电流源装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电源领域的电流源装置，包括２个ＮＭＯＳ晶体管Ｍ０、Ｍ１；３个ＰＭＯＳ晶体管Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４和１个电阻Ｒ；电阻Ｒ的一端和Ｍ４的源极相连接，并连接到电源电压ＶＤＤ上；电阻Ｒ的另一端和Ｍ３的源极相连接，Ｍ４的栅极和漏极相连接，并连接到Ｍ２的源极上；Ｍ３的的栅极和Ｍ２的栅极相连接，并连接到Ｍ２的漏极和Ｍ０的漏极上；Ｍ３的漏极和Ｍ１的漏极相连接，并连接到Ｍ０和Ｍ１的栅极上；Ｍ０和Ｍ１的源极相连接，并连接到电源地ＧＮＤ上。本发明专利技术具有器件少、功耗低、设计简单、可靠性高等特点。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

Current source device

The invention discloses a current source power supply device in the field, including 2 NMOS transistors M0, M1; 3 PMOS, M3, M4 and M2 transistor 1 resistor R; end resistance R and M4 source electrode connected, and connected to the power supply voltage of VDD; the other end of the resistor R and M3 the source electrode connection, connect the M4 gate and drain electrode, and connected to the M2 source; M3 gate and M2 gate is connected and connected to the drain of the M2 and M0 drain; the drain of the M3 and M1 drain electrode connected, and connected to the gate of M0 and M1 the M0 and M1; the source electrode is connected, and connected to the power supply to the GND. The invention has the advantages of few devices, low power consumption, simple design, high reliability, etc..

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源领域，尤其涉及模拟电路中和电源电压无关的电流源装置。
技术介绍
在模拟电路中，电源电压的波动往往会导致电流的波动，电流的波动会降低电路的性能，严重时甚至会使电路的功能无法实现。因此，如何产生一个和电源电压无关的电流是个非常重要的问题。现有做法往往是先用带隙基准源产生一个与电源电压无关的电平，然后用这个电平去得到一个与电源电压无关的电流。图1为用带隙基准源产生一个与电源电压无关的电流的示意图，图中MOS晶体管M0，M1，双极晶体管Q0，Q1，电阻R和运算放大器实现了带隙基准源，然后通过MOS晶体管M2得到一个与电源电压无关的电流。从图中可以看出，这种方法的主要缺点是器件多、功耗大、设计复杂、可靠性低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提出一种电流源装置，以期克服现有技术存在的器件多、功耗大、设计复杂、可靠性低等缺点。本专利技术所构造的电流源装置，包括2个NMOS晶体管M0、M1；3个PMOS晶体管M2、M3、M4和1个电阻R；所述电阻R的一端和PMOS晶体管M4的源极相连接，并连接到电源电压VDD上；电阻R的另一端和PMOS晶体管M3的源极相连接，PMOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流源装置，其特征在于，包括２个ＮＭＯＳ晶体管Ｍ０、Ｍ１；３个ＰＭＯＳ晶体管Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４和１个电阻Ｒ；所述电阻Ｒ的一端和ＰＭＯＳ晶体管Ｍ４的源极相连接，并连接到电源电压ＶＤＤ上；电阻Ｒ的另一端和ＰＭＯＳ晶体管Ｍ３的源极相连接 ，ＰＭＯＳ晶体管Ｍ４的栅极和漏极相连接，并连接到ＰＭＯＳ晶体管Ｍ２的源极上；ＰＭＯＳ晶体管Ｍ３的的栅极和ＰＭＯＳ晶体管Ｍ２的栅极相连接，并连接到ＰＭＯＳ晶体管Ｍ２的漏极和ＮＭＯＳ晶体管Ｍ０的漏极上；ＰＭＯＳ晶体管Ｍ３的漏极和ＮＭＯＳ晶体管Ｍ１的漏极相连接，并连接到ＮＭＯＳ晶体管Ｍ０和ＮＭＯＳ晶体管Ｍ１的栅极上；ＮＭＯＳ晶体管Ｍ０和ＮＭＯＳ晶体管Ｍ１的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚海霆，吴小晔，李梅，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]