、硫酸、亚硫酸、磷酸、碳酸、氰酸、硼酸、有机酸、有机酸盐、一级胺、二级胺、三级胺、四级铵盐、烷基磺酸盐、烷基硫酸盐、烷基苯磺酸盐、烷基磷酸盐、烷基氧化胺、和以上任一组合。


3.根据权利要求2所述的用于去除蚀刻残余物的清洗液，其中，该含硅化合物具有以式I所示的结构：

其中，该R各自独立为氢原子、羟基、胺基、碳数为1至5的烷基、碳数为2至5的烯基、碳数为2至5的炔基、碳数为1至5的烷氧基、碳数为1至5的烷基胺基、磺酸基、磷酸基、膦酰基、或硫醇基。


4.根据权利要求2所述的用于去除蚀刻残余物的清洗液，其中，该含硅化合物具有以式II所示的结构：

其中，该R各自独立为氢原子、羟基、胺基、碳数为1至5的烷基、碳数为2至5的烯基、碳数为2至5的炔基、碳数为1至5的烷氧基、碳数为1至5的烷基胺基、磺酸基、磷酸基、膦酰基、或硫醇...

【专利技术属性】
技术研发人员：林建玮，蔡维哲，涂胜宏，黄右昕，何明哲，姜欣伶，曹恒光，
申请(专利权)人：悦盟先进化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71