The invention is characterized by using the PMOS device (22, 24, 26, 28, 30 and 32) to obtain a charge pump of integrated circuit (20) switches, while maintaining a maximum voltage on each transistor drop (less than VDD). The charge pump is a symmetrical structure, which comprises a pump and a node (48, 50) pump capacitor connection (34, 36), and an input node (IN, 42) first connect the PMOS device (22, 28), and an output node (OUT, 44) article connect the PMOS device (24, 30), a third PMOS device and the first PMOS device is electrically connected (26, 32), and the first PMOS device connected to the auxiliary capacitor (38, 40).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及电荷泵电路领域。
技术介绍
电荷泵电路常常用于半导体集成电路中以提供一比一电源(通常为一电池)的电压为高的电压或者一反极性电压。这些电路在闪存及EEPROM非易失性存储器中特别有用，但是为了增加动态范围和简化电路设计，在模拟电路中也得到了越来越多的应用。一种最常用的电荷泵电路是如图1所示的Dickson电荷泵10，其特征在于其具有开关电容器多级电路。每一级由一电容器12和一用作为一二极管的NMOS型晶体管14构成。这些晶体管的本体或基底接地，其漏极和栅极一起连接到该级的电容器，而其源极则连接到下一级的电容器。两个反相的时钟(图中未示出)将电荷从一级泵到另一级。该Dickson电荷泵10每级的最大增益为(VDD-VT)，其中VT为一NMOS器件的阈电压。对于某些应用来说，该Dickson电荷泵10具有许多缺点。例如，能够级联的级的级数受限于在一NMOS器件的源极和本体之间的电压降增加，其导致最后一级上的VT有一显著的增大。另一主要缺点是必需要用厚氧化物及高电压的专用晶体管以便以一可靠的方式承受一在栅极和本体之间的大的电压降...
【技术保护点】
一种在一集成电路内部产生一电源电压的装置，其包括：一包括一第一子结构和一第二子结构的对称的电荷泵级结构，每一所述子结构具有一与一泵节点连接的泵电容器、一与一输入节点连接的第一ＰＭＯＳ器件，所述第一ＰＭＯＳ器件配置成与所述泵电容器电连 通，其中所述第一ＰＭＯＳ器件配置成在所述泵电容器没有升压时使所述泵节点与所述输入节点连接；一与一输出节点连接的第二ＰＭＯＳ器件，所述第二ＰＭＯＳ器件配置成与所述泵电容器电连通，所述第二ＰＭＯＳ器件配置成在所述泵电容器升压时使电荷自所 述泵节点传递至所述输出节点，所述第二ＰＭＯＳ器件配置成在所述泵电容器没有升压时防止一...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：JM达佳，E拉克普，
申请(专利权)人：爱特梅尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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