一种SiP制造技术

本发明专利技术涉及光催化半导体材料技术领域，具体为一种SiP

【技术实现步骤摘要】
一种SiP2量子点/光催化材料及其制备方法
本专利技术涉及光催化半导体材料
，具体为一种SiP2量子点/光催化材料及其制备方法。
技术介绍
二十一世纪，环境污染与能源危机依然是人类社会发展过程中亟待解决的难题。因此，开发和利用清洁的可再生资源(如：太阳能、水能、风能、生物质能等)至关重要。20世纪70年代，随着“氢能经济”的提出，氢能作为一种理想的清洁能源日益受到重视。但是，氢能的制取须由消耗一次能源进行，传统制法面临着化石能源消耗及CO2排放问题，不能有效缓解上述两大危机。太阳能是取之不尽的一次能源，而占地球表面面积70％的水资源里蕴藏着充足的氢源，经过太阳光的照射，可将水分解产生氢气，而氢气作为燃料燃烧之后又生成了水，该过程清洁无污染，是一个良性循环。因此，使用太阳能从水中产生氢(H2)被认为是解决全球能源问题的一种有前途的策略，尤其是通过利用半导体光催化剂进行光催化水分解已显示出巨大的潜力。然而，尽管在过去的几十年中在该领域取得了巨大的成就，但是通过太阳能进行光催化的技术还存在一些改进的空间，光催化反应还存在着可见光利用效率不高、光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiP

【技术特征摘要】
1.一种SiP2量子点/光催化复合材料的制备方法，其特征在于：通过机械剥离的的方法将大颗粒的SiP2单晶超声成小尺寸的SiP2量子点，然后通过滴加、旋涂或者浸渍的方法将SiP2量子点均匀的覆盖在光催化材料的表面得到SiP2/光催化材料复合材料。


2.如权利要求1所述的SiP2量子点/光催化复合材料的制备方法，其特征在于：所述光催化材料为TiO2纳米材料。


3.如权利要求1或2所述的SiP2量子点/光催化复合材料的制备方法，其特征在于：将SiP2量子点均匀的覆盖在光催化材料的表面时，调节SiP2的浓度从0.1mg/ml～0.5mg/ml。


4.如权利要求1或2所述的SiP2量子点/光催化复合材料的制备方法，其特征在于：SiP2量子点的制备步骤如下：将原料按照Si、P、Sn、Gd按比例进行配料并充分混合均匀，转移到石英管中，将石英管用分子泵抽真空后，采用氢氧焰进行封结，将石英管置于合成炉中进行烧结，然后关闭炉子，冷却至室温；将烧结后的样品置于稀盐酸中浸泡，然后采用乙醇清洗干净并烘干，得到SiP2单晶；将上述获得的SiP2乙醇溶液超声然后离心取上清液，得到厚度小尺寸的SiP2量子点。


5.如权利要求4所述的SiP2量子点/光催化复合材料的制备方法，其特征在于：烧结过程的控温程序如下：初始温度为室温，缓慢升温至723K，并恒温36h，然后经36h升温到97...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘盈，张赛楠，于童童，王道爱，
申请(专利权)人：中国海洋大学，青岛市资源化学与新材料研究中心中国科学院兰州化学物理研究所青岛研究发展中心，
类型：发明
国别省市：山东;37