整流电路、RFID标签芯片和RFID标签制造技术

本实用新型专利技术公开了一种整流电路、RFID标签芯片和RFID标签，一种整流电路，包括：第一晶体管的G与VIN的A端连接、D与VIN的B端连接、S和B与第二晶体管的S和B连接在一起并接地，第二晶体管的G与VIN的B端连接、D与VIN的A端连接；第三晶体管的G与第四晶体管的G连接、D与VIN的B端连接、S和B与第四晶体管的S和B连接在一起并与第一电阻连接，第四晶体管的D与VIN的A端连接；第一电阻与第一电容连接并作为整流电路的VOUT，第一电容接地，输出电压采样电路连接于VIN和第三晶体管的G和第四晶体管的G之间并接地。本实用新型专利技术实施例公开的整流电路、RFID标签芯片和RFID标签，能够提高整流电路的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
整流电路、RFID标签芯片和RFID标签
本技术实施例涉及电路技术，尤其涉及一种整流电路、RFID标签芯片和RFID标签。
技术介绍
对于无源射频识别(RadioFrequencyIdentification，RFID)电子标签模拟前端中的电源部分而言，整流电路是其关键组成部分。电子标签从天线获得的交流电压信号只有经过整流电路，才能转变为直流电压，再由稳压电路稳压后用来给芯片供电。整流电路需要满足两个基本条件，一方面整流电路的输出电压要高，另一方面整流电路的转换效率要高。传统的电路结构中，往往采用由四个二极管构成的桥式整流结构组成整流电路。图1为传统的整流电路的示意图，如图1所示，D11、D12、D13和D14四个二极管组成桥式整流结构，在电压输出端还连接有电阻R15和电容C16。那么图1所示整流电路的输出电压VOUT与输入电压VIN的关系为：VOUT＝VIN-2Vov，其中Vov是二极管导通电压压降，即输出电压要比输入电压少两个二极管导通压降，造成了能量的大量浪费。目前在RFID电子标签中，一般使用二极管连接方式的金氧半场效晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整流电路，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电阻、第一电容和输出电压采样电路；/n所述第一晶体管的栅极与所述整流电路的交流输入侧的第一端连接，所述第一晶体管的漏极与所述交流输入侧的第二端连接，所述第一晶体管的源极和背栅极与所述第二晶体管的源极和背栅极连接在一起并接地，所述第二晶体管的栅极与所述交流输入侧的第二端连接，所述第二晶体管的漏极与所述交流输入侧的第一端连接；/n所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极连接，所述第三晶体管的漏极与所述交流输入侧的第二端连接，所述第三晶体管的源极和背栅极与所述第四晶体管的源极和背栅极连接在一起并与所述第一电阻的...

【技术特征摘要】
1.一种整流电路，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电阻、第一电容和输出电压采样电路；
所述第一晶体管的栅极与所述整流电路的交流输入侧的第一端连接，所述第一晶体管的漏极与所述交流输入侧的第二端连接，所述第一晶体管的源极和背栅极与所述第二晶体管的源极和背栅极连接在一起并接地，所述第二晶体管的栅极与所述交流输入侧的第二端连接，所述第二晶体管的漏极与所述交流输入侧的第一端连接；
所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极连接，所述第三晶体管的漏极与所述交流输入侧的第二端连接，所述第三晶体管的源极和背栅极与所述第四晶体管的源极和背栅极连接在一起并与所述第一电阻的第一端连接，所述第四晶体管的漏极与所述交流输入侧的第一端连接；
所述第一电阻的第二端与所述第一电容的上极板连接并作为所述整流电路的直流输出端，所述第一电容的下极板接地；
将所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极的连接点作为电压侦测端，所述输出电压采样电路连接于所述直流输出端和所述电压侦测端之间并接地；
所述输出电压采样电路用于对所述输出电压端的电压和所述电压侦测端的电压进行检测，使得所述电压侦测端的电压等于所述输出电压端的电压与所述第三晶体管或所述第四晶体管的导通电压之差。


2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述输出电压采样电路包括第五晶体管、第二电阻和第二电容；
所述第五晶体管的漏极与所述直流输出端连接，所述第五晶体管的栅极、背栅极和源极连接在一起作为电压侦测端，所述电压侦测端与所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极连接；
所述第二电阻的第一端和所述第二电容的第一端均与所述电压侦测端连接，所述第二电阻的第二端和所述第二电容的第二端均接地。

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊荣，岑玮，刘春艳，刘小燕，陶维平，沈东京，
申请(专利权)人：上海天臣射频技术有限公司，上海天臣防伪技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31