一种晶片加工用胶带及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种晶片加工用胶带及其制造方法，涉及胶带领域，本发明专利技术中所用的基材膜的主要目的在于保护半导体晶片免受对半导体晶片的背面进行磨削加工时的冲击，丙烯腈‑丁二烯‑苯乙烯共聚物是一种强度高、韧性好、易于加工成型的热塑型高分子结构材料，然而，其抗冲击强度等性能不足；设置有三聚氰胺甲醛树脂为镀层包覆于所述大理石粉填料表面并经过偶联剂改性使得改性包覆型大理石填料表面致密，表面由亲水性变为疏水性，与丙烯腈‑丁二烯‑苯乙烯共聚物体系的相容性好；同时，通过在丙烯腈‑丁二烯‑苯乙烯共聚物体系中加入改性包覆型大理石填料，可显著提高整体体系的硬度性能，并保持其本身在韧性方面的优势。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片加工用胶带及其制造方法
本专利技术涉及胶带
，具体是一种晶片加工用胶带及其制造方法。
技术介绍
晶片加工用胶带，的主要目的在于保护半导体晶片免受对半导体晶片的背面进行磨削加工时的冲击，尤其重要的是具有对于水洗等的耐水性和加工部件的保持性，因此对于晶片加工用胶带的强度、韧性等力学性质有着较高的要求，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物是一种强度高、韧性好、易于加工成型的热塑型高分子结构材料，将其加入到晶片加工用胶带生产原料中用于提高韧性是可以想到的，然而，其抗冲击强度等性能不足，实际使用方面仍有缺陷和问题需要克服，因此，现提供一种晶片加工用胶带及其制造方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶片加工用胶带及其制造方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案:一种晶片加工用胶带，包括基材膜和粘结剂层，所述基材膜包括如下组分的原料:胶带树脂50-100份、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物20-50份、改性包覆型大理石填料10-30份；所述改性包覆型大理石填料是以大理石本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片加工用胶带，包括基材膜和粘结剂层，其特征在于，所述基材膜包括如下组分的原料:胶带树脂50-100份、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物20-50份、改性包覆型大理石填料10-30份；所述改性包覆型大理石填料是以大理石粉填料为核心，以三聚氰胺甲醛树脂为镀层包覆于所述大理石粉填料表面得到包覆型大理石填料，然后经过偶联剂改性得到。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶片加工用胶带，包括基材膜和粘结剂层，其特征在于，所述基材膜包括如下组分的原料:胶带树脂50-100份、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物20-50份、改性包覆型大理石填料10-30份；所述改性包覆型大理石填料是以大理石粉填料为核心，以三聚氰胺甲醛树脂为镀层包覆于所述大理石粉填料表面得到包覆型大理石填料，然后经过偶联剂改性得到。


2.根据权利要求1所述晶片加工用胶带，其特征在于，所述胶带树脂为聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或几种的混合物。


3.根据权利要求2所述晶片加工用胶带，其特征在于，所述基材膜的厚度为90μm-180μm。


4.根据权利要求3所述晶片加工用胶带，其特征在于，所述粘结剂层的粘合剂为紫外线固化型。


5.根据权利要求4所述晶片加工用胶带，其特征在于，所述改性包覆型大理石填料的制备方法，具体包括:1）制取三聚氰胺甲醛树脂预聚体：按照1:(1-5):(1-6)的重量比例取三聚氰胺、甲醛溶液以及蒸馏水并进行混合，其中，甲醛溶液质量分数为20%，在pH为7-8、温度为55-65℃的条件下反应1h，得到三聚氰胺甲醛树脂预聚体；2）包覆型大理石粉填料制取：按照1:(5-10)的重量比例取三聚氰胺甲醛树脂预聚体和表面活性剂水溶液搅拌混合1h，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈家豪，陈全炼，易小钗，
申请(专利权)人：稻兴科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44