【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池
本技术涉及光伏制造领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池。
技术介绍
异质结太阳能电池是目前一种较为高效的晶硅太阳能电池，其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。图1所示为现有技术所涉及异质结太阳能电池的结构示意图，其自上至下依次包括第一集电极51＇、第一透明导电膜层41＇、第一掺杂非晶层31＇、第一本征非晶层21＇、单晶硅衬底10＇、第二本征非晶层22＇、第二掺杂非晶层32＇、第二透明导电膜层42＇、第二集电极52＇。在现有技术异质结太阳能电池具体制作过程中，通常先通过PECVD工艺完成单晶硅衬底10＇两表面第一本征非晶层21＇、第二本征非晶层22＇、第一掺杂非晶层31＇、第二掺杂非晶层32＇共四层非晶硅层的制作；继而PVD工艺进行第一透明导电膜层41＇与第二透明导电膜层42＇的制作；最后通过丝网印刷工艺进行第一集电极51＇与第二集电极52＇的制作。在四层非晶硅层的具体制作过程中，现有技术均需要通过布置金属掩模，使得第一本征非晶层21＇、...
【技术保护点】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：/n单晶硅衬底，所述单晶硅衬底具有相背设置的第一主面与第二主面、以及连接所述第一主面与所述第二主面的侧面，所述第一主面与所述第二主面中的一个为受光面，另一个为背光面；/n第一非晶膜，覆盖所述单晶硅衬底的第一主面与侧面，由所述单晶硅衬底指向所述第一非晶膜的方向上，所述第一非晶膜包括依次层叠设置的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层；/n第一透明导电膜层，位于所述第一非晶膜背离所述单晶硅衬底的一侧表面；/n第一集电极，位于所述第一透明导电膜层背离所述第一非晶膜的一侧表面；/n第二非晶膜，位于所述单晶硅衬底的第二主面，由所述单晶硅衬底指向所述...
【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：
单晶硅衬底，所述单晶硅衬底具有相背设置的第一主面与第二主面、以及连接所述第一主面与所述第二主面的侧面，所述第一主面与所述第二主面中的一个为受光面，另一个为背光面；
第一非晶膜，覆盖所述单晶硅衬底的第一主面与侧面，由所述单晶硅衬底指向所述第一非晶膜的方向上，所述第一非晶膜包括依次层叠设置的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层；
第一透明导电膜层，位于所述第一非晶膜背离所述单晶硅衬底的一侧表面；
第一集电极，位于所述第一透明导电膜层背离所述第一非晶膜的一侧表面；
第二非晶膜，位于所述单晶硅衬底的第二主面，由所述单晶硅衬底指向所述第二非晶膜的方向上，所述第二非晶膜包括依次层叠设置的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂非晶层掺杂类型相反的第二掺杂非晶层；
第二透明导电膜层，位于所述第二非晶膜背离所述单晶硅衬底的一侧表面；
第二集电极，位于所述第二透明导电膜层背离所述第二非晶膜的一侧表面；
所述第一非晶膜与所述第二非晶膜中位于所述受光面的厚度小于或等于位于所述背光面的厚度。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一非晶膜与所述第二非晶膜中位于所述受光面的厚度为6-21nm、位于所述背光面的厚度为7-30nm。
3.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层中位于所述受光面的厚度小于或等于位于所述背光面的厚度。
4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层中位于所述受光面的厚度为3-6nm，位于所述背光面的厚度为4-10nm。
5.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面一侧的厚度小于或等于位于所述背光面一侧的厚度。
6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面一侧的厚度为3-15nm，位于所述背光面一侧的厚度为3-20nm。
7.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，由所述背光面指向所述受光面的方向上，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的依次包括第一掺杂非晶硅膜以及位于所述第一掺杂非晶硅膜表面的掺杂非晶氧化硅膜、掺杂非晶碳化硅膜或掺杂非晶碳化硅/掺杂非晶氧化硅复合膜。
8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的还...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚铮，吴华德，张达奇，吴坚，蒋方丹，邢国强，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。