【技术实现步骤摘要】
一种微爆法制备纳米锑掺杂氧化锡粉体的方法
本专利技术属于半导体材料粉体制备
,具体涉及一种微爆法制备纳米锑掺杂氧化锡(ATO)粉体的方法。
技术介绍
二氧化锡是一种宽带隙(Eg=3.6eV)的绝缘体材料,经锑掺杂后生成锑掺杂氧化锡(ATO),是一种半导体材料。ATO的导电性与目前市场上广泛应用的锡掺杂氧化铟(ITO)相近,因其具有更低的价格和更高的热稳定性,多用来作为ITO的替代品。作为半导体材料,ATO在电子、抗静电、透明隔热、储能电极等多方面具有广泛的应用。纳米ATO粉体制备方法有很多,工业上主要采用液相合成法,如共沉淀法、溶胶-凝胶法、水热法等。液相法制备纳米ATO粉体分为三个阶段:前驱体的合成、脱水干燥和退火处理。在前驱体的合成阶段,颗粒间的团聚一般是软团聚,而在后序脱水干燥和退火处理阶段,由于游离水分子的脱除形成很大的毛细管力,同时表面的化学吸附水或羟基的脱除会形成颗粒间的桥键作用等化学作用力,使纳米颗粒易于形成硬团聚,宏观上则形成较硬的块体。这给后续的研磨和分散造成极大的困难,需要更大的机械动力和更 ...
【技术保护点】
1.一种微爆法制备纳米锑掺杂氧化锡粉体的方法,其特征在于,包括如下步骤:/n1)将ATO前驱体浆料与硝酸铵水溶液混合并分散均匀,获得含硝酸铵的ATO前驱体浆料;/n2)向步骤1)所得含硝酸铵的ATO前驱体浆料中,加入含有机酸和乳化剂的乙醇溶液,并调节pH值为2~10,分散均匀;/n3)将步骤2)所得料液于40~120℃烘干,得到粉状ATO前驱体;/n4)将步骤3)所得粉状ATO前驱体在400~800℃下退火处理1~5 h,即得。/n
【技术特征摘要】
1.一种微爆法制备纳米锑掺杂氧化锡粉体的方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)将ATO前驱体浆料与硝酸铵水溶液混合并分散均匀,获得含硝酸铵的ATO前驱体浆料;
2)向步骤1)所得含硝酸铵的ATO前驱体浆料中,加入含有机酸和乳化剂的乙醇溶液,并调节pH值为2~10,分散均匀;
3)将步骤2)所得料液于40~120℃烘干,得到粉状ATO前驱体;
4)将步骤3)所得粉状ATO前驱体在400~800℃下退火处理1~5h,即得。
2.如权利要求1所述微爆法制备纳米锑掺杂氧化锡粉体的方法,其特征在于,步骤2)中,所述有机酸为油酸、亚油酸、月桂酸、硬脂酸、软脂酸和水杨酸中的任意一种或两种以上的混合物。
3.如权利要求1所述微爆法制备纳米锑掺杂氧化锡粉体的方法,其特征在于,步骤2)中,所述乳化剂为span系列、tween系列...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵晓伟,张经纬,张治军,
申请(专利权)人:河南大学,
类型:发明
国别省市:河南;41
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。