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本发明的特点在于利用ＰＭＯＳ器件（２２、２４、２６、２８、３０和３２）来获得一集成电路电荷泵（２０）的开关，同时保持每一晶体管上的最大电压降（低于ＶＤＤ）。该电荷泵为一对称的结构，其包括一与一泵节点（４８，５０）连接的泵电容器（３４，３６）...
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