一种接触式硅片测厚仪制造技术

本实用新型专利技术涉及硅片测厚技术领域，尤其是一种接触式硅片测厚仪。其包括测量平台，所述测量平台上表面固定支撑立柱，所述支撑立柱上端面通过连接件可拆卸的连接显示器，支撑立柱一侧连接悬臂；所述悬臂一侧上部通过连接件可拆卸的连接上安装座，悬臂一侧下部通过连接件可拆卸的连接下安装座，下安装座上通过销轴转动连接与悬臂相互垂直设置的活动座的转动端，活动座的拨动端通过连接件可拆卸的连接拨片。本实用新型专利技术能够在测量过程中避免用手拿取硅片，避免弄碎硅片，解除了传统测量手段的安全隐患；测量结果准确可靠，测量效率大大提高。

【技术实现步骤摘要】
一种接触式硅片测厚仪
本技术涉及硅片测厚
，尤其是一种接触式硅片测厚仪。
技术介绍
硅片是制造集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。在集成电路的制造过程中，需要对来料硅片的厚度进行检测。现有技术中，硅片测厚仪分为接触式和非接触式两大类。非接触类硅片测厚仪包括激光测厚仪或白光衍射测厚仪等设备，但由于采用激光测厚和白光衍射测厚需要光束的同轴性较高，环境的变量波动对测厚结果的稳定性也有影响；且设备成本较高，存在一定的弊端。其他传统测厚仪，检测时检测者的手要始终竖直拿着硅片，很不方便，容易弄碎硅片，存在安全隐患。因此，我们研制了一种接触式硅片测厚仪，以高精度岩石平台为基体，进口探头实现高精度测量。
技术实现思路
本申请人针对上述现有生产技术中的缺点，提供一种结构合理的接触式硅片测厚仪，能够在测量过程中避免用手拿取硅片，避免弄碎硅片，解除了传统测量手段的安全隐患。本技术所采用的技术方案如下：一种接触式硅片测厚仪，包括测量平台，所述测量平台上表面固定支撑立柱，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接触式硅片测厚仪，包括测量平台(1)，其特征在于：所述测量平台(1)上表面固定支撑立柱(2)，所述支撑立柱(2)上端面通过连接件可拆卸的连接显示器(3)，支撑立柱(2)一侧连接悬臂(4)；所述悬臂(4)一侧上部通过连接件可拆卸的连接上安装座(5)，悬臂(4)一侧下部通过连接件可拆卸的连接下安装座(6)，下安装座(6)上通过销轴转动连接与悬臂(4)相互垂直设置的活动座(7)的转动端，活动座(7)的拨动端通过连接件可拆卸的连接拨片(8)；所述活动座(7)的拨动端和上安装座(5)之间设有弹性组件；所述活动座(7)的拨动端通过连接件可拆卸的连接支撑板(14)，所述上安装座(5)内竖直设置能够上...

【技术特征摘要】
1.一种接触式硅片测厚仪，包括测量平台(1)，其特征在于：所述测量平台(1)上表面固定支撑立柱(2)，所述支撑立柱(2)上端面通过连接件可拆卸的连接显示器(3)，支撑立柱(2)一侧连接悬臂(4)；所述悬臂(4)一侧上部通过连接件可拆卸的连接上安装座(5)，悬臂(4)一侧下部通过连接件可拆卸的连接下安装座(6)，下安装座(6)上通过销轴转动连接与悬臂(4)相互垂直设置的活动座(7)的转动端，活动座(7)的拨动端通过连接件可拆卸的连接拨片(8)；所述活动座(7)的拨动端和上安装座(5)之间设有弹性组件；所述活动座(7)的拨动端通过连接件可拆卸的连接支撑板(14)，所述上安装座(5)内竖直设置能够上下滑动的位移传感器(17)，位移传感器(17)下端连接测头(16)，位移传感器(17)的线缆电连接显示器(3)；所述位移传感器(17)上套装挡环(15)，支撑板(14)一端延伸到挡环(15)下端面并托起挡环(15)。


2.如权利要求1所述的一种接触式硅片测厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑双飞，
申请(专利权)人：无锡万奈特测量设备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32