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本发明公开了一种SiP材料及其制备方法和应用，本发明通过化学气相输运法(CVT法)并引入改性剂，经过高温煅烧成功将P型半导体SiP变为N型半导体SiP，大大增强了材料光催化性能的活性和稳定性，该材料在光催化领域表现出优异的性能，为开发清洁能...
该专利属于中国科学院深圳先进技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院深圳先进技术研究院授权不得商用。

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