异质结太阳能电池片及光伏组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种异质结太阳能电池片及光伏组件，所涉及的异质结太阳能电池片中本征非晶层覆于单晶硅衬底外表面且对单晶硅衬底侧表面形成完全包覆，导电膜层覆于第一掺杂非晶层与第二掺杂非晶层外表面且遮挡单晶硅衬底侧表面，基于本实用新型专利技术异质结太阳能电池的具体结构，其具有较好的颜色均一性，而且单晶硅衬底具有最大程度的钝化效果，可有效提高异质结太阳能电池的光电转化效率。

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池片及光伏组件
本技术涉及光伏制造领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池片及光伏组件。
技术介绍
异质结太阳能电池是目前一种较为高效的晶硅太阳能电池，其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。图1所示为现有技术所涉及异质结太阳能电池的结构示意图，其自上至下依次包括第一集电极51＇、第一导电膜层41＇、第一掺杂非晶层31＇、第一本征非晶层21＇、单晶硅衬底10＇、第二本征非晶层22＇、第二掺杂非晶层32＇、第二导电膜层42＇、第二集电极52＇。在现有技术异质结太阳能电池具体制作过程中，通常先通过PECVD工艺完成单晶硅衬底10＇两侧第一本征非晶层21＇、第二本征非晶层22＇、第一掺杂非晶层31＇、第二掺杂非晶层32＇四层非晶硅层的制作。继而采用图2所示的载板40a进行第一导电膜层41＇与第二导电膜层42＇的制作，具体而言，将已完成四层非晶硅层制作的单晶硅衬底10＇放置于载板40a的通孔内，为对单晶硅衬底10＇形成支撑且避免第一导电膜层41＇经通孔绕镀与第二导电膜层42＇形成电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种异质结太阳能电池片，其特征在于，所述异质结太阳能电池片包括单晶硅衬底、覆于所述单晶硅衬底外表面且对所述单晶硅衬底侧表面形成完全包覆的本征非晶层、覆于所述本征非晶层外且位于所述单晶硅衬底第一主表面侧的第一掺杂非晶层、覆于所述本征非晶层外且位于所述单晶硅衬底第二主表面侧的掺杂类型与所述第一掺杂非晶层掺杂类型相反的第二掺杂非晶层、覆于所述第一掺杂非晶层与第二掺杂非晶层外表面且遮挡所述单晶硅衬底侧表面的导电膜层、覆于所述导电膜层外且位于所述单晶硅衬底第一主表面侧的第一集电极、以及覆于所述导电膜层外且位于所述单晶硅衬底第二主表面侧的第二集电极，所述异质结太阳能电池片还具有将所述导电膜层分割为两独...

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池片，其特征在于，所述异质结太阳能电池片包括单晶硅衬底、覆于所述单晶硅衬底外表面且对所述单晶硅衬底侧表面形成完全包覆的本征非晶层、覆于所述本征非晶层外且位于所述单晶硅衬底第一主表面侧的第一掺杂非晶层、覆于所述本征非晶层外且位于所述单晶硅衬底第二主表面侧的掺杂类型与所述第一掺杂非晶层掺杂类型相反的第二掺杂非晶层、覆于所述第一掺杂非晶层与第二掺杂非晶层外表面且遮挡所述单晶硅衬底侧表面的导电膜层、覆于所述导电膜层外且位于所述单晶硅衬底第一主表面侧的第一集电极、以及覆于所述导电膜层外且位于所述单晶硅衬底第二主表面侧的第二集电极，所述异质结太阳能电池片还具有将所述导电膜层分割为两独立导电部的凹槽，两所述导电部分别电性连接至所述第一集电极与所述第二集电极。


2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述凹槽设置于所述单晶硅衬底的第一主表面侧且位于所述第一集电极形成区域外围；或，所述凹槽设置于所述单晶硅衬底的第二主表面侧且位于所述第二集电极形成区域外围；或，所述凹槽设置于所述单晶硅衬底的侧表面侧。


3.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述凹槽穿透所述导电膜层且未连接至所述单晶硅衬底。


4.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述凹槽的宽度不大于50μm。


5.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述本征非晶层包括设置于所述单晶硅衬底第一主表面的第一本征非晶层以及设置于所述单晶硅衬底第二主表面的第二本征非晶层，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层中的至少一个具有周边延伸至所述单晶硅衬底侧表面外侧以连接两者的侧边钝化部。


6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层均具...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴华德，姚铮，张达奇，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33