异质结太阳能电池及光伏组件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及异质结太阳能电池包括包括单晶硅衬底，依次层叠设置于所述单晶硅衬底受光面的正面非晶结构膜层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述单晶硅衬底背面的背光面非晶结构膜层、第二透明导电膜层以及第二集电极；所述正面非晶结构膜层的厚度小于所述背面非晶结构膜的厚度；本实用新型专利技术提供的异质结太阳能电池可以有效降低太阳光在经过正面非晶结构膜层时的损耗，进而可提高异质结太阳能电池的短路电流，有利于光电转化效率的优化。

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池及光伏组件
本技术涉及光伏制造领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
异质结太阳能电池是目前一种较为高效的晶硅太阳能电池，其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。图1所示为现有技术所涉及异质结太阳能电池的结构示意图，其自上至下依次包括第一集电极51＇、第一透明导电膜层41＇、第一掺杂非晶层31＇、第一本征非晶层21＇、单晶硅衬底10＇、第二本征非晶层22＇、第二掺杂非晶层32＇、第二透明导电膜层42＇、第二集电极52＇，其中，第一本征非晶层21＇与第一掺杂非晶层31＇构成异质结电池的正面非晶结构膜层，第二本征非晶层22＇、第二掺杂非晶层32＇构成异质结电池的背面非晶结构膜层。现有技术所涉及异质结太阳能电池位于单晶硅衬底10＇两侧的非晶层通常为对称设计，即正面非晶结构膜层的厚度与背面非晶结构膜层的厚度一致。如此在太阳光穿透异质结太阳能电池正面的正面非晶结构膜层时具有较大的损失。有鉴于此，有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。...

【技术保护点】
1.一种异质结太阳能电池，包括：单晶硅衬底，依次层叠设置于所述单晶硅衬底正面的正面非晶结构膜层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述单晶硅衬底背光面的背面非晶结构膜层、第二透明导电膜层以及第二集电极；其特征在于，所述正面非晶结构膜层的厚度小于所述背面非晶结构膜的厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，包括：单晶硅衬底，依次层叠设置于所述单晶硅衬底正面的正面非晶结构膜层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述单晶硅衬底背光面的背面非晶结构膜层、第二透明导电膜层以及第二集电极；其特征在于，所述正面非晶结构膜层的厚度小于所述背面非晶结构膜的厚度。


2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面非晶结构膜层的厚度为6-21nm，所述背面非晶结构膜层的厚度为7-30nm。


3.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面非晶结构膜层包括依次层叠设置于所述单晶硅衬底受光面的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层，所述背面非晶结构膜层包括依次层叠设置于所述单晶硅衬底背光面的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂非晶层相反的第二掺杂非晶层，所述第一本征非晶层的厚度小于或等于所述第二本征非晶层的厚度，所述第一掺杂非晶层的厚度小于或等于所述第二掺杂非晶层的厚度。


4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层的厚度为3-15nm，所述第二掺杂非晶层的厚度为3-20nm。


5.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层包括位于所述第一本征非晶层表面的第一掺杂非晶硅膜以及位于所述第一掺杂非晶硅膜表面的掺杂非晶氧化硅膜、掺杂非晶碳化硅膜或掺杂非晶碳化硅/掺杂非晶氧化硅复合膜。


6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶硅膜的厚度小于所述掺杂非晶氧化硅膜、所述掺杂非晶碳化硅膜或所述掺杂非晶碳化硅/掺杂非晶氧化硅复合膜的厚度。


7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚铮，吴华德，张达奇，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33