When an input node input AC voltage, circuit voltage at the output node output constant voltage, the voltage generating circuit, the AC voltage input node control charge transfer portion is disposed between the input nodes and the output nodes, the flow from the input node to the output node and the amount of charge from the output node to flow the charge amount of different input nodes. That is, the permissible charge moves from the input node to the output node, preventing the charge from flowing upstream from the output node to the input node. The voltage generating circuit consists of the following components: the first input node input AC voltage; second input node reference voltage input constant; between the first input node and output node connected to the first switching element; between the control terminal second input node and a first switching element connected to the second switching element is connected between the switching element third; and in the first switching element control terminal and an output node. The control terminal of the second and third switching elements is connected with the first input node.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用绝缘栅场效应晶体管的电压发生电路,特别涉及发生提升电源电压后的电压和与电源电压相反极性的电压的电压发生电路。
技术介绍
一直以来,作为用于发生比电源电压高的电压的电路,如图10中所示的升压电位发生电路为业界所知。该电路用于需要比电源电压更高电压的电路,例如用于DRAM或闪速存储器等存储器件的字线驱动电路的电源。图10中,1表示提供电压值为VDD的电源VDD的端子,2和3分别表示输入互为反相的重复信号φ、/φ(/φ表示信号φ的相位反相信号)的端子。这里,VDD可以在存储器件的内部电路中生成,或者从外部提供。同样地,φ和/φ可以在存储器件的内部电路生成,或者从外部提供。4表示在电源端子1与节点6之间连接,且其栅电极与节点7连接的N型场效应晶体管。5表示在电源端子1与节点7之间连接,且其栅电极与节点6连接的N型场效应晶体管。8表示在节点6与输入端子2之间连接的升压电容,9表示在节点7与输入端子3之间连接的升压电容。10表示在节点6与接地之间出现的寄生电容,12表示输出该升压电位发生电路的输出电压VPP的节点。11表示P型场效应晶体管,是一种漏电极与 ...
【技术保护点】
一种在输入节点输入交流电压,在输出节点输出恒定电压的电压发生电路,其中:由所述交流电压控制在输入节点与输出节点之间设置的电荷传送部分,使得从输入节点流到输出节点的电荷量与从输出节点流到输入节点的电荷量不同,从而形成无正向压降的整流器 。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
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