整流电路、RFID标签芯片和RFID标签制造技术

本实用新型专利技术公开了一种整流电路、RFID标签芯片和RFID标签，一种整流电路，包括：第一晶体管的G与VIN的A端连接、D与VIN的B端连接、S和B与第二晶体管的S和B连接在一起并接地，第二晶体管的G与VIN的B端连接、D与VIN的A端连接；第三晶体管的G与第四晶体管的G连接、D与VIN的B端连接、S和B与第四晶体管的S和B连接在一起并与第一电阻连接，第四晶体管的D与VIN的A端连接；第一电阻与第一电容连接并作为整流电路的VOUT，第一电容接地，输出电压采样电路连接于VIN和第三晶体管的G和第四晶体管的G之间并接地。本实用新型专利技术实施例公开的整流电路、RFID标签芯片和RFID标签，能够提高整流电路的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
整流电路、RFID标签芯片和RFID标签
本技术实施例涉及电路技术，尤其涉及一种整流电路、RFID标签芯片和RFID标签。
技术介绍
对于无源射频识别(RadioFrequencyIdentification，RFID)电子标签模拟前端中的电源部分而言，整流电路是其关键组成部分。电子标签从天线获得的交流电压信号只有经过整流电路，才能转变为直流电压，再由稳压电路稳压后用来给芯片供电。整流电路需要满足两个基本条件，一方面整流电路的输出电压要高，另一方面整流电路的转换效率要高。传统的电路结构中，往往采用由四个二极管构成的桥式整流结构组成整流电路。图1为传统的整流电路的示意图，如图1所示，D11、D12、D13和D14四个二极管组成桥式整流结构，在电压输出端还连接有电阻R15和电容C16。那么图1所示整流电路的输出电压VOUT与输入电压VIN的关系为：VOUT＝VIN-2Vov，其中Vov是二极管导通电压压降，即输出电压要比输入电压少两个二极管导通压降，造成了能量的大量浪费。目前在RFID电子标签中，一般使用二极管连接方式的金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)，简称场效应管(MOS管)来替代图1中的四个二极管。但即便如此，二极管连接方式的MOS管上仍然会产生大小为MOS管导通阈值电压的压降，从而将对整流电路的工作性能产生影响。
技术实现思路
本技术提供一种整流电路、RFID标签芯片和RFID标签，用于提高整流电路的工作效率。第一方面，本技术实施例提供一种整流电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电阻、第一电容和输出电压采样电路；第一晶体管的栅极与整流电路的交流输入侧的第一端连接，第一晶体管的漏极与交流输入侧的第二端连接，第一晶体管的源极和背栅极与第二晶体管的源极和背栅极连接在一起并接地，第二晶体管的栅极与交流输入侧的第二端连接，第二晶体管的漏极与交流输入侧的第一端连接；第三晶体管的栅极与第四晶体管的栅极连接，第三晶体管的漏极与交流输入侧的第二端连接，第三晶体管的源极和背栅极与第四晶体管的源极和背栅极连接在一起并与第一电阻的第一端连接，第四晶体管的漏极与交流输入侧的第一端连接；第一电阻的第二端与第一电容的上极板连接并作为整流电路的直流输出端，第一电容的下极板接地；将第三晶体管的栅极和第四晶体管的栅极的连接点作为电压侦测端，输出电压采样电路连接于直流输出端和电压侦测端之间并接地；输出电压采样电路用于对输出电压端的电压和电压侦测端的电压进行检测，使得电压侦测端的电压等于输出电压端的电压与第三晶体管或第四晶体管的导通电压之差。在第一方面一种可能的实现方式中，输出电压采样电路包括第五晶体管、第二电阻和第二电容；第五晶体管的漏极与直流输出端连接，第五晶体管的栅极、背栅极和源极连接在一起作为电压侦测端，电压侦测端与第三晶体管的栅极和第四晶体管的栅极连接；第二电阻的第一端和第二电容的第一端均与电压侦测端连接，第二电阻的第二端和第二电容的第二端均接地。在第一方面一种可能的实现方式中，第二电阻由电流源替代。在第一方面一种可能的实现方式中，第五晶体管为P沟道型晶体管。在第一方面一种可能的实现方式中，第一晶体管和第二晶体管相同，第三晶体管和第四晶体管相同。在第一方面一种可能的实现方式中，第一晶体管和第二晶体管均为N沟道型晶体管，第三晶体管和第四晶体管均为P沟道型晶体管。第二方面，本技术实施例提供一种RFID标签芯片，包括：整流电路、稳压电路和解码电路；整流电路用于对接收到的RFID交流电压信号进行整流处理，稳压电路用于对整流后的RFID直流电压信号进行稳压处理，解码电路用于对稳压后的RFID直流电压信号进行解码处理；整流电路包括如第一方面任一种实现方式的整流电路。在第二方面一种可能的实现方式中，RFID标签芯片还包括滤波电路，滤波电路用于对整流后的RFID直流电压信号进行滤波处理。在第二方面一种可能的实现方式中，RFID标签芯片是一种符合ISO15693协议的RFID标签芯片。第三方面，本技术实施例提供一种RFID标签，包括天线和RFID标签芯片；天线用于接收RFID交流电压信号，并将接收的RFID交流电压信号输入RFID标签芯片，RFID标签芯片用于对接收到的RFID交流电压信号进行解码处理；RFID标签芯片包括如第二方面任一种方式的RFID标签芯片。本技术实施例提供的整流电路、RFID标签芯片和RFID标签，第一晶体管的栅极与整流电路的交流输入侧的第一端连接，第一晶体管的漏极与交流输入侧的第二端连接，第一晶体管的源极和背栅极与第二晶体管的源极和背栅极连接在一起并接地，第二晶体管的栅极与交流输入侧的第二端连接，第二晶体管的漏极与交流输入侧的第一端连接；第三晶体管的栅极与第四晶体管的栅极连接，第三晶体管的漏极与交流输入侧的第二端连接，第三晶体管的源极和背栅极与第四晶体管的源极和背栅极连接在一起并与第一电阻的第一端连接，第四晶体管的漏极与交流输入侧的第一端连接；第一电阻的第二端与第一电容的上极板连接并作为整流电路的直流输出端，第一电容的下极板接地，将第三晶体管的栅极和第四晶体管的栅极的连接点作为电压侦测端，输出电压采样电路连接于直流输出端和电压侦测端之间并接地，输出电压采样电路用于对输出电压端的电压和电压侦测端的电压进行检测，使得电压侦测端的电压等于输出电压端的电压与第三晶体管或第四晶体管的导通电压之差，由于第一晶体管和第二晶体管采用交叉式接法连接，使得整流电路减少了一个晶体管导通阈值电压的压降，而输出电压采样电路使得整流电路减少了另一个晶体管导通阈值电压的压降，因此本实施例提供的整流电路的输出电压与输入电压相等，从而提高了整流电路的工作效率。附图说明图1为传统的整流电路的示意图；图2为本技术实施例提供的整流电路的结构示意图；图3为本技术实施例提供的另一种整流电路的结构示意图；图4为本技术实施例提供的RFID标签芯片的结构示意图；图5为本技术实施例提供的RFID标签的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。图2为本技术实施例提供的整流电路的结构示意图，如图2所示，本实施例提供的整流电路包括：第一晶体管M21、第二晶体管M22、第三晶体管M23、第四晶体管M24、第一电阻R25、第一电容C26和输出电压采样电路27。其中第一晶体管M21、第二晶体管M22、第三晶体管M23和第四晶体管M24可以为MOS管。在一实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整流电路，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电阻、第一电容和输出电压采样电路；/n所述第一晶体管的栅极与所述整流电路的交流输入侧的第一端连接，所述第一晶体管的漏极与所述交流输入侧的第二端连接，所述第一晶体管的源极和背栅极与所述第二晶体管的源极和背栅极连接在一起并接地，所述第二晶体管的栅极与所述交流输入侧的第二端连接，所述第二晶体管的漏极与所述交流输入侧的第一端连接；/n所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极连接，所述第三晶体管的漏极与所述交流输入侧的第二端连接，所述第三晶体管的源极和背栅极与所述第四晶体管的源极和背栅极连接在一起并与所述第一电阻的第一端连接，所述第四晶体管的漏极与所述交流输入侧的第一端连接；/n所述第一电阻的第二端与所述第一电容的上极板连接并作为所述整流电路的直流输出端，所述第一电容的下极板接地；/n将所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极的连接点作为电压侦测端，所述输出电压采样电路连接于所述直流输出端和所述电压侦测端之间并接地；/n所述输出电压采样电路用于对所述输出电压端的电压和所述电压侦测端的电压进行检测，使得所述电压侦测端的电压等于所述输出电压端的电压与所述第三晶体管或所述第四晶体管的导通电压之差。/n...

【技术特征摘要】
1.一种整流电路，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电阻、第一电容和输出电压采样电路；
所述第一晶体管的栅极与所述整流电路的交流输入侧的第一端连接，所述第一晶体管的漏极与所述交流输入侧的第二端连接，所述第一晶体管的源极和背栅极与所述第二晶体管的源极和背栅极连接在一起并接地，所述第二晶体管的栅极与所述交流输入侧的第二端连接，所述第二晶体管的漏极与所述交流输入侧的第一端连接；
所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极连接，所述第三晶体管的漏极与所述交流输入侧的第二端连接，所述第三晶体管的源极和背栅极与所述第四晶体管的源极和背栅极连接在一起并与所述第一电阻的第一端连接，所述第四晶体管的漏极与所述交流输入侧的第一端连接；
所述第一电阻的第二端与所述第一电容的上极板连接并作为所述整流电路的直流输出端，所述第一电容的下极板接地；
将所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极的连接点作为电压侦测端，所述输出电压采样电路连接于所述直流输出端和所述电压侦测端之间并接地；
所述输出电压采样电路用于对所述输出电压端的电压和所述电压侦测端的电压进行检测，使得所述电压侦测端的电压等于所述输出电压端的电压与所述第三晶体管或所述第四晶体管的导通电压之差。


2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述输出电压采样电路包括第五晶体管、第二电阻和第二电容；
所述第五晶体管的漏极与所述直流输出端连接，所述第五晶体管的栅极、背栅极和源极连接在一起作为电压侦测端，所述电压侦测端与所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极连接；
所述第二电阻的第一端和所述第二电容的第一端均与所述电压侦测端连接，所述第二电阻的第二端和所述第二电容的第二端均接地。

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊荣，岑玮，刘春艳，刘小燕，陶维平，沈东京，
申请(专利权)人：上海天臣射频技术有限公司，上海天臣防伪技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31