一种SiP材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种SiP材料及其制备方法和应用，本发明专利技术通过化学气相输运法(CVT法)并引入改性剂，经过高温煅烧成功将P型半导体SiP变为N型半导体SiP，大大增强了材料光催化性能的活性和稳定性，该材料在光催化领域表现出优异的性能，为开发清洁能源和保护环境助力。

【技术实现步骤摘要】
一种SiP材料及其制备方法和应用
本专利技术属于新能源材料
，具体涉及一种SiP材料及其制备方法和应用。
技术介绍
发展半导体光催化技术对于解决化石能源不可持续及保护生态环境有着重要的意义，主要是由于该技术反应条件温和，利用的是清洁太阳能来产生化学能。当前已报道的高活性光催化材料部分负载的是Pt、Au等贵金属，增加了技术推广成本；同时这些材料的带隙决定了它们只能利用太阳光中的紫外波段，而该波段在太阳光中占的比例极低，大大降低了对太阳能的利用率。SiP作为一种P型间接带隙半导体，在光通讯领域已经是一种“明星”材料，被认为是发展硅光子技术极具潜力的半导体材料。而P型半导体由空穴进行导通，其中空穴若不能及时导出，会造成材料的自身腐蚀，严重影响材料的稳定性。
技术实现思路
为了解决上述
技术介绍
中所提出的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种SiP材料及其制备方法和应用。为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案为：一方面，本专利技术提供了一种SiP材料，所述SiP材料为N型SiP材料。另一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiP材料，其特征在于，所述SiP材料为N型SiP材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种SiP材料，其特征在于，所述SiP材料为N型SiP材料。


2.权利要求1所述的SiP材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将硅粉、磷源、输运剂和改性剂混合均匀；
(2)将其放入反应容器后进行抽真空密封，在加热装置中高温煅烧得到SiP材料；
所述改性剂包括金属硫化物、金属硒化物、金属碲化物中的一种或几种的组合。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述硅粉、磷源、输运剂、改性剂的物质的量比为1：1：0.001-0.5：0.001-0.5；
优选地，步骤(1)中所述磷源为红磷、黄磷、白磷、纤维磷、紫磷、三碘化磷中的一种或几种的组合；
优选地，步骤(1)中所述输运剂为碘单质、碘化物中的一种或几种的组合；更优选地，所述碘化物为固态，包括金属碘化物和非金属碘化物。


4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述加热装置为单温区管式炉、多温区(双温区及以上)管式炉、马弗炉、箱式炉、微波炉或单晶炉中的一种；
优选地，步骤(2)中所述高温煅烧的温度为800～1200℃，所述高温煅烧的时间为0.1～240h。


5.一种非贵金属助催化剂负载SiP材料，其特征在于，所述非贵金属助催化剂负载SiP材料为在权利要求1所述的SiP材料上负载非贵金属助催化剂。


6.根据权利要求5所述的非贵金属助催化剂负载SiP材料，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佳宏，杨环环，喻学锋，喻彬璐，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44